我們對功率半導體最基本的要求是性能、可靠性、管控性及成本效益。它的高頻率性能，可切合穩壓器系統于體積及瞬態響應方面的需要而具更高價值，并為 D類功率放大器提供高保真度。一個新器件結構如果不高效、不可靠的話，根本不可能商品化。市場上有很多新結構及原料可選擇，但是接受度有限。不過，現在有氮化鎵（Gallium Nitride/GaN）增強型功率管控器件問世，具有高導電性、極快開關、硅器件之成本結構及基本操作模式等優異性能，其代表就是宜普公司的新產品。

器件構造

一個器件的成本效益，從生產基礎設施開始計算。宜普公司的工藝技術，基于不昂貴的硅晶園片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/Al），隔離了器件結構和基底。這個隔離層能隔離300V電壓。在這隔離層上是一層厚厚的氮化鎵，晶體管就建立于這個基礎上。其中，電子由氮化鎵鋁層（AlGaN）產生，其會產生引力場，吸引大量的自由浮動電子，而進一步的工藝會在柵極下面形成一個耗盡區域。要增強晶體管，正電壓加在柵極處，正如開啟一個N通道、增強型之功率MOSFET。

圖1顯示了這個器件結構的剖面圖。該器件的表現跟硅功率MOSFET相似，當然也有不同之處，我們將再作闡釋。

圖1 EPC之氮化鎵功率晶體管結構剖面圖

操作

宜普氮化鎵晶體管的表現跟硅功率MOSFET非常相似。在柵極上，相對于源極，一個正偏壓會產生吸引電子的場效應，構成基極與源極之間的通道。由于電子被集中在一起，不會零散地困于某一格位置，這個通道的電阻因而很低。從柵極移去偏壓，下面的電子會分散至氮化鎵層，重新產生耗盡區域，從而阻隔電壓。

要制成一個高壓器件，需增加漏極與柵極之間的距離。由于氮化鎵的電子被集中在一起時的電阻非常低，所以縱使增加阻隔電壓之能力，若與硅器件相比，其對電阻的影響會更少。圖2顯示了理論上的氮化鎵及硅器件于不同電壓下的性能極限，及宜普第一代器件的效能。

各位電子工程界朋友均知道硅制MOSFET已開發了三十年，其表現已接近理論上的極限，若希望其表現再進一小步，將需要龐大資源去開發。相對來說，氮化鎵器件處于產品發展周期的起步階段，在數年內將可預見其重大進展。

圖2 氮化鎵及硅器件于不同電壓下的性能

柵極臨界

氮化鎵晶體管的臨界比硅功率MOSFET低，這樣是有可能的，因為臨界不會隨溫度變化及具備很低的柵漏極間電容（CGD）。

圖3顯示了宜普1001（100V，5.6mΩ）的晶體管傳輸特征曲線。當器件在1.6V電壓時開始傳導大量電流，于dv/dt轉變時，柵極到源極之間為低電阻。

圖3 傳輸特征曲線圖

電阻

阻抗（RDS（on））及柵源電壓（VGS）曲線圖是跟MOSFET相似的。宜普第一代氮化鎵晶體管專為5V驅動器操作而設。

圖 4顯示了宜普1001的一系列曲線圖。當柵極電壓越接近最高水平，漏極對源極的電阻則會持續下降。由于柵極驅動器損耗極少，所以氮化鎵晶體管應以5V電壓驅動。氮化鎵晶體管之電阻RDS（on） 溫度系數為正數，但幅度比硅MOSFET小很多，例如，在125℃時，宜普1001系數為25℃時的1.45倍，而硅功率MOSFET則是1.7倍。這個優勢會隨著電壓增加而增強。

圖4 不同電流下RDS（on）與VGS的比較

電容

氮化鎵晶體管的橫向結構使其具極低電荷特性，能夠在數納秒內切換數百伏特，切換頻率可達數兆赫，這個性能可縮小功率轉換器體積，并使Ｄ類功率放大器具更高的保真度。柵漏極間電容（CGD）是最重要的，因為它最能影響切換功率損耗。宜普氮化鎵場效應晶體管因為具極低CGD，致使電壓切換非常迅速。相比CGD，柵源極間電容（CGS）較大，使氮化鎵晶體管擁優異的dV/dt抗擾性能。相比硅MOSFET，柵源極間電容（CGS）較小，延遲時間很短，因此應用于低負載周期時具極佳管控能力。

根據實例證明，一個1～48V降壓穩壓器使用宜普之100V氮化鎵晶體管，可于1MHz切換頻率下表現理想。與硅MOSFET比較，氮化鎵晶體管之CDS也較小，雖然二者之電容曲線相似，但在相同電阻下，最大不同之處是氮化鎵晶體管之電容是極低的。

串聯柵極電阻及柵極漏電流

串聯柵極電阻（RG）限制了FET的電容充電或放電速度。硅MOSFET只能用多晶硅或混合材料類的金屬硅化物；氮化鎵晶體管則用金屬柵極，柵極的電阻很低，只是1/20Ω，具dV/dt抗擾能力，并且不會以氧化增生來隔離柵極。相比硅MOSFET，氮化鎵晶體管柵極漏電流較大，預計在1mA。

優異指標

總柵極電荷（QG）是CGS加CGD除以電壓。常用的指標FOM是RDS（on）乘以QG，顯示了器件在開啟狀態及切換時的表現。圖5展示了氮化鎵晶體管與最優異硅MOSFET 100V器件之FOM比較。當電壓增加，其RxQ FOM更具優勢。

圖5 氮化鎵晶體管與最優異100V硅MOSFET器件之FOM比較

基板二極管

從圖1可見，宜普氮化鎵晶體管結構是一個橫向器件，沒有硅MOSFET常見的寄生二極接面。嚴格來說，其反向偏壓與二極管具相似功能但機理不同。如果柵源電壓是零偏壓，柵極下方就沒有電子。當電流從源極至漏極，漏極電壓會減弱。相比飄移區域，柵極上正偏壓形成后會把電子注入柵極下面。在柵極臨界時，將有足夠電子形成一個傳導通道，其好處是在傳導中沒有少數載流子，所以沒有反向恢復損耗。當QRR是0時，輸出電容COSS需要在每次開關周期內充電或放電。相比硅MOSFET，若器件的RDS（on）相仿，則氮化鎵晶體管具更低的COSS。氮化鎵晶體管在反向時需臨界電壓去開啟，二極管之正向電壓會比硅晶體管為高，所以必需把二極管導電減至最小。

封裝

宜普氮化鎵晶體管與底層絕緣，可以在單晶圓上制造多個不同配置，快速散熱及不需絕緣接口之晶體管。它可以在晶圓片的一邊湊集漏極及源極電流。若果要湊集電流的金屬層具低電阻，這些通道必需短小。要做到這樣，可利用芯片線柵門數組封裝，把漏極及源極線交替排列。標準的線距是0.4mm及 0.6mm。圖6展示了宜普1010晶體管封裝（200V，25mΩ）。如果任何部份之沿面放電距離不能達到安全要求，可用underfill方法來達到其所需安全距離。

圖6 宜普1010晶體管

應用及價值

宜普設計的增強型氮化鎵晶體管，具有高效、高頻、低負載周期功率轉換的優勢。其可于頻率高于AM band時，透過高效開關，大幅提升D類功效音頻放大器技術。因沒有線性放大器之體積及重量的所有限制，保真度可接近A類及AB類放大器系統水平，并可把高質素放大器放進只有細小器件空間的產品里，如平面電視、電腦及揚聲器。

于處理信息及儲存系統方面，整個功率架構可重新評估，以發揮其優異的開關性能。當AC/DC轉換器輸出電壓增加，效率會更高；當總線電壓增加，傳輸效率會提高；當頻率增加，體積會更小。如果應用為同步整流器，可同時提高AC /DC轉換效率。如果只是一次轉換，可撤用中間階段轉換器，省卻中間階段轉換器之體積及成本。

審核編輯 ：李倩