MIC4414YFT EV,MIC4414評估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動器,設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動器。該驅(qū)動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷HN50N06DA參數(shù):60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動器,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET,這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動
2018-03-03 13:58:23
型號:SLD80N06T電壓:60V 電流:80A封裝:TO-252種類:絕緣柵(MOSFET)SLD80N06T原裝,SLD80N06T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持
2021-04-07 15:06:41
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2:用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:44
2304 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:00
5529 
近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:43
1517 
,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7001,該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:37
4028 ,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7003,該器件可采用高達(dá) 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:51
2576 LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,該器件包含一個內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:00
4622 
LTC?7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因而使其能夠無限期地保持導(dǎo)通。
2018-07-11 15:38:00
3821 
描述 DRV832x 系列器件是一款適用于三相 應(yīng)用的集成式柵極驅(qū)動器。此類器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV832x 使用集成
2018-09-11 17:18:45
710 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:11
3 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
11 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:08
1 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:48
2 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:21
1914 
LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:31
6 60V同步降壓-升壓LED驅(qū)動器
2021-05-10 16:17:02
13 LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:14
6 LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表
2021-05-15 14:42:00
2 NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:34
2966 
60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:47
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:59
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX700CN
2023-02-09 18:50:56
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:52
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:58
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:25
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENE
2023-02-15 18:45:18
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENE
2023-02-15 18:45:36
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENE
2023-02-15 18:46:07
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN37ENE
2023-02-15 18:46:54
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKW
2023-02-15 19:51:26
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKS
2023-02-15 19:51:38
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBK
2023-02-15 19:51:48
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AK
2023-02-16 20:08:33
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKM
2023-02-16 20:25:21
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA
2023-02-16 20:54:00
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENEA
2023-02-16 21:17:36
1 60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PW
2023-02-17 19:11:11
0 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PS
2023-02-17 19:11:24
0 60 V、360 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002P
2023-02-17 19:11:41
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKM
2023-02-17 19:40:02
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:30
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:40
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:44
2 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:55
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENEA
2023-02-20 19:51:04
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE
2023-02-20 19:52:11
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA
2023-02-20 19:53:52
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA
2023-02-20 19:54:17
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:03
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:43
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENEA
2023-02-20 19:58:02
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA
2023-02-20 19:59:07
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENA
2023-02-20 20:01:24
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:40
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:17
0 60 V、300 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002
2023-02-21 19:23:10
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENE
2023-02-21 19:34:56
0 N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS
2023-02-22 18:57:20
0 N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS
2023-02-22 19:04:31
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:35
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE
2023-02-23 19:05:10
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:27
0 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-BSS138BKS
2023-02-23 19:34:11
0 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-BSS138PS
2023-02-27 18:36:51
0 60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKW
2023-02-27 18:37:32
0 60 V、300 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKS
2023-02-27 18:37:49
0 60 V、350 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BK
2023-02-27 18:38:05
0 60 V、450 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKM
2023-02-27 18:38:17
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKXB
2023-02-27 19:06:21
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKS
2023-02-27 19:06:45
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BK
2023-02-27 19:07:02
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB55ENEA
2023-02-27 19:12:23
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:36
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKS
2023-02-27 19:17:51
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKS
2023-02-27 19:18:20
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:47
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB
2023-03-02 23:01:06
1 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002AKS
2023-03-02 23:01:24
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02:47
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA
2023-03-03 19:33:31
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:17
0 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:48
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:23
0 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45
2120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:49:35
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 14:49:20
0 鎮(zhèn)流器。HOTCHIP系列高壓MOSFET因其卓越的電氣特性,在眾多領(lǐng)域顯得尤為重要。這些特性使得華芯邦HOTCHIP高壓MOSFET在開關(guān)電源、PWM電機(jī)控制、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器、電機(jī)驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器和橋接電路等應(yīng)用中非常適用,為各種高壓應(yīng)用提供了理想的電源管理解決方案。
2024-08-21 18:07:52
1412 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:28:35
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:29:17
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-CCS6081EP N溝道60V快速開關(guān)MOSFETs規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-14 17:26:44
0 LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58
887 
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動器是一款柵極驅(qū)動器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49
911 
DRV8303可采用6V至60V范圍寬的單個電源供電。它采用自舉柵極驅(qū)動器架構(gòu)和涓流充電電路,支持 100% 占空比。當(dāng)高側(cè)或低側(cè) MOSFET 切換時,DRV8303使用自動手搖,以防止電流射穿。高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的集成 VDS 檢測用于保護(hù)外部功率級免受過流情況的影響。
2025-10-17 14:36:51
662 
評論