該DRV8303是一款用于三相電機驅動應用的柵極驅動器IC。該器件提供三個半橋驅動器，每個驅動器能夠驅動兩個N溝道MOSFET。該器件支持高達 1.7A 的源極電流和 2.3A 的峰值電流能力。該DRV8303可采用6V至60V范圍寬的單個電源供電。它采用自舉柵極驅動器架構和涓流充電電路，支持 100% 占空比。當高側或低側 MOSFET 切換時，DRV8303使用自動手搖，以防止電流射穿。高側和低側 MOSFET 的集成 VDS 檢測用于保護外部功率級免受過流情況的影響。
*附件：drv8303.pdf

該DRV8303包括兩個電流分流放大器，用于精確的電流測量。這些放大器支持雙向電流檢測，并提供高達 3 V 的可調輸出失調。

串行外設接口 （SPI） 提供詳細的故障報告和靈活的參數設置，例如電流分流放大器的增益選項和柵極驅動器的壓擺率控制。

特性

• 6V 至 60V 工作電源電壓范圍
• 1.7A 源極和 2.3A 灌極驅動電流能力
• 壓擺率控制，降低 EMI
• 支持 100% 占空比的自舉柵極驅動器
• 6 或 3 種 PWM 輸入模式
• 雙通道集成電流分流放大器，具有可調增益和失調
• 3.3V 和 5V 接口支持
• 串行外設接口 （SPI）
• 保護特點：
  • 可編程死區時間控制 （DTC）
  • 可編程過流保護 （OCP）
  • PVDD 和 GVDD 欠壓鎖定 （UVLO）
  • GVDD 過壓鎖定 （OVLO）
  • 過熱警告/關斷 （OTW/OTS）
  • 通過nFAULT、nOCTW和SPI寄存器報告

參數

方框圖

?1. 核心特性?

• ?電源與驅動?：
  • 工作電壓范圍：6V至60V，集成1.7A源電流/2.3A灌電流的柵極驅動能力。
  • 支持100%占空比的自舉架構，內置電荷泵。
  • 3種PWM輸入模式（6-PWM/3-PWM），可編程死區時間（50ns-500ns）。
• ?電流檢測?：
  • 雙集成電流分流放大器，支持雙向檢測，增益可調（10/20/40/80 V/V）。
  • 輸出偏置電壓可編程（最高3V），支持DC校準模式。
• ?保護功能?：
  • VDS過流保護（OCP）、欠壓鎖定（UVLO）、過熱警告/關斷（OTW/OTS）。
  • 故障報告通過nFAULT、nOCTW引腳及SPI寄存器。

?2. 關鍵模塊?

• ?柵極驅動?：
  • 三組半橋驅動，自動握手防直通，支持外部MOSFET的VDS實時監測。
  • 可調柵極驅動電流（1.7A/0.7A/0.25A）和開關斜率控制（EMI優化）。
• ?SPI接口?：
  • 16位數據幀（讀寫位+地址+數據），支持靈活的參數配置（如OCP閾值、放大器增益）。
• ?保護機制?：
  • 4種過流模式（限流/鎖存關斷/僅報告/禁用），GVDD過壓保護（>16V觸發）。

?3. 電氣參數?

• ?電源特性?：
  • 靜態電流：待機模式1μA（LDO關閉），工作模式15mA（100nC柵極電荷）。
  • 熱阻：結至環境30.3°C/W（TSSOP封裝）。
• ?時序特性?：
  • 傳播延遲：45ns（輸入至柵極輸出），死區時間匹配誤差<5ns。

?4. 典型應用?

• ?場景?：
  • 無刷直流電機（BLDC/PMSM）、電動工具、工業自動化。
• ?設計要點?：
  • ?布局?：GVDD/PVDD需就近放置低ESR電容（如2.2μF陶瓷電容）。
  • ?保護設置?：根據MOSFET的RDS(on)計算OCP閾值（如0.123V對應26A@4.7mΩ）。

?5. 封裝與配置?

• ?封裝?：48引腳HTSSOP（12.5mm×6.1mm），帶裸露焊盤散熱。
• ?寄存器配置?：
  • 控制寄存器1：設置柵極電流、PWM模式、OCP響應方式。
  • 控制寄存器2：配置放大器增益、DC校準通道、OCTW報告模式。

?總結?：DRV8303是一款高集成度三相電機驅動IC，適用于需精確電流檢測和強保護功能的場合，其SPI可編程性及多重保護機制顯著簡化系統設計。