本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些技術的現狀,重點闡述了各技術平臺的首選功率變換拓撲及關鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
1769 
美高森美公司(Microsemi )宣布擴大RF功率產品線,推出DRF1400功率MOSFET。該產品非常適合在廣泛的工業、科學和醫療 (industrial、scientific and medical,ISM) 應用的RF產生器中使用,包括
2012-06-05 09:31:44
1087 美高森美公司(Microsemi)宣佈推出第一款用于高功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二級監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)電晶體的產品1011GN-700ELM。
2012-09-11 09:45:42
1244 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF晶體管
2018-03-21 16:37:10
13116 
埃賦隆半導體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:22
2012 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:11
4444 
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
6228 作者: 德州儀器設計工程師謝涌;設計與系統經理Paul Brohlin導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
制造工藝,RF3932D高性能放大器在單一放大器設計中實現在寬頻率范圍內的高效化和平整增益值。RF3932D是款前所未有的GaN晶體管,選用法蘭盤陶瓷封裝,根據使用最先進的散熱器和功耗技術提供優異的耐熱
2025-01-22 09:03:00
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業以及醫療系統應用推動固態功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發展。對飛思卡爾半導體公司而言,為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業以及醫療系統應用推動固態功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發展。對飛思卡爾半導體公司而言,為這些
2019-07-09 08:17:05
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展,性能有望進一步提升。從下一篇開始,將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點,但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。< 相關產品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
IC、電源控制器和高集成度嵌入式處理器, 將能管理復雜的多電平、多級功率回路,從而正確發揮新一代 SiC/GaN 功率轉換器的優勢。——ADI公司再生能源戰略營銷經理Stefano
2018-10-30 11:48:08
電路的設計帶來了許多新問題。本文以高功率晶體管MRF154放大器設計為例,對匹配電路中片狀電容器進行分析,給出它的等效電路及放大器的實驗結果。
2019-07-04 07:15:45
更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與Si和GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。15 W典型PSAT28 V操作高擊穿電壓高溫運行高達8 GHz的運行
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
事通訊設備產品規格描述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz):0最高頻率(MHz):2000最高值輸出功率(W):200增益值(分貝):24.0效率(%):70額定電壓(V):27類型:封裝分立晶體管封裝類別:法蘭盤、丸狀技術應用:GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱性。與Si和GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。65%的典型功率附加效率40 W典型PSAT50 V操作高擊穿電壓
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內匹配(IM)場效應晶體管與其他技術相比,提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
輸出晶體管大小,以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優勢,因為我們能夠大幅簡化輸出合成器、減少損耗,因而可以提高效率,減小芯片尺寸,如圖2所示。因此,我們能夠實現更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉向
2018-10-17 10:35:37
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下,所有設備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時,此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管,該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時,該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
材料生長和加工技術的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個機場部署先進的空中交通管制雷達系統。從那時起,我們每年都有這種經驗,而今天,Integra為雷達應用提供廣泛的高功率晶體管產品組合
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80%的效率,并利用GaN-on-SiC,Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件,從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年,是一家通過ISO 9001:2008認證的射頻功率晶體管,托盤和高功率放大器(HPA)認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS
2019-05-20 09:16:24
和雙極技術。產品型號:IGN2856S40產品名稱:晶體管IGN2856S40產品特性SiC HEMT技術中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預匹配內阻抗100%高功率射頻測試負柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管,指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小40W的峰值脈沖功率,50V和3%的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
9001:2008認證的射頻功率晶體管,托盤和高功率放大器(HPA)認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS和雙極技術。相關
2018-11-12 10:26:20
。MACOM的高功率連續波和線性晶體管完美匹配民用航空、通訊、網絡、長脈沖雷達、工業、科研、以及醫療領域。我們的產品線借助于MACOM六十多年的技術傳承,運用硅基氮化鎵(GaN on Si)技術,提供標準
2017-08-14 14:41:32
功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。美高森美的SP6LI產品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一,具有五種標準模塊,在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下,提供從
2018-10-23 16:22:24
和醫療應用。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統,即使用GaN-on-Si技術提供標準和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
的功率MOSFET,從而形成垂直的PNP雙極結型晶體管。該附加的p+區域產生PNP雙極結型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-05-21 15:49:50
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-07-06 09:46:43
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-07-06 09:47:57
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療
2018-07-13 14:16:37
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療
2018-11-12 11:02:34
的離散GaN-on-SiC HEMT運行30至1200 MHz的50 V供電軌。集成輸入匹配網絡使寬帶增益和功率性能,而輸出可以在板上匹配,以優化功率和效率的任何區域內的樂隊。產品型號: QPD1004
2018-07-30 15:25:55
的125 W(P3dB)寬帶無與倫比的分立GaN,工作頻率范圍為DC至3.2 GHz,電源電壓為50V 產品名稱:RF功率晶體管QPD1008L 產品特征頻率范圍:DC- 3.2GHz輸出功率(P3dB
2019-05-13 16:40:46
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W(p3db),50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
電子設備和測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號:T2G6003028-FS產品名稱:射頻功率晶體管T2G6003028-FS產品特性頻率:直流至6千兆赫輸出功率(p3db):30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
的肖特基勢壘高度為0.7eV,略高于0.62eV。 我們的工作著重強調了透明氮化鎵晶體管的潛力。為了促進其發展,我們還將進一步優化透明歐姆接觸和降低接觸電阻。這可能會引導誕生出具有優良射頻或功率性能
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝,晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當前容量根據目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
換向故障損壞。總之,與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
的X-GaN柵極驅動器。X-GaN驅動器IC針對高達2 MHz的高開關頻率進行了優化,并提供了解鎖晶體管全部性能的簡便方法。除了優化的柵極控制端子外,還提供了額外的集成功能 - 例如用于(可選)產生負
2023-02-27 15:53:50
)使用,ASR用于監視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。 在2.7至2.9GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏極效率功能,經過單一器件
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應用中實現更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一種基于 GaN 晶體管的功率轉換器,為
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應用中,寬帶隙(WBG)技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
遷移率低的問題,且能很好地與MOS器件工藝兼容。研究出的SiCBCMOS器件遷移率達到約720cm2/(V·s);SiC雙極晶體管(BJT)在大功率應用時優勢明顯;經研究得到了擊穿電壓為1.677kV。開
2017-06-16 10:37:22
,典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦,增益為16dB,并具備低熱阻特性。 新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統應用提供一系列射頻功率晶體管,額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款無與倫比的高電子遷移率晶體管 (HEMT),工作頻率為 DC 至 6 GHz。它提供超過 15 W
2022-09-07 14:37:30
晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:10
8979 美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術的射頻 RF 晶體管系列,新型的S波段500W RF器件2729GN-500,主要應用在大功率空中交通的機場管制及雷達監視等應用。
2012-11-30 10:10:10
936 美高森美公司 (Microsemi )宣布提供符合美國國防后勤機構(DLA)要求的全新肖特基二極管產品系列,適用于需要高功率密度和優良散熱性能(通常為0.2-0.85 C/W)的航空航天和國防領域
2013-03-20 09:35:50
2124 日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN)晶體管,所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:37
2196 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產品系列專為嚴苛環境工作而設計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
2013-08-19 16:08:18
1200 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術
2016-01-13 11:14:37
2002 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:09
2387 這篇文章的目的是提供一個指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 氮化鎵功率晶體管具有非常高的射頻功率密度,其范圍為柵極外圍的每毫米4至12瓦,取決于工作漏極電壓。即使在SiC襯底上GaN和AlGaN具有高的熱導率,有必要了解通道的溫度上升的DC和射頻設計功率放大器時產生的刺激。
2017-06-27 10:10:07
16 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)推出業內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續波(CW),比目前市場上同類產品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:00
2066 RF3930D是一個48V,10W,GaN on SiC高功率離散放大器模塊,為商業無線基礎設施、蜂窩和WiMAX基礎設施、工業/科學/醫療和通用寬帶放大器應用而設計。使用先進的高功率密度氮化鎵
2018-08-31 11:26:00
4 盡管Qorvo的GaN晶體管效率非常高,但考慮到高RF功率電平意味著即使是高效的PA,晶體管也將具有顯著功耗。由于晶體管是SMT組件,因此需要仔細設計PCB以優化熱性能。已經對兩種方法進行了評估,并報告了兩者的結果。
2018-11-26 14:18:55
2300 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%,為同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06
1280 埃賦隆半導體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%,為同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:17
3333 LDMOS晶圓,我們可以利用我們在功率晶體管設計和封裝方面的專業知識,為特定的高性能應用提供支持。 例如,他說,GHz已經設計了一種針對
2020-02-12 12:17:04
2466 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD750規格書
2021-12-14 16:53:48
1 雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap?GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14
797 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-09-19 09:33:21
3472 針對醫療行業市場對高功率段電源的需求,金升陽進行AC/DC平臺升級,完善高功率段醫療電源產品,推出750W的LOF系列產品。目前為止LOF-20Bxx系列產品功率段已涵蓋120W-750W,為客戶
2022-11-01 17:57:49
1550 **氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體,相比于傳統的硅材料功率半導體,他們都具有許多非常優異的特性:耐壓高,導通電阻小,寄生參數小等。
他們也有各自
2023-02-03 14:34:20
4023 
從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00
1280 
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:24
2250 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和軍用雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2023-05-19 11:50:49
2051 
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,融合了多種材料和工藝,以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:06
3441 GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而,它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:21
2938 GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景,并結合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:20
3069
評論