RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化鎵 （GaN） 寬頻功率晶體管 （BPT） 經過優化，適用于軍事通信、商用無線基礎設施和普通應用。由于采用了為滿足高峰均比應用而優化的先進的 65V 高功率密度氮化鎵 （GaN） 半導體工藝，這些高性能放大器可在單個放大器設計和寬頻率范圍內提供高效率和平坦增益、從而實現了高功率。每個放大器都采用了氣腔陶瓷方式封裝的輸入匹配氮化鎵 （GaN ） 晶體管，可提供卓越的熱穩定性。它通過整合封裝外部的簡單、優化的匹配網絡，簡化了集成流程，且可在單個放大器內為線性校正電路提供寬頻增益和高效性能。

　　產品特色

　　峰值功率： 125W （RFHA1042）， 150W （RFHA1043）

　　單電路頻率： 225MHz 至 450MHz （RFHA1042），1.2GHz 至 1.85GHz （RFHA1043）

　　48V 調制性能：

　　o 輸出功率： 45.2dBm

　　o 增益： 18.5dB （RFHA1042）， 15.5dB （RFHA1043）

　　o 漏極效率： 42% （RFHA1042）， 30% （RFHA1043）

　　o ACP： -26dBc （RFHA1042）， -30dBc （RFHA1043）

　　48V CW 寬頻性能

　　o 輸出功率： 51.4dBm （RFHA1042）， 52dBm （RFHA1043）

　　o 增益： 16dB （RFHA1042）， 13.5dB （RFHA1043）

　　o 漏極效率： 60% （RFHA1042）， 51% （RFHA1043）

　　針對視頻帶寬進行了優化且盡可能減小了對存儲的影響

　　可提供大信號模型

　　這些產品目前已開始批量生產。