Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:31
2269 （Sapphire）與碳化矽（SiC）基板為主，且重大基本專利掌握在日本、美國和德國廠商手中。有鑒于專利與材料種種問題，開發(fā)矽基氮化鎵（GaN-on-Si）磊晶技術(shù)遂能擺脫關(guān)鍵原料、技術(shù)受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192854 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場發(fā)展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風(fēng)光宣布，共同成功開發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術(shù)的發(fā)光二極體（LED
2013-06-21 09:18:322249 隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效率與低耗能設(shè)計，使得性能更加優(yōu)異的碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等高規(guī)格功率元件有了用武之地。##進一步降低SiC成本。
2014-10-03 15:53:226175 市場調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）認(rèn)為，市場規(guī)模方面，2020年GaN器件市場整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181552 
就在20多年前，Nichia推出了第一款氮化鎵（GaN）發(fā)光二極管（LED）。此舉開始廣泛使用具有成本效益的藍(lán)色LED。從那時起，GaN LED的輸出功率和光頻率都有所增加，這使得可以將這些器件與熒光粉結(jié)合使用作為照明源。
2019-03-13 08:56:005128 
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開關(guān)速度、更高的擊穿強度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:002073 
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:015287 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:2914900 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:577339 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
的開關(guān)損耗能夠得到有效的降低。如圖5所示是在維持100W的輸出功率下30min測得的器件熱成像圖（環(huán)境溫度25℃），在GaN器件無外加散熱措施的情況下，可以看到上管溫度僅為73.4℃，下管僅為62.2
2023-06-25 15:59:21
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統(tǒng)的架構(gòu)怎樣去選擇？LED驅(qū)動技術(shù)是怎樣降低電視機的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
，開關(guān)速度可達(dá)硅基的10倍。這一特性使得GaN模塊在高頻應(yīng)用中損耗更低，允許通過提升開關(guān)頻率（如10MHz以上）縮小電感、變壓器等被動元件尺寸，從而直接提升功率密度。磁集成與拓?fù)鋬?yōu)化：
Leadway
2025-10-22 09:09:58
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
頻率：3 GHzTheta J-C：5.3 C / W最高頻率：4,000 MHz最低頻率：0 MHzNPTB00025B 產(chǎn)品詳情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術(shù)提供商。我們提供
2019-11-01 10:46:19
，Neway車載級模塊通過規(guī)模化生產(chǎn)，成本較初期降低40%。供應(yīng)鏈議價權(quán)：大規(guī)模采購GaN外延片、被動元件等原材料，可獲得供應(yīng)商價格折扣，進一步壓縮成本。技術(shù)路線選擇硅基 vs. SiC基：Neway若
2025-12-25 09:12:32
描述該參考設(shè)計為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設(shè)計使用 TPS40400 控制器來驅(qū)動 CSD87381（對于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
，隨后進一步將電壓降低到數(shù)字電路所需要的電壓電平。現(xiàn)在，客戶可以使用更少的轉(zhuǎn)換器，從而減少功率損耗。 在未來的幾年內(nèi)，GaN可以在提供更大輸出功率的同時減小適配器尺寸。隨之而來的將是易于攜帶，同時又支持
2018-09-11 14:04:25
，GaN-on-Si 將實現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個很大的優(yōu)勢。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
功率密度射頻應(yīng)用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達(dá)6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學(xué)性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品
2019-09-11 11:51:15
對市場驅(qū)動因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
驅(qū)動許多技術(shù)進步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標(biāo)準(zhǔn)時，GaN 較之現(xiàn)在的技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優(yōu)點：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統(tǒng)效率提高我們已經(jīng)
2017-07-28 19:38:38
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機驅(qū)動組件的尺寸過大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨的機柜中，并通過長距離的布線連接到機器人手臂。這便降低了工業(yè)機器人單位立方米的生產(chǎn)效率。利用GaN技術(shù)，可以更簡單地將驅(qū)動
2019-03-01 09:52:45
問題：如何通過驅(qū)動高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
可靠性的綜合性方法很重要。如需了解與TI計劃相關(guān)的進一步細(xì)節(jié)，請參考Sandeep Bahl的白皮書，一個限定GaN產(chǎn)品的綜合方法。為了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格
2019-07-12 12:56:17
盡可能多天線以達(dá)到目標(biāo)容量，而將GaN－on－Si器件技術(shù)與模塊驅(qū)動設(shè)計相結(jié)合，便能夠設(shè)計并部署更小、更輕的產(chǎn)品。”顯然，GaN的使用的確會帶來許多優(yōu)勢，如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此。 如今存在的兩種主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優(yōu)勢、驅(qū)動上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響）五、活動報名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的產(chǎn)值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢，仍是各大科技廠矚目的焦點。除了高規(guī)格產(chǎn)品使用GaN-on-SiC的技術(shù)外，GaN-on-Si透過其成本優(yōu)勢，成為目前GaN功率組件的市場
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
方向為更高的功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導(dǎo)體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA)，工作頻率為 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的輸出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶體管，適用于脈沖 L 波段雷達(dá)系統(tǒng)，適用于 1.2 至 1.4 GHz 的機場監(jiān)視雷達(dá) (ASR) 應(yīng)用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
透過先進的MOCVD技術(shù)降低LED制造成本
隨著LED的主流應(yīng)用從平板電視背光源進入到一般照明的市場，高亮度LED的成長可說是一片看好
2010-03-27 09:31:461017 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:061162 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:311384 來自德國的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型態(tài)晶圓給功率半導(dǎo)體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨家專利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術(shù)。
2012-10-22 10:54:412252 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212767 
21IC訊 恩智浦半導(dǎo)體擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-LDMOS）蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合，推動創(chuàng)新，以緊湊的封裝提供行業(yè)領(lǐng)先的性能，助力下一代5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。
2018-06-29 10:30:002551 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001901 問題限制了LED照明行業(yè)的發(fā)展，散熱問題得不到解決，將會使LED燈的溫度上升，導(dǎo)致其發(fā)光效率降低、使用壽命縮短。本文從燈具及驅(qū)動器的設(shè)計2個方面提出降低大功率LED燈溫升及溫控的方法和技術(shù)，有效降低和限制了大功率LED燈的溫升。
2020-05-18 08:00:009102 
浙江大學(xué)近期首次報道了沒有電流折疊（即沒有動態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:516069 面積大幅減少，并簡化周邊電路設(shè)計，達(dá)成減少模塊、系統(tǒng)周邊零組件及冷卻系統(tǒng)體積目標(biāo)，GaN應(yīng)用范圍包括射頻、半導(dǎo)體照明、激光器等領(lǐng)域。 現(xiàn)行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行制造，其中GaN-on-SiC強調(diào)適合應(yīng)用在高溫、高頻的操作環(huán)境，因此在散熱性能
2018-11-09 11:44:01458 今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:145865 GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:308210 
本文將概述GaN在硅的開發(fā)方面的最新技術(shù)，以及通過利用大批量，大尺寸，晶圓尺寸的半導(dǎo)體加工技術(shù)，它可以降低生產(chǎn)成本。在英國，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圓上使用GaN
2019-03-13 08:54:004484 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時
2019-05-09 10:25:185447 
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:038442 
新產(chǎn)品硅氮化鎵（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高發(fā)光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列
2019-08-09 15:21:402699 本文報道了一個深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進行的應(yīng)力/恢復(fù)實驗，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 根據(jù)分析機構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
2020-03-01 19:45:153317 科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時該技術(shù)還可擴展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:574183 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降低每片芯片的成本。今年初，這家初創(chuàng)公司宣布了其
2021-03-30 16:37:203721 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2020-12-25 16:42:13826 1月5日消息，知名供應(yīng)鏈媒體 Digitimes 昨日報道稱，Unikorn 開始生產(chǎn) 100W 的 GaN-on-Si 芯片，且有望在今年為蘋果生產(chǎn)相應(yīng)的產(chǎn)品。當(dāng)然，蘋果的 GaN 充電器大概率是用于 Mac 系列電腦而非手機，
2021-01-05 10:40:332086 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:551186 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161672 
微反射器和預(yù)聚焦 LED 制造工藝顯著節(jié)省空間
2022-08-24 18:04:591689 
功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:162258 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:002558 
付出更大的成本？本文會以適配器（Adaptor）的應(yīng)用來做說明。圖1目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用種類氮化鎵（GaN）是橫向結(jié)構(gòu)的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:087739 
年復(fù)一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來的發(fā)展。5G 可實現(xiàn) 10Gbit/s 的峰值數(shù)據(jù)速率，而 6G 預(yù)計從 2030 年起將以 100Gbit/s 的速度運行。除了應(yīng)對更多數(shù)據(jù)和連接之外，研究人員還研究下一代無線通信如何支持自動駕駛和全息存在等新用例。
2023-07-06 10:00:101355 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:101535 
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動氮化鎵向更高壓、更高功率應(yīng)用領(lǐng)域邁進。
2023-11-16 11:56:224043 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用GaN HEMTs降低電機驅(qū)動應(yīng)用的系統(tǒng)成本.pdf》資料免費下載
2025-01-23 08:30:370 電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15674 
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
2025-08-07 06:53:441554 
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）肖特基勢壘二極管（SBD）因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而，Si與GaN材料之間嚴(yán)重的晶格失配導(dǎo)致外延層中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
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