根據Omdia的一項新研究,在電動汽車和光伏應用需求的推動下,預計到2020年底,SiC MOSFET的全球市場規模將達到3.2億美元。憑借更高的擊穿電壓、更好的熱性能和更低的開關損耗,SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT,并已成為制造更小更輕的逆變器的熱門選擇。
PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQSCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。
SCALE-2門極驅動核和其他SCALE-iDriver門極驅動器IC還支持不同SiC架構中的不同電壓,允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設計。
為何使用SCALE門極驅動器來驅動SiC MOSFET?
可以通過外部VEE電路來調整門極電壓
≤2μs的超快速短路關斷
大輸出電流及絕緣能力
帶dv/dt反饋的動態高級有源鉗位
開關頻率可高達500 kHz
深入了解:
訪問驅動SiC MOSFET功率開關技術頁面
下載應用指南AN-1601 - 使用SCALE門極驅動器控制SiC MOSFET功率開關
-
驅動器
+關注
關注
54文章
9067瀏覽量
155073 -
SCALE
+關注
關注
3文章
15瀏覽量
14446 -
SiC
+關注
關注
32文章
3692瀏覽量
69194
原文標題:使用SCALE門極驅動器驅動SiC MOSFET
文章出處:【微信號:Power_Integrations,微信公眾號:PI電源芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
探索MAX626雙功率MOSFET驅動器
深度剖析UCC21750:用于SiC/IGBT的高性能單通道柵極驅動器
UCC5871-Q1:汽車應用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅動器
UCC5880-Q1:汽車應用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅動器
探索UCC5881-Q1:汽車應用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅動器
UCC5880-Q1:汽車應用中高性能IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器
SiLM27213EK-DG專用MOSFET門極驅動器,高頻高效率開關電源解決方案
SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋門極驅動器
德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器技術解析
密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc
高可靠隔離驅動方案:BTD25350x 雙通道隔離型門極驅動器在電源領域的創新應用
引領高電壓驅動新紀元——10P0635Vxx IGBT門極驅動器賦能高效電力系統
為何使用SCALE門極驅動器來驅動SiC MOSFET?
評論