Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動器設計用于驅(qū)動MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT電源開關(guān),具有3A峰值拉電流和3A峰值灌電流。該單通道高速驅(qū)動器具有最先進的去飽和檢測時間和低壓側(cè)DSP/MCU故障報告功能。UCC57102Z-Q1驅(qū)動器具有出色的軌到軌驅(qū)動和輸出瞬態(tài)處理能力(得益于反向電流)。 該驅(qū)動器還具有3 A典型峰值驅(qū)動強度,可在輸入端處理-5 V電流。UCC57102Z/UCC57102Z-Q1驅(qū)動器符合汽車應用類AEC-Q100認證。該驅(qū)動器用于PTC加熱器、牽引逆變器、電機驅(qū)動器和輔助子系統(tǒng)中。 UCC57102Z-Q1器件符合汽車應用類AEC-Q100標準。
數(shù)據(jù)手冊:
*附件:Texas Instruments UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf
*附件:Texas Instruments UCC57102Z低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 符合AEC-Q100標準的汽車應用 (UCC57102Z-Q1)
- 典型輸出電流:3A(灌電流)、3A(拉電流)
- DESAT保護,帶可編程延遲
- 傳播延遲:26 ns(典型值)
- 發(fā)生故障時軟關(guān)斷
- 絕對最大V
DD電壓:30V - 輸入和使能引腳,可承受高達-5V電壓
- 嚴格的欠壓鎖定閾值,實現(xiàn)偏置靈活性
- 具有熱關(guān)斷功能的自保護驅(qū)動器
- 寬偏置電壓范圍
- 采用5 mm x 4 mm SOIC-8封裝
- 工作結(jié)溫范圍:-40 °C至150 °C
應用
功能框圖

-
MOSFET
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SiC
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柵極驅(qū)動器
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