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電子發燒友網>電源/新能源>基準/監控/保護電路>驅動器UCC27201上電時刻HO引腳誤脈沖的分析及解決

驅動器UCC27201上電時刻HO引腳誤脈沖的分析及解決

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2025-07-14 14:18:35596

Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1半橋驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1半橋驅動器是堅固耐用的柵極驅動器,設計用于驅動半橋或同步降壓配置中的兩個N溝道MOSFET,絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-21 14:37:25571

Texas Instruments UCC5710x/UCC5710x-Q1低側柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC5710x/UCC5710x-Q1高速低側柵極驅動器是單通道、高性能、低側IGBT/SiC柵極驅動器,適用于PTC加熱、牽引逆變器、有源放電電路和其他輔助
2025-07-25 11:26:18581

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅動器是穩健的柵極驅動器,設計用于驅動采用半橋或同步降壓配置的兩個N溝道MOSFET,絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-25 15:23:14564

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離式柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離式柵極驅動器是雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設計,以
2025-07-29 15:17:31539

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式雙通道柵極驅動器是隔離式雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它具有4A峰值拉電流和6A峰值灌電流
2025-08-03 16:29:23941

UCC21551/UCC21551-Q1隔離式雙通道柵極驅動器技術解析與應用指南

Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1雙通道隔離式柵極驅動器采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設計,用于驅動功率MOSFET、SiC和IGBT晶體管。該隔離式
2025-08-06 15:09:10941

德州儀器UCC21550-Q1雙通道柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21550/UCC21550-Q1雙通道柵極驅動器是隔離型驅動器,具有可編程死區時間和-40°C至150°C的寬溫度范圍。這些柵極驅動器設計有4A峰值拉電流
2025-08-11 14:36:401139

Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅動器技術解析

驅動電流能力。UCC44273柵極驅動器可以向電容負載提供和吸收高峰值電流脈沖,從而提供軌到軌驅動能力和13ns的小傳播延遲。該單通道柵極驅動器的工作電壓范圍為4.5V至18V,工作溫度范圍為-40
2025-08-11 14:49:441823

UCC27444-Q1高速低側柵極驅動器技術解析與應用指南

Texas Instruments UCC27442-Q1雙通道高速低側柵極驅動器可有效驅動MOSFET和GaN電源開關。UCC 27442-Q1的典型峰值驅動強度為4A,可縮短電源開關的上升
2025-08-13 10:49:02775

UCC27332-Q1高速低側柵極驅動器技術解析與應用指南

Texas Instruments UCC27332-Q1單通道高速低側柵極驅動器可有效驅動MOSFET和GaN電源開關。UCC27332-Q1具有9A的典型峰值驅動強度,這減少了電源開關的上升
2025-08-13 10:54:18837

UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。
2025-08-27 15:17:201657

基于UCC27614的低側柵極驅動器技術解析與應用指南

UCC27614-Q1驅動器符合AEC-Q100標準,適用于汽車應用。此系列驅動器可用于太陽能電源、大功率緩沖脈沖變壓驅動器和電信開關模式電源。
2025-09-18 10:48:38719

UCC27624雙通道低側柵極驅動器技術解析

UCC27624-Q1符合汽車應用類AEC-Q100標準。此系列驅動器可用于汽車直流-直流轉換、電機驅動器、太陽能電源和脈沖變壓驅動器
2025-09-18 14:47:59757

?Texas Instruments UCC27624EVM驅動器評估模塊技術解析

Texas Instruments UCC27624EVM驅動器評估模塊 (EVM) 設計用于評估UCC27624 30V、5A單通道柵極驅動器。該評估模塊設計用于根據數據手冊參數評估驅動器IC。該
2025-09-18 15:10:28538

?UCC27735-Q1 汽車級高速半橋柵極驅動器技術文檔總結

UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-09-24 14:47:351199

UCC57142 3A 低側驅動器技術手冊

OCP 引腳提供過流保護。當在 OCP 引腳上檢測到過流信號時,內部電路將下拉 EN/FLT 引腳以報告故障并強制 OUT 到低電平。在驅動器正常運行期間,EN/FLT 需要一個外部拉電路。將 EN
2025-09-25 10:14:411443

UCC57148 3A 低側驅動器技術手冊

UCC5714x 通過 OCP 引腳提供過流保護。當在 OCP 引腳上檢測到過流信號時,內部電路將下拉 EN/FLT 引腳以報告故障并強制 OUT 到低電平。在驅動器正常運行期間,EN/FLT
2025-09-25 10:22:571390

?UCC21351-Q1 汽車級隔離雙通道柵極驅動器技術文檔總結

UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-09-25 14:14:21587

?UCC2773x 高邊/低邊柵極驅動器技術文檔摘要

UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道 (HO
2025-10-10 14:53:261328

?UCC2773x-Q1 汽車級700V半橋柵極驅動器技術文檔總結

UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-10-10 14:58:35463

UCC27735 700V半橋柵極驅動器技術文檔總結

UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,適用于驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 (LO) 和一個浮動通道 (HO
2025-10-10 15:05:041378

?UCC27834 230V半橋柵極驅動器技術文檔總結

UCC278X4是一款 230V 半橋柵極驅動器,具有 3.5A 源極電流、4A 灌電流,用于驅動功率 MOSFET。該器件由一個接地參考通道 (LO) 和一個浮動通道 (HO) 組成,設計用于
2025-10-10 15:16:30450

?UCC218915-Q1 汽車級單通道隔離預驅動器技術文檔總結

UCC218915-Q1 是一款隔離式單通道預驅動器,專為工作電壓高達 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計,具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC218915-Q1具有雙通道2.8A輸出,可直接驅動外部緩沖NMOS/PMOS對。
2025-10-10 15:27:481654

?UCC21330 隔離雙通道柵極驅動器總結

UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅動器系列,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設計,可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142362

?UCC27614 低邊柵極驅動器技術文檔總結

UCC27614是一款單通道、高速、低側柵極驅動器,能夠有效驅動 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關。UCC27614具有 10 A 的典型峰值驅動強度,可減少電源開關的上升
2025-10-14 11:09:29498

?UCC23313 光耦兼容型單通道隔離柵極驅動器技術文檔總結

V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驅動低側和高側功率 FET。與基于光耦合的標準柵極驅動器相比,關鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持引腳引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495

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