LTC3783 是一款電流模式 LED 驅動器及升壓、反激和 SEPIC 型控制器，用于驅動一個 N 溝道功率 MOSFET 和一個 N 溝道負載 PWM 開關。
2014-03-06 10:39:59
3787 
LTC4226的ON針腳具備外部可調的UVLO,同時還負責檢測連接器是否插緊。一個集成型充電泵用于為標準的N溝道MOSFET提供柵極驅動，并利用內(nèi)部12V箝位來保護其柵極氧化物。
2019-10-10 09:12:45
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅動器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅動器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個MOSFET的驅動器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET驅動器LTC1154資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC1154引腳功能LTC1154功能和特點LTC1154內(nèi)部方框圖LTC1154典型應用電路
2021-03-24 06:18:36
N溝道MOSFET驅動電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專門驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。本文討論柵極驅動器是什么，為何需要柵極驅動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅動強度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅動強度和隔離度。需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
N8322 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
的優(yōu)點包括以下幾點內(nèi)容：設計非常簡單，因此適用于空間受限的地方，例如低壓驅動器和非隔離POL應用。這是高端開關位置內(nèi)的簡化柵極驅動方法，可以降低總體成本。在低電壓下工作時，MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側開關。根據(jù)應用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業(yè)和汽車開關步進電機和直流電機控制說明LTC1154單高側柵極驅動器允許使用低高側交換應用的成本N溝道場效應晶體管。內(nèi)部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
LTC1155雙高端柵極驅動器的典型應用允許使用低成本N溝道FET用于高端開關應用
2020-04-16 10:14:10
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動IC。圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
驅動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅動強度和隔離度。為什么需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
是什么，為何需要柵極驅動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅動強度和隔離度。需要柵極驅動器IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極和源極/發(fā)射極之間形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導
2018-11-01 11:35:35
，低側FET導通并開始通過其通道導通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動機驅動設計中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負責高速接通的一個重要的柵極驅動器參數(shù)是導通傳播延遲。這是在柵極驅動器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
高速同步MOSFET驅動器LTC4447資料下載內(nèi)容包括：LTC4447引腳功能LTC4447內(nèi)部方框圖LTC4447典型應用電路LTC4447極限參數(shù)
2021-03-26 07:14:06
LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，采用高達 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個負責全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內(nèi)部充電泵，因而使其能夠
2023-04-20 11:36:57
單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。
2010-02-04 08:40:551641 
高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271392 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）柵極驅動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362105 在電壓降壓（降壓調節(jié)器）應用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開關。在轉換器的高側驅動這些增強模式設備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來導通。這必然要求一個額外
2017-07-02 09:18:51
20 在電壓降壓（降壓調節(jié)器）應用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開關。在轉換器的高側驅動這些增強模式設備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來導通。這必然要求一個額外
2017-07-04 15:46:2016 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7001，該器件以高達 150V 電源電壓運行。
2017-07-07 15:00:374031 LTC7001 強大的 1Ω 柵極驅動器可憑借非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅動柵極電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開關和靜態(tài)開關應用。
2017-09-06 10:48:5011335 
。其內(nèi)部充電泵全面增強了外部 N 溝道 MOSFET 開關，從而使該器件能夠保持接通時間無限長。LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅動器能夠以非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲，容易地驅動柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關和靜態(tài)開關應用。
2017-09-11 09:36:585265 
LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅動器能夠以非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲，容易地驅動柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關和靜態(tài)開關應用。
2017-09-18 10:49:385833 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 LTC7000 是一款快速、受保護的高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，該器件包含一個內(nèi)部充電泵，因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:004622 
LTC7000 是一款快速、受保護的高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，該器件包含一個內(nèi)部充電泵，因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-28 09:33:006631 
LTC?7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，采用高達 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個負責全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內(nèi)部充電泵，因而使其能夠無限期地保持導通。
2018-07-11 15:38:003821 
新年伊始，Allegro祝各位朋友新的一年健康快樂，事業(yè)有成！今天Allegro這里介紹的是符合ISO-26262標準的全新N溝道功率MOSFET驅動器AMT49105，新產(chǎn)品能夠簡化電機系統(tǒng)設計，并通過集成所需的功率模擬系統(tǒng)而減小PCB面積。
2019-01-10 14:29:514415 1.4知道你的柵極驅動器：VDD
2019-04-23 06:09:004697 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)LTC7001相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTC7001的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC7001真值表，LTC7001管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 14:37:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC4441相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTC4441的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC4441真值表，LTC4441管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 12:19:34
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-02-05 15:07:301 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-03-06 14:41:535 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅動器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:181 150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:1211 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器具有強大的柵極驅動
2021-03-19 07:15:032 快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4442/LTC4442-1 - 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器為高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉換器提供 5A 電流
2021-03-20 20:09:435 LTC4444 - 100V 高速同步 N 溝道 3A MOSFET 驅動器用于高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉換器
2021-03-21 11:25:073 LTC3780/LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅動器(8-48V至12V@3A)的同步降壓-升壓控制器
2021-04-13 09:15:0814 LTC4444：高壓同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316 LTC4449：高速同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:577 LTC7000/LTC7001：快速150V保護高端nMOS靜電交換機驅動程序數(shù)據(jù)表
2021-05-11 10:02:375 LTC4444-5：高壓同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146 LTC3725：單開關正向控制器和柵極驅動器產(chǎn)品手冊
2021-05-17 16:46:095 LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
2021-05-29 17:20:155 帶MOSFET柵極驅動器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 LTC3780 LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅動器的同步降壓-升壓控制器(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4313 ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:513305 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器，可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達100V的電源電壓來驅動兩個N溝道MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關損耗。針對
2022-10-25 09:19:342412 
和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對于器件源極/發(fā)射極的電壓。專用驅動器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。本文討論這些柵極驅動器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時序、驅動強度和隔離度。
2023-01-30 17:17:122922 
柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0024 高側非隔離柵極驅動 1.適用于P溝道的高側驅動器2.適用于N溝道的高側直接驅動器 1.適用于P溝道的高側驅動器 高側非隔離柵極驅動可按照所驅動的器件類型或涉及的驅動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:392544 
在電機驅動系統(tǒng)中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:342087 
本應用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅動設計。它描述了使用不同電壓應用的設計，以及自適應 MOSFET 柵極驅動器，這是驅動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:002928 
柵極驅動器芯片的原理是什么 柵極驅動器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領域中具有重要應用，如電機驅動、開關電源、太陽能逆變器等。本文將詳細
2024-06-10 17:23:003609 柵極驅動器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強場效應晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號，以便控制器能夠更好地控制這些半導體開關的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:2724573 一、柵極驅動器介紹
1）為什么需要柵極驅動器？
2）功率器件開關過程介紹
3）三種常見驅動芯片介紹
二、隔離方案介紹
1）為什么需要隔離驅動
2）主流隔離方案介紹
3）納芯微隔離方案介紹
2024-09-10 09:26:131577 
MOSFET驅動器功耗 MOSFET驅動器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅動器交越導通（穿通
2024-10-29 10:45:212504 
Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高性能柵極驅動器IC，可用于驅動同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅動器包含車規(guī)級和工業(yè)級版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動態(tài)性能，可大幅提高應用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:411292 Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅動器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅動器，在高達150V的輸入電壓下工作，具有獨立于電源的三態(tài)脈寬調制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714 
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅動器是一款柵極驅動器，在高達100V的輸入電壓下工作，具有獨立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49912 
Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅動器驅動兩個采用半橋配置的N溝道MOSFET，供電電壓高達140V。高側和低側驅動器可以通過提供瞬態(tài)抗擾度和噪聲來驅動具有不同接地
2025-06-14 16:36:57832 
Texas Instruments DRV8770EVM柵極驅動器評估模塊 (EVM) 可以輕松評估DRV8770 100V器件。DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅動器，每個驅動器可驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。DRV8770設有BST欠壓閉鎖、GVDD欠壓和熱關斷等保護功能。
2025-09-25 14:31:39524 
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅動電壓
2025-10-11 14:38:251089 
DRV8329系列器件是用于三相應用的集成柵極驅動器。這些器件提供三個半橋柵極驅動器，每個驅動器都能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅動電壓，并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07528 
DRV8300U是100V三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅動電壓。GVDD用于為低側MOSFET生成柵極驅動電壓。柵極驅動架構支持高達750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454 
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45893 
DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅動器，每個驅動器能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側 MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅動電壓，而 GVDD 驅動低側 MOSFET 的柵極。柵極驅動架構支持高達 750mA 的柵極驅動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
mm封裝，具有下拉和中心柵極設計，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機驅動器、電源負載開關和直流/直流應用。
2025-11-24 15:35:18263 
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