長電科技副總經(jīng)理梁新夫在本次封測年會上表示：“5G毫米波頻段更高，需要將天線、射頻前端和收發(fā)器整合成單一系統(tǒng)級封裝。在天線部分，AiP技術(shù)與其他零件共同整合到單一封裝內(nèi)是關(guān)鍵。”同時，梁新夫還指出，電磁屏蔽也是5G封裝發(fā)展的一個重要方向。

華天科技先進(jìn)封裝研究院院長于大全則指出，在高密度封裝領(lǐng)域，本土廠商與國際廠商還存在一定差距，這也是本土Fan Out封裝技術(shù)接下來需要面臨的挑戰(zhàn)。

除了5G帶給扇出型封裝的巨大市場，車載領(lǐng)域也是眾多封測廠商看好Fanout的一個原因。在本次會議上，日月光集團(tuán)處長林少羽以“驅(qū)動智能汽車封裝解決方案”為主題，為與會者分享了目前汽車市場的趨勢，以及日月光應(yīng)對車載封裝的全套解決方案。

TSV封裝到了爆發(fā)的年代

除了Fanout，TSV封裝也似乎到了將要爆發(fā)的年代。

所謂TSV封裝，也就是硅穿孔封裝技術(shù)，這是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù)。通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，這項(xiàng)技術(shù)能實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。據(jù)Yole預(yù)測，2019年先進(jìn)封裝份額將增至38%，SiP、WLP、TSV等技術(shù)引領(lǐng)先進(jìn)封裝風(fēng)潮，其中，增長最快的是扇出型封裝和2.5D3D TSV。

透過本次年會各大封測企業(yè)的演講我們發(fā)現(xiàn)，基于硅通孔的2.5D和3D封裝在諸如網(wǎng)絡(luò)、云服務(wù)芯片和人工智能及虛擬、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的設(shè)計(jì)方面開始展露頭角。同時，隨著各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品向外觀更輕薄短小的演進(jìn)，也帶給了2.5D3D TSV封裝技術(shù)更多的市場機(jī)會。于大全在會上強(qiáng)調(diào)，TSV已經(jīng)到了爆發(fā)的時代。

他認(rèn)為，TSV深孔的填充技術(shù)是3D集成的關(guān)鍵技術(shù)，TSV填充效果直接關(guān)系到集成技術(shù)的可靠性和良率等問題，而高的可靠性和良率對于3D TSV 堆疊集成實(shí)用化是至關(guān)重要的，具有TSV的快閃存儲器晶圓疊層可能會得到快速發(fā)展，在本次年會中，華創(chuàng)與長電都對此進(jìn)行了分析。

長電認(rèn)為，BiCS技術(shù)3D NAND將促進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)的延展，而華創(chuàng)就3D NAND外圍電路在深亞微米刻蝕設(shè)備上推出了自家方案，其硅刻蝕機(jī)已突破14nm技術(shù)。

晶圓探針卡的重要性

除3D NAND之外，存儲芯片另一大塊的增長在于DRAM方面。但是，伴隨著摩爾定律的演進(jìn)，存儲芯片要在這場游戲中不被淘汰出局，廠商必須使生產(chǎn)成本降低的速度趕上價格下滑的速度。DRAM芯片廠商應(yīng)當(dāng)能夠每年將生產(chǎn)成本降低30%，才能維持適當(dāng)?shù)睦麧櫬?。要降低DRAM芯片成本，檢測技術(shù)也是降低芯片成本中不可缺少的一部分，而提及此，就不得忽視晶圓探針卡的重要性。

晶圓探針卡是一種半導(dǎo)體在制造晶圓階段不可或缺的重要測試分析接口，通過連接測試機(jī)和芯片，通過傳輸信號，對芯片參數(shù)進(jìn)行測試。

在本屆大會中，全球半導(dǎo)體探針卡供應(yīng)商排名第一名的Form Factor為我們分享了存儲器晶圓測試的一站式解決方案，由量產(chǎn)測試對于高并行度高產(chǎn)出的強(qiáng)烈需求，公司產(chǎn)品可對12吋晶圓進(jìn)行一次接觸即可完成檢測，大大縮短了芯片的檢測成本。不僅如此，F(xiàn)orm Factor還對其測試機(jī)進(jìn)行了有效的延伸和再利用——ATRE利用現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)更高并行度規(guī)模量產(chǎn)。