為了實現(xiàn) 對非易失內(nèi)存的管理與利用、對文件數(shù)據(jù)緩存的管理與訪問，本文設(shè)計并實現(xiàn)了面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:10
2365 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:192378 
計算機、游戲機、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進行操作。設(shè)計人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263490 
易靈思FPGA flash操作原理分享
2024-04-09 15:03:401651 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設(shè)備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內(nèi)置非易失存儲器可保存
2021-05-17 07:50:42
FPGA內(nèi)部的RAM中，電源斷開后，RAM中的數(shù)據(jù)將丟失。因此SRAM或FLASH編程型FPGA是易失性的，每次重新加電，FPGA都要重新加載數(shù)據(jù)。這樣，運行中的FPGA功能系統(tǒng)在掉電后可以重新下載
2011-05-27 10:22:36
這個芯片編程設(shè)置好以后，掉電會遺失設(shè)置嗎？里面有沒有非易失存儲器？
2024-11-12 07:16:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
DSP設(shè)計難題？用FPGA解決！
2012-08-17 22:12:08
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點的基礎(chǔ)上，加入了多項創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
手冊說L9369的PROM不是非易失存儲，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數(shù)據(jù)是否會全部丟失？
EPB應(yīng)用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
數(shù)字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！胺?b class="flag-6" style="color: red">易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
DN498 - 基于超級電容器的電源后備系統(tǒng)可在掉電時保護手持式設(shè)備中的易失性數(shù)據(jù)
2019-07-10 09:15:51
電源保持系統(tǒng)，用于提供備用電源，直到可以更換電池或者能將數(shù)據(jù)存儲到永久性存儲器中為止) 之情況下，保存在易失性存儲器中的重要數(shù)據(jù)將會丟失。超級電容器具有緊湊、堅固和可靠的特點，并能支持用于應(yīng)對短期掉電
2018-10-23 14:33:28
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計過程中，系統(tǒng)的掉電保護越來越受到重視。如何設(shè)計嵌入式系統(tǒng)掉電保護方案？這個問題急需解決。
2019-08-09 07:48:28
在過去的幾年間，FPGA技術(shù)備受矚目，而快閃FPGA的出現(xiàn)無疑引發(fā)FPGA領(lǐng)域的一場革命，推動了FPGA的進一步飛躍。由于PPGA的特性主要由其使用的可編程技術(shù)來決定，相對于SRAM FPGA，快閃FPGA具有更好的非易失性，這使其成為FPGA設(shè)計的更好的選擇。
2019-08-05 07:59:59
優(yōu)勢，但是由于SRAM的易失性，掉電以后芯片中的配置信息將丟失，所以每次系統(tǒng)上電時都需要重新配置。這就使得剽竊者可以通過對FPGA的配置數(shù)據(jù)引腳進行采樣，得到該FPGA的配置數(shù)據(jù)流，實現(xiàn)對FPGA內(nèi)部
2019-08-23 06:45:21
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后，Timer1應(yīng)該重置為零。有時它不是這樣發(fā)生的，但有時它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
X9511 ─ 按鍵式非易失性數(shù)字電位器簡介X9511 是一個理想的按鈕控制電位器，其內(nèi)部包含了31 個電阻單元陣列，在每個電阻單元之間和任一端都有可以被滑動端訪
2009-11-14 14:50:38
38 低成本64級易失性數(shù)字電位器特性• 易失性數(shù)字電位器，具有 SOT-23、SOIC、MSOP 和DFN 封裝形式• 64 個抽頭 ：在A 端和B 端之間連有63 個電阻，并且電
2009-11-17 11:39:3261 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350
固態(tài)易失性精密電位器構(gòu)成的溫度測量電路
2009-02-11 23:19:31721 
摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯誤，
2010-08-26 10:52:38669 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51991 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312112 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
介紹了一種基于SRAM技術(shù)的FPGA可編程邏輯器件的編程方法，能在系統(tǒng)復(fù)位或上電時自動對器件編程。有效地解決了基于SRAM的FPGA器件掉電易失性問題，針對當(dāng)前系統(tǒng)規(guī)模的日益增大，本文提出了一種用單片機對多片FPGA自動加載配置的解決方案．
2011-03-15 16:41:2221 LatticeXP2器件將基于FPGA結(jié)構(gòu)的查找表(LUT)與閃存非易失單元組合在一個被稱為flexiFLASH的架構(gòu)中。 flexiFLASH方式提供了許多優(yōu)點
2011-03-28 10:20:171700 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
本內(nèi)容提供了內(nèi)置易失性存儲器的數(shù)字電位計的各種型號參數(shù)知識，來方便大家選型
2011-12-12 15:24:4829 DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
2014年10月8號，北京——Altera公司（NASDAQ： ALTR）今天宣布開始提供非易失MAX? 10 FPGA，這是Altera第10代系列產(chǎn)品中的最新型號。
2014-10-08 13:38:301338 使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 （phase-change memory, PCM）、磁阻式隨機存儲（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻變式存儲（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存儲技術(shù)已經(jīng)有了較長的開發(fā)歷史。
2018-07-04 11:55:007915 
為適應(yīng)底層存儲架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大
2018-01-02 19:04:400 本文主要介紹了具有易失性配置位的dsPIC33F器件閃存編程規(guī)范.
2018-06-28 10:25:003 Altera公司宣布提供第二代Nios II嵌入式評估套件（NEEK），它安裝了Altera的非易失MAX 10 FPGA以及Nios II軟核嵌入式處理器。MAX 10 NEEK是功能豐富的平臺
2018-08-24 16:41:001557 Spartan-3an FPGA系列將領(lǐng)先、低成本的FPGA的最佳特性與廣泛密度范圍內(nèi)的非易失性技術(shù)相結(jié)合。該系列結(jié)合了Spartan-3A FPGA系列的所有功能，以及系統(tǒng)閃存中的領(lǐng)先技術(shù)，用于配置和非易失性數(shù)據(jù)存儲。
2019-05-27 08:00:004 事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個功能豐富的平臺，為嵌入式設(shè)計人員提供了一種快速簡便的方法，可以在非易失性FPGA中體驗定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開發(fā)。
2019-08-12 14:14:292036 FPGA需要配備外部的非易失存儲器來存儲其邏輯代碼或者通過單片機、DSP或者其它控制器來實現(xiàn)FPGA上電后的邏輯代碼載入。
2019-10-20 09:02:003778 
非易失性FPGA以其低功耗、高性價比的特點在低成本FPGA市場中展露潛力。據(jù)Altera公司產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Patrick Dorsey介紹，全球FPGA一年的市場規(guī)模為50億美元，其中
2020-01-16 10:12:004030 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計算IC“BU70013TL”。這個產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取資料時，不定要從頭開始，隨時都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 存儲器概況 存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時候仍然
2020-12-07 14:26:136410 
我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持數(shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。
2021-02-19 10:18:332198 
DN498 - 基于超級電容器的電源后備系統(tǒng)可在掉電時保護手持式設(shè)備中的易失性數(shù)據(jù)
2021-03-19 11:19:462 ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時延和寫磨損特性差異，使得測試結(jié)果無法準確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 所有現(xiàn)代FPGA的配置分為兩類：基于SRAM的和基于非易失性的。其中，前者使用外部存儲器來配置FPGA內(nèi)的SRAM后者只配置一次。 Lattice和Actel的FPGA使用稱為反熔絲的非易失性配置
2021-07-02 16:01:404459 
文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機上的非易失性MRAM. 血液透析機使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因為MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 幾乎可以將整個圖形系統(tǒng)集成到非易失性 FPGA 中。該系統(tǒng)具有極長的生命周期、系統(tǒng)內(nèi)現(xiàn)場可升級性以及對不同總線、接口和顯示器的適應(yīng)性，滿足嵌入式市場對即時、高可靠性、安全顯示器的要求。
2022-06-14 16:48:111600 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
本文介紹國產(chǎn)FPGA廠商易靈思，利用易靈思超低功耗、超高性能的FPGA芯片，目前供貨穩(wěn)定，性價比高，但是對于一個陌生的FPGA廠商，我們該如何進行器件選型呢? 易靈思采用邏輯和路由可以互換的XLR
2023-01-04 11:13:033917 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 選通管（Selector）。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題，往往引入選通管與存儲單元集成設(shè)計。相比于非易失性器件，易失性憶阻器作為選通管時，不需要額外的復(fù)位操作，簡化了外圍電路的設(shè)計，有助于存儲芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:374549 
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2023-06-15 14:35:410 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:282448 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中GOWIN高云半導(dǎo)體的非易失性FPGA GW2AN-UV9XUG256已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持
2024-03-19 18:35:191176 
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