LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值 （LM5100） 或 TTL 輸入閾值 （LM5101） 獨立控制。提供了一個集成的高壓二極管，用于為高壓側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換器以高速運行，同時功耗低，并提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。低壓側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定功能。該器件采用標準 SOIC-8 引腳和 LLP-10 引腳封裝。
*附件：lm5101.pdf

特性

• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 獨立的高低驅(qū)動器邏輯輸入（LM5101 為 TTL 或 LM5100 為 CMOS）
• 自舉電源電壓范圍高達 118V DC
• 快速傳播時間（典型值為 25 ns）
• 以 15 ns 的上升和下降時間驅(qū)動 1000 pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM是一款高壓柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動同步降壓配置或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動器具有獨立的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動邏輯輸入，并集成了高壓二極管和電平移位器，以實現(xiàn)高效、可靠的柵極驅(qū)動。

二、主要特性

• ?獨立的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動?：允許對高側(cè)和低側(cè)MOSFET進行獨立控制。
• ?高壓能力?：支持高達V的自舉供電電壓和V的高側(cè)MOSFET源極電壓。
• ?快速傳播時間?：典型值為ns。
• ?集成高壓二極管?：用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容充電。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：保護低側(cè)和高側(cè)電源軌，防止在低電壓條件下工作。
• ?低功耗?：有助于提高整體系統(tǒng)效率。
• ?邏輯輸入兼容性?：LM采用TTL邏輯輸入閾值。

三、引腳功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動供電。
• ?HB?：高側(cè)柵極驅(qū)動器自舉軌。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
• ?HS?：高側(cè)MOSFET源極連接。
• ?LI?：低側(cè)驅(qū)動控制輸入。
• ?HI?：高側(cè)驅(qū)動控制輸入。
• ?VSS?：地返回。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
• ?NC?：未連接引腳（對于WSON-封裝）。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V。
• ?UVLO閾值?：VDD的欠壓鎖定閾值為.V至.V。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值為.V至.V，高電平輸入電壓閾值為.V至.V。
• ?輸出特性?：高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器具有高電平輸出和低電平輸出能力，峰值電流可達.A。

五、應用信息

• ?典型應用?：包括同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、電流饋電推挽功率轉(zhuǎn)換器等。
• ?設計考慮?：提供了關于自舉電容選擇、柵極電阻匹配、布局和熱管理的設計指南。

六、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL電容靠近IC，并保持短而寬的接地路徑以減少寄生電感和電阻。高側(cè)和低側(cè)MOSFET應盡可能靠近柵極驅(qū)動器放置。
• ?熱管理?：通過估算最壞情況下的結(jié)溫來確保可靠的長期操作，利用暴露的熱焊盤（對于WSON封裝）進行有效散熱。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供SOIC-和WSON-兩種封裝選項。
• ?訂購代碼?：包括不同封裝和卷帶選項的訂購代碼，如LMM/NOPB（SOIC-封裝）和LMSD/NOPB（WSON-封裝）。

八、文檔與支持

• ?數(shù)據(jù)手冊?：提供了詳細的技術規(guī)格、電氣特性、應用信息和封裝尺寸等。
• ?應用指南?：可能包含額外的設計考慮、布局示例和故障排除技巧。
• ?社區(qū)資源?：TI提供了EE在線社區(qū)和其他支持資源，方便用戶交流問題和經(jīng)驗。

九、安全警示

• ?靜電放電（ESD）防護?：提醒用戶在存儲或處理過程中注意靜電防護，以防止損壞MOS柵極。
• ?使用注意事項?：用戶應仔細閱讀數(shù)據(jù)手冊中的安全警示和使用注意事項，確保正確、安全地使用產(chǎn)品。