快速、150V、高壓側NMOS靜態開關驅動器LTC?7001
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上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品介紹
具有極低的導通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss;采用屏蔽柵極結構,器件獲得優良的開關性能,使得150V SGT系統產品具有極低的開關損耗。
2025-01-03 10:19:16
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ST 意法半導體 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器
和 STDRIVEG611 均具有高壓側驅動器部分,可承受高達 600 V 的電壓,并可通過集成自舉二極管輕松供電。高電流能力、短傳播延遲和出色的延遲匹配,以及集成
2025-02-12 14:06:16
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0TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 陣列低側驅動器數據手冊
TPL7407LA 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個 NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電感負載。單個 NMOS 通道的最大漏極電流額定值為
2025-05-10 09:48:34
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TPL7407L 40V、7 通道 NMOS 陣列低側驅動器數據手冊
TPL7407L 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該設備包括 7 個 NMOS 晶體管,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于 切換感性負載。單個 NMOS 通道的最大漏極電流額定值為
2025-05-12 14:36:20
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LM5101系列 高壓高壓側和低壓側柵極驅動器數據手冊
LM5100/LM5101 高壓柵極驅動器旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。浮動高壓側驅動器能夠在高達 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58
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新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側柵極驅動器 1ED21x7 系列
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比,提供了一種更穩健、更具
2025-05-21 17:07:11
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Analog Devices Inc. LTC7068 150 V半橋驅動器數據手冊
Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅動器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅動器,在高達150V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態脈寬調制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16
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Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅動器數據手冊
Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅動器驅動兩個采用半橋配置的N溝道MOSFET,供電電壓高達140V。高側和低側驅動器可以通過提供瞬態抗擾度和噪聲來驅動具有不同接地
2025-06-14 16:36:57
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MCP8021/2三相BLDC電機柵極驅動器技術解析與應用指南
可在12V時提供0.5A峰值輸出電流,以驅動高側和低側NMOS MOSFET晶體管。這些驅動器的工作溫度范圍為-40°C至+165°C,具有擊穿、過流和短路保護特性。睡眠模式可實現典型的5 μA的 “切斷”靜態電流。
2025-10-11 14:58:35
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ZK150G002TP:SGT技術賦能的150V高壓大電流MOSFET標桿
150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優異的綜合參數,成為高壓功率控制領域的核心優選器件,為各類大功率電子系統提供了穩定高效的功率開關解決方案。
2025-10-31 11:03:47
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中微愛芯全新推出150V高壓輸入開關電源控制器AiP5843
中微愛芯全新推出一款用于開關電源的150V高壓輸入開關電源控制器——AiP5843。通過配合外圍無源器件將輸入電壓降至5V穩定輸出。控制器設計具有PFM模式,可減小輕載開關損耗,優化轉換效率;具有
2025-12-18 09:58:56
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新國標電動車電控系統供電150V高壓DCDC芯片方案H6213L
新國標電動車電控系統供電150V高壓DCDC芯片方案H6213L 一、方案介紹: H6213L 是一款內置 150V 耐壓 MOS 的高壓降壓開關控制器,其支持 120V 輸入電壓,可穩定輸出
2025-12-31 14:03:18
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