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電子發燒友網>軍用/航空電子>美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能

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2010-03-05 17:34:108979

森美提供S波段RF功率晶體管系列新品

森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術的射頻 RF 晶體管系列,新型的S波段500W RF器件2729GN-500,主要應用在大功率空中交通的機場管制及雷達監視等應用。
2012-11-30 10:10:10936

森美航空航天和國防應用提供全新肖特基二極產品系列

森美公司 (Microsemi )宣布提供符合美國國防后勤機構(DLA)要求的全新肖特基二極產品系列,適用于需要高功率密度和優良散熱性能(通常0.2-0.85 C/W)的航空航天和國防領域
2013-03-20 09:35:502124

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN晶體管,所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:372196

森美工業應用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產品,備有45A、70A和95A額定電流型款。森美全新NPTIGBT產品系列專為嚴苛環境工作而設計,尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
2013-08-19 16:08:181200

Ampleon現在提供使用成本效益功率晶體管

 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術
2016-01-13 11:14:372002

AmpleonHF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:092387

功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能指南

這篇文章的目的是提供一個指南,功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:1124

GaN HEMT晶體管功率放大器熱優化

氮化鎵功率晶體管具有非常的射頻功率密度,其范圍柵極外圍的每毫米4至12瓦,取決于工作漏極電壓。即使在SiC襯底上GaN和AlGaN具有的熱導率,有必要了解通道的溫度上升的DC和射頻設計功率放大器時產生的刺激。
2017-06-27 10:10:0716

恩智浦半導體推出業內面向915MHz應用的最高功率晶體管

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)推出業內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續波(CW),比目前市場上同類產品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066

RF3930D GaNSiC功率離散放大器的應用詳細資料數據免費下載

RF3930D是一個48V,10WGaN on SiC功率離散放大器模塊,商業無線基礎設施、蜂窩和WiMAX基礎設施、工業/科學/醫療和通用寬帶放大器應用而設計。使用先進的功率密度氮化鎵
2018-08-31 11:26:004

關于寬帶L頻段160W GaN功率放大器的設計與實現詳細剖析

盡管Qorvo的GaN晶體管效率非常,但考慮到RF功率電平意味著即使是高效的PA,晶體管也將具有顯著功耗。由于晶體管是SMT組件,因此需要仔細設計PCB以優化熱性能。已經對兩種方法進行了評估,并報告了兩者的結果。
2018-11-26 14:18:552300

高效率750W射頻功率晶體管可實現更緊湊的功率放大器設計

荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率72.5%,同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280

Ampleon推出750W射頻功率晶體管 可減少定輸出功率所用能量

埃賦隆半導體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率72.5%,同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173333

GHz技術 UltraRF在RF功率晶體管中形成聯盟

LDMOS晶圓,我們可以利用我們在功率晶體管設計和封裝方面的專業知識,特定的高性能應用提供支持。 例如,他說,GHz已經設計了一種針對
2020-02-12 12:17:042466

SPTECH硅NPN功率晶體管2SD750規格書

SPTECH硅NPN功率晶體管2SD750規格書
2021-12-14 16:53:481

UMS毫米波內部匹配GAN功率晶體管

雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap?GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生功率密度和輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14797

功率GaN HEMT的可靠性設計

2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-09-19 09:33:213472

750W功率密度AC/DC醫療級電源——LOF750-20Bxx系列介紹

針對醫療行業市場對功率段電源的需求,金升陽進行AC/DC平臺升級,完善功率段醫療電源產品,推出750W的LOF系列產品。目前為止LOF-20Bxx系列產品功率段已涵蓋120W-750W客戶
2022-11-01 17:57:491550

GaN晶體管SiC MOSFET有何區別(上)

**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體,相比于傳統的硅材料功率半導體,他們都具有許多非常優異的特性:耐壓,導通電阻小,寄生參數小等。 他們也有各自
2023-02-03 14:34:204023

功率晶體管的特征與定位

從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:001280

功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優缺點

功率晶體管是指在電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件負載提供功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242250

功率GaN RF放大器的熱考慮因素

2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和軍用雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2023-05-19 11:50:492051

GaN晶體管的基本結構和性能優勢

GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,融合了多種材料和工藝,以實現高效、高頻率和功率密度的性能
2024-08-15 11:01:063441

GaN晶體管SiC晶體管有什么不同

GaN(氮化鎵)晶體管SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而,它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:212938

GaN晶體管的應用場景有哪些

GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(電子遷移率晶體管),近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景,并結合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203069

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