宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。 全球行業領先供應商
2022-05-17 17:51:11
4007 
英飛凌科技推出用于商業航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:461633 RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化鎵 （GaN） 寬頻功率晶體管 （BPT） 經過優化，適用于軍事通信、商用無線基礎設施和普通應用。由于采用了為滿足高峰均比應用而優化的先進的 65V 高
2012-11-13 14:00:232219 TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產品。
2012-12-18 09:13:261621 TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 （GaN） HEMT 射頻功率晶體管產品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同
2012-12-19 10:19:091538 氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關性能要優于硅MOSFET，因為在同等導通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導致的反向恢復損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實現更高的開關頻率，從而在保持合理開關損耗的同時，提升功率密度和瞬態性能。
2023-04-14 09:22:301963 
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應晶體管
2020-11-13 08:01:002013 GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:443429 電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
$0.1/KWh，僅將新的宏基站替換使用氮化鎵技術，一年節省的電費可超過$100M。MACOM公司的MAGb功率晶體管系列在真實的基站工作溫度200°C的環境下MTTF超過106小時，由此可見該器件在
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。憑借高達 300W 的功率輸出能力和堅固的塑料封裝，第四代氮化鎵功率晶體管無疑已成為具有高成本效益的可信賴解決方案。——————市場的指數級增長——————在短期內，無線基站市場將繼續推動氮化鎵市場
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
和擴展到4G LTE基站以及大規模MIMO 5G天線領域，其中天線配置的絕對密度對功率和熱性能具有極高的價值，特別是在較高頻率下。經過適當開發，硅基氮化鎵的功率效率優勢將對無線網絡運營商的基站運營費用
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65歲PAE（％） 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2840S產品名稱：射頻晶體管DU2840S產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構?DU2840S產品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2880V產品名稱：射頻晶體管DU2880V產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構
2018-08-08 11:48:47
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調
2018-11-05 09:51:35
NPT2020射頻晶體管產品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
和醫療應用。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN-on-Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1004產品特性頻率范圍：30 - 1200 MHz輸出功率（p3db）：40 W在1 GHz線性增益：20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號：TGF2040產品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應用。產品型號：TGF2160產品名稱：砷化鎵晶體管TGF2160產品特性頻率范圍：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號: TGF2977-SM產品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的肖特基勢壘高度為0.7eV，略高于0.62eV。 我們的工作著重強調了透明氮化鎵晶體管的潛力。為了促進其發展，我們還將進一步優化透明歐姆接觸和降低接觸電阻。這可能會引導誕生出具有優良射頻或功率性能
2020-11-27 16:30:52
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
氮化鎵技術是功率級的真正推動者，如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當柵極驅動器與晶體管具有相同程度的性能和創新時，才能獲得GaN的最大性能和優勢。經過多年的研發，MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵器件于2010年3月開始進行商業化生產，激光雷達是第一種應用能夠發揮氮化鎵晶體管的高速開關和小尺寸優勢，以實現最高性能，成為“殺手級應用”。緊隨其后，是用于高密度計算的48 V DC/DC轉換器
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量）和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料，也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。 增強型氮化鎵(e
2012-06-06 13:56:31
0 半導體技術產品的領先供應商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應用于負載點（POL）轉換器、激光雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅動器。
2017-12-29 10:40:007190 氮化鎵（GaN）場效應晶體管具備高速的開關速度優勢，需要使用良好的測量技術及能夠描述高速波形細節的良好技巧來進行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量技術，利用測量設備來準確地評估高性能的氮化鎵晶體管。此外，本文評估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時的情況。
2018-06-08 16:43:004123 
關鍵詞：硅基氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅
2019-02-17 12:32:01659 用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統性能和運營成本產生深遠的影響。
2020-02-12 13:25:4410705 
什么是氮化鎵晶體管？它有什么作用？硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業的發展變化，在這個行業中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社區的主要需求。電力電子工業已經達到硅MOSFET的理論極限
2020-05-24 11:30:059114 基于MasterGaN?平臺的創新優勢，意法半導體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產品，是一個適用于軟開關有源鉗位反激拓撲的GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 電源轉換器的設計人員正在尋找提高效率同時增加系統功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方案正變得越來越流行，但與其硅對應物一樣，單個
2022-08-04 09:35:482219 
氮化鎵晶體管和碳化硅 MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管
2022-11-02 16:13:065427 與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。
2023-02-03 14:34:204023 
與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。
2023-02-03 14:35:402638 
作為第三代半導體的天之驕子，氮化鎵晶體管日益引起工業界的重視，且被更大規模應用
2023-02-07 17:13:06970 氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V，非常高電流電源應用中的統治地位。
2023-02-08 09:52:021307 
一個器件的成本效益，從生產基礎設施開始計算。宜普公司的工藝技術，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/Al），隔離了器件結構和基底。這個隔離層能隔離300V電壓。在這隔離層上是一層厚厚的氮化鎵，晶體管就建立于這個基礎上。
2023-02-08 09:57:302835 
法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:071360 氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵
2023-02-09 16:59:577653 
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V，非常高電流電源應用中的統治地位。
2023-02-12 17:09:491031 氮化鎵（氮化鎵）是一種半導體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統。與硅基解決方案相比，GaN晶體管和集成電路提供了高的電子遷移率
2023-02-13 16:28:176710 氮化鎵晶體管型號參數主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
2023-02-14 16:24:032808 氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:014179 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
2023-02-19 14:32:393119 了氮化鎵呢？? 下圖是充電器的主要電子元器件。 ? 其實充電電子元器件里面，是晶體管里面添加了氮化鎵，而其他元器件均是常規電子件。 這里的晶體管是指MOSFET半導體場效益晶體管。 而氮化鎵晶體管與普
2023-02-21 15:04:246 摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中，二維
2023-05-25 16:11:292306 
2SD2686是一款高性能的功率晶體管，適用于多種應用場景。
2023-06-19 14:36:361023 
引言：氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料的代表之一,因其優越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導率等優點吸引了越來越多的關注,也正是因為這些優點,垂直氮化鎵功率晶體管在未來的電力
2023-02-13 10:42:542995 
如今，開發電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續發展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發現，氮化鎵（GaN）是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換
2023-08-03 14:43:28694 如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-13 16:06:07880 Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:001508 
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發有效的散熱方法。
2023-12-22 10:47:002012 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416132 應用領域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導通電阻、高開關速度和優秀的熱特性。它適用于電源轉換器、鋰電池充電器和無線充電應用等領域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:154274 氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。
2024-07-05 09:20:011586 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長出對角線長度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311104 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系列
2025-11-03 18:18:052815 
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