3月2日，根據(jù)據(jù)財(cái)政部網(wǎng)站最新的消息，國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)有關(guān)負(fù)責(zé)人就美國(guó)貿(mào)易代表辦公室宣布自華進(jìn)口商品不提高加征關(guān)稅稅率發(fā)表講話。
2019-03-02 19:08:41
5213 GaN-on-Si技術(shù)可用來(lái)降低LED及功率元件的成本，將有助固態(tài)照明、電源供應(yīng)器，甚至是太陽(yáng)能板及電動(dòng)車的發(fā)展.
2013-09-12 09:33:291827 據(jù)中科院深圳先進(jìn)院相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，這種新型高能量密度鋁—石墨雙離子電池，是一種全新的高效、低成本儲(chǔ)能電池，與傳統(tǒng)的鋰電技術(shù)相比，這種電池具有明顯優(yōu)勢(shì)，不僅生產(chǎn)成本降低約40%—50%，同時(shí)能量密度提高至少1.3—2.0倍。
2016-04-05 13:42:301935 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights指出，進(jìn)口芯片金額以美元計(jì)算甚至高于進(jìn)口原油金額的中國(guó)，可望在十年內(nèi)逐漸降低半導(dǎo)體貿(mào)易赤字。
2016-07-29 11:18:051947 
會(huì)為客戶提出改善方向。金鑒實(shí)驗(yàn)室后續(xù)還能為客戶提供相關(guān)的可靠性測(cè)試，幫助客戶提高產(chǎn)品質(zhì)量以及制定產(chǎn)品的市場(chǎng)定位。 4.LED燈具散熱不良 LED芯片對(duì)溫度非常敏感，甚至有觀點(diǎn)表示“溫度升高10℃，LED
2020-10-22 09:40:09
會(huì)為客戶提出改善方向。金鑒實(shí)驗(yàn)室后續(xù)還能為客戶提供相關(guān)的可靠性測(cè)試，幫助客戶提高產(chǎn)品質(zhì)量以及制定產(chǎn)品的市場(chǎng)定位。 4.LED燈具散熱不良 LED芯片對(duì)溫度非常敏感，甚至有觀點(diǎn)表示“溫度升高10℃，LED
2020-10-22 15:06:06
的各種形式和種類的LED。所以問(wèn)題的關(guān)鍵又回到MOCVD的外延工藝過(guò)程，如何生長(zhǎng)出所需波長(zhǎng)及亮度的LED外延片是降低成本的關(guān)鍵點(diǎn)，這個(gè)問(wèn)題不解決，LED的產(chǎn)能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的芯片分選問(wèn)題
2018-08-24 09:47:12
的外延工藝過(guò)程，如何生長(zhǎng)出所需波長(zhǎng)及亮度的LED外延片是降低成本的關(guān)鍵點(diǎn)，這個(gè)問(wèn)題不解決，LED的產(chǎn)能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的芯片
2017-08-04 10:28:54
LED上游外延片、芯片生產(chǎn)上，美國(guó)、日本、歐盟仍擁有很大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而中國(guó)***地區(qū)則已成為全球重要的LED生產(chǎn)基地。雖然中國(guó)在LED 外延片、芯片的生產(chǎn)技術(shù)上距離國(guó)際先進(jìn)水平還有較大差距，國(guó)內(nèi)芯片、外延
2017-10-11 18:32:25
材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
三、工程應(yīng)用中的選型要點(diǎn)某道路照明項(xiàng)目案例顯示，在采用合理的TIM組合方案后：芯片結(jié)溫從115℃顯著降低至82℃；光衰速率由3000小時(shí)的15%大幅改善至10000小時(shí)小于10
2025-02-08 13:50:08
LED的特點(diǎn)是工作電壓低，即使是白光LED的工作電壓也不會(huì)高于4V，相對(duì)于有效值220V的交流市電來(lái)說(shuō)，就需要降壓或限流。降壓是通過(guò)工頻變壓器或高頻逆變器將市電降低到與LED工作電壓相匹配的電壓等級(jí)
2019-09-17 07:26:41
1 引言人們常見(jiàn)的石墨是由一層層以蜂窩狀有序排列的平面碳原子堆疊而形成的，石墨的層間作用力較弱，很容易互相剝離，形成薄薄的石墨片。當(dāng)把石墨片剝成單層之后，這種只有一個(gè)碳原子厚度的單層就是石墨烯。石墨
2019-07-29 06:24:44
的MOS管和恒流控制也都集成在一個(gè)芯片上了，應(yīng)用電路十分簡(jiǎn)潔，周邊零件一般可控制在15個(gè)以下，也就是為終端客戶有效的控制材料成本和生產(chǎn)成本。 鉦銘科電子SM7313P LED燈絲燈非隔離開(kāi)關(guān)恒流方案
2015-11-12 14:34:03
降低產(chǎn)品成本。SM73XX是非隔離式LED照明驅(qū)動(dòng)電源芯片系列。系統(tǒng)采用Buck、Boost或Buck-Boost等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，僅需要電感而無(wú)需變壓器，整體BOM成本低。SM73XX系列非隔離型LED
2015-07-09 10:52:06
`智興豐科技銷售LED驅(qū)動(dòng)IC，主要針對(duì)隔離/非隔離驅(qū)動(dòng)IC/高壓/低壓線性恒流IC，PWM調(diào)光，可控硅調(diào)光等智能芯片BP2519 是一款高精度恒壓恒流控制芯片。適用于85Vac~265Vac 全
2020-05-26 10:19:34
S9233是一款高精度離線非隔離LED恒流開(kāi)關(guān)芯片。qq:3301086671適合于高恒流精度要求的非隔離降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)電源。芯片采用專利零電流檢測(cè)方法，臨界準(zhǔn)諧振工作模式實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高效率
2019-07-31 15:06:27
S9236是一款高精度離線非隔離LED恒流開(kāi)關(guān)芯片。qq:3301086671適合于高恒流精度要求的非隔離降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)電源。芯片采用專利零電流檢測(cè)方法，臨界準(zhǔn)諧振工作模式實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高效率
2019-07-31 18:01:00
不需要較厚的GaP窗口層和DBR 層，可大幅度降低外延材料消耗，外延成本比普通GaAs襯底降低。高熱導(dǎo)率鏡面襯底高亮度LED的研制成功和規(guī)模化生產(chǎn)，是一條獲得低成本、高穩(wěn)定性，可在大功率應(yīng)用中發(fā)揮重要作用的有效途徑。
2010-06-09 13:42:08
成核，形成各種各樣的外延缺陷，最終在外延層表面形成微小坑洞，這些也會(huì)嚴(yán)重影響外延片薄膜材料的晶體質(zhì)量和性能。金鑒檢測(cè)研發(fā)出快速鑒定芯片外延區(qū)缺陷的檢測(cè)方法，能夠低成本、快速地檢測(cè)出芯片外延層80%的外延
2015-03-11 17:08:06
原料易得、工藝簡(jiǎn)單，成本較人工石墨低。天然石墨片與人工合成石墨的價(jià)格為1：4~5，人工合成石墨制造比天然石墨復(fù)雜且制作成本昂貴。 2、場(chǎng)景適配指南 ※ 天然石墨適用場(chǎng)景動(dòng)力電池電極、工業(yè)潤(rùn)滑劑、電弧爐
2025-05-23 11:22:02
在許多應(yīng)用中，在小封裝中需要由AC電源供電的離線切換器，或者必須占用系統(tǒng)主板上的小空間。這些可以從家用智能電表、家用電器能耗監(jiān)視器、高功率因數(shù)照明應(yīng)用中的低成本離線LED驅(qū)動(dòng)器的范圍，以滿足總諧波
2021-07-27 06:54:32
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
數(shù)十億臺(tái)5G設(shè)備將面世，如何有效降低5G測(cè)試成本？
2021-02-22 08:15:00
，要降低成本除了大批量生產(chǎn)外，主要從技術(shù)上采取措施來(lái)降低成本的方法、途徑。主要是在外延芯片、封裝、驅(qū)動(dòng)、散熱等方面降低成本，從而從根本上解決led顯示屏產(chǎn)品的成本問(wèn)題。具體從以下四個(gè)方面談及： 外延
2012-12-12 15:26:08
有什么方法可以提高片上系統(tǒng)級(jí)集成嗎？有什么方法可以降低物料成本嗎？
2021-05-14 06:20:23
急速發(fā)展的中國(guó)LED制造業(yè)：產(chǎn)能是否過(guò)剩？中國(guó)LED制造業(yè)：產(chǎn)能是否過(guò)剩？中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步于上世紀(jì)70年代。早期中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)中缺少LED外延片及芯片制造環(huán)節(jié)，所使用的LED
2010-11-25 11:40:22
` 有誰(shuí)用過(guò)SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
，提升規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵原因。 板上芯片 (COB) 光源模塊是有助于降低成本的最新封裝方法之一。在這種模塊中，LED 芯片采用半導(dǎo)體芯片形式，既無(wú)外殼，也不用連接，只需直接安裝到 PCB 上或者更通俗地講，安裝到基材上。 而且，這種封裝形式還帶來(lái)了許多相關(guān)優(yōu)勢(shì)，如設(shè)計(jì)更靈活、配光更好、制造工藝更簡(jiǎn)單等。
2019-07-17 06:06:17
的困擾。縮減用工成本、材料成本。數(shù)據(jù)圖片導(dǎo)入直接切割超級(jí)排料軟件，對(duì)比人工 材料節(jié)省 10% 以上裁剪精度高，誤差小于 0.05mm紅外線 感應(yīng)系統(tǒng)，杜絕不安全因素環(huán)保無(wú)污染，切割不糊邊。氣動(dòng)刀石墨墊片
2019-12-05 14:38:05
今天，國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)印發(fā)公告，自2018年7月1日起，降低汽車整車及零部件進(jìn)口關(guān)稅，其中：稅率分別為25%、20%的汽車整車關(guān)稅降至15%；將稅率分別為8%、10%、15%、20%、25
2019-07-24 03:46:38
電源芯片MOS模塊散熱神器-石墨銅散熱片一貼即可
2014-11-05 14:44:08
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開(kāi)發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
石墨片應(yīng)用于：u 波導(dǎo)模組散熱：熱阻降低至0.15℃·cm2/W，避免光學(xué)畸變u 邊緣計(jì)算芯片封裝：?jiǎn)挝幻娣e散熱能力達(dá)25W/cm2，支持持續(xù)8K渲染
3. 新能源汽車智能座艙某車企中控系統(tǒng)采用
2025-02-15 15:28:24
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
`概述 PT4554C是一款高精度非隔離降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)芯 片。芯片工作在準(zhǔn)諧振模式，適用于85Vac~265Vac全范圍 輸入電壓的非隔離降壓型LED恒流電源。 PT4554C在單芯片上集
2018-07-25 15:17:45
介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-05-26 10:23:36
19 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國(guó)IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2442 介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-12-23 14:33:5625 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 LED外延片代工廠走勢(shì)分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14906 透過(guò)先進(jìn)的MOCVD技術(shù)降低LED制造成本
隨著LED的主流應(yīng)用從平板電視背光源進(jìn)入到一般照明的市場(chǎng)，高亮度LED的成長(zhǎng)可說(shuō)是一片看好
2010-03-27 09:31:461017 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
2011-05-06 11:55:522259 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張 外延片 隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。 半導(dǎo)體制造
2011-09-22 16:38:321589 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過(guò)程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131699 LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長(zhǎng)的基本原理,LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程比較復(fù)雜,目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法。
2012-05-15 09:48:402568 近日，國(guó)外市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole DévELoppement發(fā)布了“LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀”的最新報(bào)告，報(bào)告預(yù)測(cè)封裝LED每流明的成本還需要降低10倍才能促使LED照明的大規(guī)模應(yīng)用與普及。
2012-08-13 09:38:441303 濟(jì)寧高新區(qū)聯(lián)電科技園核心企業(yè)冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產(chǎn)出第一爐。此次研制成功的4寸外延片，每片產(chǎn)出的芯片數(shù)量約為2寸工藝的4倍。
2012-11-26 09:25:461477 LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，本文詳細(xì)介紹了LED外延片的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:148712 非隔離降壓恒流驅(qū)動(dòng)芯片SM7382 215mA15W69V LED電源方案，SM7382P恒流驅(qū)動(dòng)芯片芯片內(nèi)部集成500V功率管，采用專利的驅(qū)動(dòng)和輸出檢測(cè)方式，芯片工作電流很低，無(wú)需輔助繞組檢測(cè)和供電，只需要很少的外圍器件，即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的恒流輸出和線性調(diào)整率，極大地節(jié)約了系統(tǒng)體積和成本。
2016-07-13 17:45:2820 擁有“材料之王”美譽(yù)的石墨烯，曾被科學(xué)家預(yù)言將改變整個(gè)二十一世紀(jì)。之于LED照明，石墨烯的化學(xué)和物理穩(wěn)定性、優(yōu)良的導(dǎo)電性及定向的散熱效能可增加LED的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能，有效降低成本。
2017-02-28 08:39:08886 5月22日，國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)印發(fā)公告，宣布自今年7月1日起，降低汽車整車及零部件進(jìn)口關(guān)稅。將汽車整車稅率為25%的135個(gè)稅號(hào)和稅率為20%的4個(gè)稅號(hào)的稅率降至15%，將汽車零部件稅率分別為8%、10%、15%、20%、25%的共79個(gè)稅號(hào)的稅率降至6%。
2018-07-11 10:13:002272 據(jù)報(bào)道，聚燦擬募投項(xiàng)目變更，公司擬將原募集資金項(xiàng)目“聚燦光電科技股份有限公司 LED 芯片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目”變更為“聚燦光電科技（宿遷）有限公司 LED 外延片、芯片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目（一期）”。
2018-03-03 15:51:012241 印度太陽(yáng)能設(shè)備有90%以上都進(jìn)口自中國(guó)。
這項(xiàng)關(guān)稅將為期兩年。印度稱第二年前六個(gè)月稅率將降至20%，后六個(gè)月進(jìn)一步降至15%
2018-07-31 14:19:00585 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子幾乎訂購(gòu)了中國(guó)LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門的Mini LED產(chǎn)能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應(yīng)。
2018-05-16 10:24:005853 LED 應(yīng)用的滲透范圍。提高發(fā)光效率（lm／W）和降低單位成本（元／lm）是 LED 外延芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展的主要目標(biāo)。
2018-05-16 10:58:2310944 。芯片尺寸微小化背后的含意，除了發(fā)光組件的總體尺寸能更佳符合未來(lái)產(chǎn)品輕、薄、短、小的趨勢(shì)之外，單一外延片所能切割的小芯片數(shù)量更多了，固定功率下所需使用的芯片數(shù)量更少了，這些對(duì)于降低LED的生產(chǎn)支出有很大的幫助，畢竟”成本”永遠(yuǎn)都是個(gè)大問(wèn)題。
2018-08-14 15:46:071687 
LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 未來(lái)LED技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)能過(guò)剩因素仍有可能促使LED外延片、芯片產(chǎn)品價(jià)格繼續(xù)下降，如芯片企業(yè)不能有效控制成本，成本下降速度慢于產(chǎn)品價(jià)格下降速度，公司毛利率將存在不斷降低風(fēng)險(xiǎn)，對(duì)未來(lái)的盈利能力造成不利影響。
2018-11-02 17:16:345471 
從廈門海關(guān)獲悉，根據(jù)國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)日前公布的《關(guān)于降低部分商品進(jìn)口關(guān)稅的公告》，該關(guān)提出的降低石墨承載盤進(jìn)口關(guān)稅的稅則調(diào)整建議獲得采納，相關(guān)稅號(hào)“6815．1000非電器用的石墨或其他碳精制品”的進(jìn)口稅率由15％降至10％，預(yù)計(jì)每年僅廈門關(guān)區(qū)相關(guān)企業(yè)，就可節(jié)省稅收成本逾千萬(wàn)元。
2018-11-19 18:01:114629 
近日，華燦光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，LED芯片成本主要由原材料、設(shè)備折舊、人工成本等構(gòu)成，公司LED外延片擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度將視行業(yè)情況而定。
2018-11-29 15:27:142386 通知顯示，根據(jù)我國(guó)與有關(guān)國(guó)家或地區(qū)簽署的貿(mào)易或關(guān)稅優(yōu)惠協(xié)定，除此前已報(bào)經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)的協(xié)定稅率降稅方案繼續(xù)實(shí)施外，自2019年1月1日起，對(duì)我與新西蘭、秘魯、哥斯達(dá)黎加、瑞士、冰島、韓國(guó)、澳大利亞、格魯吉亞以及亞太貿(mào)易協(xié)定國(guó)家的協(xié)定稅率進(jìn)一步降低。
2018-12-28 16:45:155834 
法國(guó)在線出版物披露，法國(guó)行政法院已決定改變加密貨幣資本收益的分類，從而將稅率從高達(dá)45%降至19%的統(tǒng)一稅率。由于增加了對(duì)大多數(shù)收入的一般社會(huì)繳款（GSC），稅率將上升，但仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于40%的門檻。
2018-12-29 11:41:401036 1月9日晚間，國(guó)星光電(002449)發(fā)布公告，宣布投資10億擴(kuò)產(chǎn)新一代LED封裝器件及配套外延芯片。
2019-01-14 15:05:403749 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊(duì)合作，開(kāi)發(fā)出了石墨烯/藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:263682 
據(jù)Emberion評(píng)估，利用其石墨烯光電探測(cè)器取代硅與InGaAs傳感器組成的系統(tǒng)，將降低30%的成本。
2019-06-17 14:21:057565 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國(guó)內(nèi)LED技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4922365 國(guó)家財(cái)政部消息顯示，12月23日，國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)發(fā)布關(guān)于2020年進(jìn)口暫定稅率等調(diào)整方案的通知。
2019-12-30 13:55:311291 導(dǎo)熱石墨片散熱其實(shí)是典型的熱學(xué)管理系統(tǒng)是由外部冷卻裝置，由散熱器和熱力截面兩個(gè)方面組合而成的。 其中散熱片的重要功能是很大的有效表面積，而我們?cè)谶@個(gè)表面上熱力被轉(zhuǎn)移并有外界冷卻媒介帶走。導(dǎo)熱石墨片
2020-03-05 11:29:364899 晶棒長(zhǎng)成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。
2020-04-16 17:08:322307 其中，1310/1550 nm波段10 G/25 G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于5G通信、激光雷達(dá)、激光抽運(yùn)、激光顯示等領(lǐng)域。
2020-07-08 10:29:343786 LED外延片其實(shí)是襯底材料作用的，也就是說(shuō)在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運(yùn)用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說(shuō)在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:596397 的暫定進(jìn)口優(yōu)惠稅率不變，具體見(jiàn)表1 (33號(hào)文附表1《進(jìn)口商品最惠國(guó)暫定稅率表》）。 注①：“ex”表示實(shí)施暫定稅率的商品應(yīng)在該稅號(hào)范圍內(nèi)，以具體商品描述為準(zhǔn)。 另外，33號(hào)文中附表2《部分信息技術(shù)產(chǎn)品最惠國(guó)稅率表》中,有與覆銅板相關(guān)的滾壓機(jī)稅率（見(jiàn)表2）。 原文標(biāo)題：
2020-12-30 11:45:176921 同時(shí)，為落實(shí)上述《通知》，財(cái)政部、國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局發(fā)布《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策管理辦法的通知》，明確國(guó)家發(fā)展改革委等5部門制定并聯(lián)合印發(fā)享受免征進(jìn)口關(guān)稅的集成電路生產(chǎn)企業(yè)
2021-04-01 13:55:522264 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355313 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:254281 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:041644 點(diǎn)擊上方“藍(lán)字”關(guān)注我們~石墨片是一種導(dǎo)熱散熱材料，質(zhì)輕柔軟，能夠輕松貼合在各種熱源點(diǎn)，在新能源、航天、3C電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。汽車鑰匙中的紐扣電池也需要使用石墨片，石墨片會(huì)有統(tǒng)一的厚度標(biāo)準(zhǔn)，裝配
2023-06-05 10:26:371510 
對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:474603 
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2023-11-03 09:42:540 中國(guó)的大型工廠負(fù)責(zé)，但是近年來(lái)在印度的生產(chǎn)商也在穩(wěn)步擴(kuò)張。
據(jù)預(yù)測(cè)，較為優(yōu)惠的進(jìn)口稅率不僅有助于降低組裝成本，而且隨著國(guó)內(nèi)的智能手機(jī)市場(chǎng)飽和度逐漸加深，或許將會(huì)促使廠商們更多地轉(zhuǎn)向出口型設(shè)備的生產(chǎn)
2024-02-01 14:59:511549 麥斯克電子近日宣布，其年產(chǎn)360萬(wàn)片8英寸硅外延片的項(xiàng)目已成功封頂。據(jù)CEFOC中電四公司透露，該項(xiàng)目的總投資額超過(guò)14億元，建設(shè)規(guī)模宏大，占地建筑面積超過(guò)5萬(wàn)平方米。預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成并投產(chǎn)后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)量將達(dá)到360萬(wàn)片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312197 具體而言，對(duì)進(jìn)口的中國(guó)電動(dòng)汽車執(zhí)行4倍關(guān)稅政策，由現(xiàn)行的25%增至100%;太陽(yáng)能電池的進(jìn)口稅率亦將由原來(lái)的25%增加至50%。此外，還計(jì)劃自2025年起，對(duì)進(jìn)口中國(guó)半導(dǎo)體施行從25%至50%的關(guān)稅政策。
2024-05-18 15:47:342552 前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到
2024-06-12 08:09:075146 
外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程： 外延片是通過(guò)在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來(lái)制造的。這個(gè)過(guò)程通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或
2024-07-12 09:16:522550 8月21日，歐盟宣布了一項(xiàng)重要決定，對(duì)部分從中國(guó)進(jìn)口的新能源汽車加征關(guān)稅稅率進(jìn)行了調(diào)整。其中，特斯拉的稅率從原先的20.8%大幅降至9%，這一變化被普遍視為是對(duì)中國(guó)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)變化的積極響應(yīng)。據(jù)悉，這一調(diào)整的背景是中國(guó)政府似乎在逐步減少對(duì)外資企業(yè)的補(bǔ)貼力度，從而影響了歐盟方面的關(guān)稅政策。
2024-08-21 14:55:412284 實(shí)驗(yàn)名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向：LED外延片檢測(cè)測(cè)試設(shè)備：光譜儀、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器
2024-10-25 10:29:541235 
一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。化學(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長(zhǎng)過(guò)程中，石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364 
集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對(duì)芯片性能的影響。
2025-01-24 11:01:382193 
影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會(huì)降低外延片的良品率，還可能對(duì)后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此，有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成，對(duì)于提升Si
2025-02-10 09:35:39401 引言
碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過(guò)程中，表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414 高企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本、匯率波動(dòng)加大財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)，以及全產(chǎn)業(yè)鏈成本傳導(dǎo)效應(yīng)持續(xù)強(qiáng)化等多重因素影響。在這一背景下，優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)已成為企業(yè)應(yīng)對(duì)經(jīng)營(yíng)壓力的關(guān)鍵舉措。 半導(dǎo)體交易數(shù)據(jù) 面對(duì)進(jìn)口高端芯片價(jià)格的持續(xù)攀升，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)如何有效優(yōu)化
2025-10-15 17:23:40622 
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