制造商已經(jīng)為高壓直流 （HVDC） 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 17:32:25
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漆服務(wù)。三防漆可防止電子元器件遭受污染物、灰塵和冷凝液等的腐蝕，從而提高系統(tǒng)可靠性。Power Integrations的門極驅(qū)動(dòng)器出廠涂覆三防漆，生產(chǎn)廠商無需將板子發(fā)送至分包商進(jìn)行清洗噴漆，可縮減庫(kù)存成本、縮短交付周期和降低總體擁有成本。
2018-05-02 14:18:275870 Power Integrations門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技術(shù)開啟了減小尺寸和重量的大門，并且還可以降低電源系統(tǒng)的損耗
2019-02-27 12:46:524934 Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級(jí)SID1181KQSCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動(dòng)器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:003701 ：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運(yùn)輸應(yīng)用的格局。這款新半導(dǎo)體器件將給諸多應(yīng)用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機(jī)車以及商用、
2024-01-02 16:25:231535 
這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用，從而簡(jiǎn)化并加快系統(tǒng)集成 ? 萬物電氣化推動(dòng)了碳化硅 （SiC）技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車等中高
2024-03-01 16:57:541247 系統(tǒng)。因此，對(duì)3.3kV等級(jí)的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究十分有意義。目前，市場(chǎng)上專業(yè)驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)廠商有相關(guān)配套驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應(yīng)用的模塊產(chǎn)品，很有必要做更深入的細(xì)節(jié)分析
2018-12-06 10:06:18
33V，適合驅(qū)動(dòng) Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)數(shù)字控制器
2025-04-03 14:23:02
。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇
2012-07-25 09:49:08
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅(qū)動(dòng)器。這款緊湊型新驅(qū)動(dòng)器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時(shí)供貨
2021-09-09 11:00:41
。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對(duì)戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
IGBT門極驅(qū)動(dòng)器能夠在太陽能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用中，為Mitsubishi生產(chǎn)的New Mega Power Dual IGBT模塊提供高效的驅(qū)動(dòng)。該驅(qū)動(dòng)器具有較高的集成度和優(yōu)越的抗EMI性能，便于實(shí)現(xiàn)緊湊且高可靠性的功率變換器設(shè)計(jì)，是一種靈活且即時(shí)可用的解決方案。
2019-04-20 16:13:50
新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整的交流/直流雙向轉(zhuǎn)換器，其中ADSP-CM419F的軟件在
2018-10-22 17:01:41
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，門極驅(qū)動(dòng)器的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。SLM27526EN-DG作為一款雙通道高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器，以其18ns的極速傳輸延遲和4.5A/5.5A的非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)
2025-11-18 08:19:33
SLM27526EN-DG是一款高性能雙通道低邊門極驅(qū)動(dòng)器，專為高效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT以及新興的GaN等功率器件而設(shè)計(jì)。其具備4.5A源極和5.5A灌電流峰值驅(qū)動(dòng)能力，傳播延遲低至18ns
2025-08-20 08:31:00
CMTI）和完備認(rèn)證，SLMi333CG-DG為工程師在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源及新能源逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域，提供了一款高可靠、易設(shè)計(jì)、具備出色持續(xù)運(yùn)行能力的國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)解決方案，是大功率場(chǎng)景下的可靠伙伴。#SLMi333 #隔離驅(qū)動(dòng)器 #門極驅(qū)動(dòng) #單通道帶保護(hù) #FOD8333
2025-08-13 08:31:37
可靠性苛求的場(chǎng)景。
#SLMi823x #隔離驅(qū)動(dòng)器 #SLMi8233BDCG #SiC驅(qū)動(dòng) #門極驅(qū)動(dòng)
2025-06-28 08:45:31
SiLM27519AD-7G 單通道低邊門極驅(qū)動(dòng)器。這款器件在緊湊的SOT23-5封裝內(nèi)，集成了出色的驅(qū)動(dòng)性能與獨(dú)特的設(shè)計(jì)靈活性，是高效驅(qū)動(dòng)MOSFET/IGBT的理想選擇，尤其適合空間受限且需要
2025-07-26 09:13:52
驅(qū)動(dòng)性能、安全隔離和設(shè)計(jì)靈活性之間取得了很好平衡的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。它特別適合那些對(duì)開關(guān)速度、系統(tǒng)可靠性有較高要求，并且可能需要靈活調(diào)整開關(guān)動(dòng)態(tài)的應(yīng)用場(chǎng)合。
#SiLM5350 #隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 #隔離驅(qū)動(dòng) #門極驅(qū)動(dòng)
2025-11-15 10:00:15
, 18ns匹配)、高等級(jí)隔離(5kVRMS) 和 100kV/μs CMTI，成為優(yōu)化半橋驅(qū)動(dòng)、提升系統(tǒng)效率和可靠性的利器。無論是傳統(tǒng)硅基器件還是新興的SiC/GaN應(yīng)用，在服務(wù)器電源、光伏逆變器、電動(dòng)汽車
2025-07-14 09:34:01
功率管在橋式拓?fù)渲幸蛎桌针娙菪?yīng)導(dǎo)致的誤導(dǎo)通，提升系統(tǒng)可靠性，尤其在半橋應(yīng)用中至關(guān)重要。
寬電壓與保護(hù)：
輸出側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源電壓 (VDDA/B) 范圍寬達(dá) 最高30V，適應(yīng)多種功率器件需求。
輸入側(cè)
2025-08-11 08:46:08
各位朋友，今天帶大家了解一款在高效電源和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域頗具競(jìng)爭(zhēng)力的隔離驅(qū)動(dòng)方案——SiLM8260A 系列雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。這款芯片專為驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 設(shè)計(jì)，尤其適合需要
2025-07-18 09:04:23
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
700VDC以上。另一方面，由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在，在功率器件開關(guān)時(shí)會(huì)在模塊主端子上產(chǎn)生尖峰電壓，因此在傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對(duì)反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過如下方式評(píng)估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖
2012-06-19 11:36:58
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
℃，最大結(jié)溫提高至150℃，電流輸出能力可提高50%以上。本文還對(duì)宇宙射線以及功率循環(huán)試驗(yàn)進(jìn)行了研究。關(guān)鍵詞:具備更強(qiáng)機(jī)械性能高功率IGBT模塊3.3kV IGBT3芯片技術(shù)[中圖分類號(hào)] ？？[文獻(xiàn)
2018-12-03 13:51:29
描述PMP10654 參考設(shè)計(jì)是適用于單個(gè) IGBT 驅(qū)動(dòng)器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個(gè)電壓軌適合向電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車和工業(yè)應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-12-21 15:06:17
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)（驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
達(dá) 600 Vac 的低壓驅(qū)動(dòng)器適用于額定電流高達(dá) 1000 A 且 Qg 高達(dá) 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性（+15 V 和 -8 V）閘極驅(qū)動(dòng)器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能
2018-09-04 09:20:51
、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過表面貼裝將控制電路、門極驅(qū)動(dòng)、電流和溫度傳感器以及保護(hù)電路集成在一個(gè)薄絕緣層上。IPEM 實(shí)現(xiàn)了電力電子技術(shù)的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲
2019-03-03 07:00:00
的10.2kVAC隔離功能。驅(qū)動(dòng)器內(nèi)核的主要功能是實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)傳輸、集電極-發(fā)射極飽和電壓短路保護(hù)和故障輸出。有源適配器電路板負(fù)責(zé)提供驅(qū)動(dòng)門極所需要的峰值電流。 圖11 3.3kV驅(qū)動(dòng)級(jí)的功能圖6 IPOSIM仿真
2018-12-06 10:05:40
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
描述該適用于汽車輔助電路的電源參考設(shè)計(jì)可以通過 40V 至 1kV 的寬輸入范圍和高達(dá) 1.2kV 的瞬態(tài)電壓生成 15V、4A 輸出。該設(shè)計(jì)非常適合 800V 電池驅(qū)動(dòng)的混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV
2018-10-15 14:56:46
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
輸出不能和IGBT柵極直接相連時(shí)，應(yīng)使用雙絞線連接(2轉(zhuǎn)/cm); e.柵極保護(hù)，箝位元件要盡量靠近柵射極。 1.7隔離問題 由于功率IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合，所以驅(qū)動(dòng)電路必須與整個(gè)
2016-11-28 23:45:03
輸出不能和IGBT柵極直接相連時(shí)，應(yīng)使用雙絞線連接(2轉(zhuǎn)/cm); e.柵極保護(hù)，箝位元件要盡量靠近柵射極。 1.7隔離問題 由于功率IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合，所以驅(qū)動(dòng)電路必須與整個(gè)
2016-10-15 22:47:06
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
NCV57001FDWR2G是一款具有簡(jiǎn)化的軟的?轉(zhuǎn)動(dòng)?關(guān)閉時(shí)間適合驅(qū)動(dòng)大型IGBT或電源模塊。是一個(gè)高性能的傳感器?電流型單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電流隔離，設(shè)計(jì)用于高系統(tǒng)效率和高功率應(yīng)用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
主要特點(diǎn)?單通道隔離IGBT驅(qū)動(dòng)程序?600 V/1200 V IGBTs?鐵路到鐵路輸出的典型峰值電流高達(dá)6?積極米勒夾產(chǎn)品亮點(diǎn)?電隔離無芯變壓器驅(qū)動(dòng)器·輸入電壓工作范圍寬?適合在高環(huán)境溫度下操
2018-08-02 09:39:35
和SCALE-2芯片集的IGBT門極驅(qū)動(dòng): CONCEPT高壓IGBT門極驅(qū)動(dòng)- 3,3kV 和4,5kV- 6,5kV: 如何為你的IGBT模塊選擇合適的CONCEPT IGBT 門極驅(qū)動(dòng)-選擇合適的門極電阻
2018-12-14 09:45:02
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))。 2、請(qǐng)問：如何避免米勒效應(yīng)?謝謝! IGBT操作時(shí)所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到 15 V類型的門極驅(qū)動(dòng)器(單電源
2018-11-05 15:38:56
作為一個(gè)新型電力電子器件，集成門極換向晶閘管(IGCT)在大功率高壓變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一個(gè) 4.5kV/4.0kA IGCT 功率相單元測(cè)試平臺(tái)工作原理和實(shí)驗(yàn)方案，并且在不
2009-04-08 15:42:54
13 分析IGBT的門極驅(qū)動(dòng)鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機(jī)中的應(yīng)用日益普、及，針對(duì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)，分析了它對(duì)于驅(qū)動(dòng)波形，功率，布線，隔離等方面的要求，并介紹了一種
2010-03-14 19:08:3450 此參考設(shè)計(jì)是一個(gè)用于 IGBT/SiC 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的 4.2W、單通道、汽車 12V 電池輸入反激式偏置電源。該電源可接受 4.5V 至 65V 直流的寬輸入范圍。輸出可在負(fù)載高達(dá) 180mA
2010-04-12 16:23:1223 針對(duì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)分析了驅(qū)動(dòng)波形、功率、布線和隔離等方面的要求，
并介紹一些典型電路
2010-08-31 16:32:30130 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111816 通過隔離門極驅(qū)動(dòng)器抑制 dVdt 噪聲，消除混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器的噪聲
2016-01-06 16:58:320 帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:223 雙路智能大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器
2017-03-04 17:50:193 2SP0430T2XX門極驅(qū)動(dòng)器為1200 V和1700 V PrimePACK 3+ IGBT模塊提供了兩種不同的版本，可分別支持絕緣等級(jí)為5000 VAC （50 Hz/1min）和9150 VAC （50 Hz/1min）的系統(tǒng)。
2018-12-24 17:00:338376 關(guān)鍵詞：門極驅(qū)動(dòng) , 2SP0430T2 適合可再生能源、牽引、UPS和其他眾多工業(yè)應(yīng)用 Power Integrations推出全新即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品可與英飛凌的PrimePACK 3+
2018-12-24 22:54:01698 日開始的德國(guó)紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。
2019-05-14 11:44:535134 耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個(gè)中央絕緣主控制(IMC)和一到四個(gè)模塊適配型門極驅(qū)動(dòng)器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:325690 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)可輕松實(shí)現(xiàn)業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯(lián)。
2019-08-01 16:06:133142 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級(jí)SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅(qū)動(dòng)器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動(dòng)器IC之后，新器件擴(kuò)展了公司的汽車級(jí)驅(qū)動(dòng)器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:003482 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
2020-03-05 14:27:584612 “ 適合4500V模塊的靈活、強(qiáng)大且可靠的IGBT門極驅(qū)動(dòng)器中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出1SP0351
2020-03-08 10:27:072675 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布，其適合碳化硅（SiC） MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動(dòng)器SIC118xKQ SCALE-iDriver
2020-03-18 16:56:534084 PI的SIC1182K和汽車級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
2020-08-13 15:31:283279 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊
2021-09-22 16:09:464804 安森美半導(dǎo)體提供用于各種應(yīng)用和市場(chǎng)的門極驅(qū)動(dòng)器，并提供多種選項(xiàng)以精確滿足系統(tǒng)需求。我們的產(chǎn)品有用于工業(yè)、高性能計(jì)算和電信環(huán)境的性能、可靠性和能效。安森美半導(dǎo)體以全面的電源開關(guān)和相應(yīng)的門極驅(qū)動(dòng)器陣容，提供完整的系統(tǒng)方案以滿足任何設(shè)計(jì)需求。
2022-05-07 17:34:093758 
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:485123 Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-11 15:43:082678 )模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動(dòng)板。
2022-05-17 11:56:294930 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11847 在對(duì)功率模塊選型的時(shí)候要根據(jù)功率模塊的參數(shù)匹配合適的驅(qū)動(dòng)器。這就要求在特定的條件下了解門級(jí)驅(qū)動(dòng)性能和參數(shù)的計(jì)算方法。 本文將以實(shí)際產(chǎn)品中用到的參數(shù)進(jìn)行計(jì)算說明，并且對(duì)比實(shí)際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3918 的SCALE-iFlex LT NTC門極驅(qū)動(dòng)器，另一款是適用與190mmX140mm IGBT的數(shù)字型驅(qū)動(dòng)器1SP0635V2A0D。 PI系統(tǒng)工程師經(jīng)理王皓指出，從全球能源供應(yīng)形式看，轉(zhuǎn)向新能源是大勢(shì)所趨
2023-06-02 16:12:062678 
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:581556 
未來對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311819 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)
2023-12-14 11:37:101162 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:041174 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
Microchip近日宣布推出一款創(chuàng)新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng)器采用了Augmented Switching?專利技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:321498 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:431511 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlex XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，適配單個(gè)
2024-05-22 10:03:59996 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Power Integrations公司宣布推出全新的SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器。這一系列產(chǎn)品專注于中高壓逆變器應(yīng)用，能夠滿足市場(chǎng)對(duì)于高性能門極驅(qū)動(dòng)器的日益增長(zhǎng)的需求。
2024-05-27 10:18:291077 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用1.7 kV SiC MOSFET為工業(yè)和太陽能應(yīng)用提供輔助電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:55:280 引領(lǐng)高電壓驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元——10P0635Vxx IGBT門極驅(qū)動(dòng)器賦能高效電力系統(tǒng) 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅
2025-05-06 09:52:27601 
UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628 
電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動(dòng) IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅(qū)動(dòng)器相比，F(xiàn)ET 帶來了顯著的性能和可靠性升級(jí)，同時(shí)在原理圖和布局設(shè)計(jì)中保持了引腳對(duì)引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793 
高性能隔離型門極驅(qū)動(dòng)器 BTD5350x：開啟高效功率控制新維度 在新能源與電力電子領(lǐng)域快速發(fā)展的今天，功率器件的高效驅(qū)動(dòng)與可靠隔離成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。基本半導(dǎo)體推出的BTD5350x 單通道
2025-06-10 09:00:57628 
輸出灌電流和1.5kV DC功能性隔離。上至30V的大電源電壓范圍支持使用雙極電源來有效驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET。UCC23113可驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)功率FET。
2025-08-03 17:04:13704 
該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57495 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，被廣泛應(yīng)用于各種高功率場(chǎng)景。而IGBT門極驅(qū)動(dòng)器的性能，直接影響著IGBT的開關(guān)特性和系統(tǒng)的整體性能。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的NCx5710y系列高電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:24:47453 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、電機(jī)控制和不間斷電源等大功率應(yīng)用中。而IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下ON Semiconductor推出的NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C這三款高性能IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-02 15:16:57415 
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