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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>德州儀器推柵極驅動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

德州儀器推柵極驅動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

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2024-01-09 12:15:482105

德州儀器發布新款半導體產品

德州儀器 (TI) 今日在2024年國際消費類電子產品展覽會 (CES) 上,發布了其新款半導體產品,旨在提升汽車的安全性和智能性。這些新產品包括AWR2544 77GHz毫米波雷達傳感芯片和兩款驅動器芯片,它們都采用了尖端技術,以滿足汽車行業日益增長的需求
2024-01-09 14:04:141696

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:301651

Littelfuse發布IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器

近日,Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器,這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464

柵極驅動器芯片的原理是什么

柵極驅動器芯片的原理是什么 柵極驅動器芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、MOSFET等)柵極電壓的集成電路。它在電力電子領域中具有重要應用,如電機驅動、開關電源、太陽能逆變器等。本文將詳細
2024-06-10 17:23:003609

柵極驅動器的選型標準是什么

起著至關重要的作用。選型標準是確保柵極驅動器能夠滿足特定應用需求的關鍵因素。以下是一篇詳盡、詳實、細致的關于柵極驅動器選型標準的文章。 ### 引言 柵極驅動器作為電力電子系統中的核心組件,其性能直接影響到整個系統的性能和可靠性。因此,在選擇柵
2024-06-10 17:24:001860

什么是柵極驅動器柵極驅動器的工作原理

柵極驅動器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強場效應晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制能夠更好地控制這些半導體開關的操作。它通過將控制輸出
2024-07-19 17:15:2724573

碳化硅柵極驅動器的選擇標準

利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時,系統工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因為與 IGBT 相比,SiC 技術具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290

使用隔離式 IGBTSiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南

電子發燒友網站提供《使用隔離式 IGBTSiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南.pdf》資料免費下載
2024-09-11 14:21:390

德州儀器獲16億美元美國芯片補貼

和創新。 這筆資金將重點投向德州儀器目前正在得克薩斯州和猶他州建設的三個晶圓廠項目。這些晶圓廠是德州儀器擴大產能、提升技術水平的重要布局,對于滿足全球市場對高性能芯片的需求具有重要意義。 德州儀器作為全球領先的半導體公司之一,一直致力
2024-12-23 13:36:441076

UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 11:32:02821

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 17:32:51728

UCC23513 5.7kVrms,4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅動器數據手冊

電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBTSiC 功率 FET??梢?b class="flag-6" style="color: red">驅動低側和高側功率 FET,與基于光耦合柵極驅動器相比,FET 帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅動器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

德州儀器LM2104半橋柵極驅動器技術解析

Texas Instruments LM2104半橋柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅動器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

德州儀器UCC21550-Q1雙通道柵極驅動器技術解析

和6A峰值灌電流,可驅動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅動器是光隔離柵極驅動器,配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。通過
2025-08-11 14:36:401139

UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。
2025-08-27 15:17:201657

德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741

UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅動器是一款電流隔離式柵極驅動器,設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774

?UCC23313 光耦兼容型單通道隔離柵極驅動器技術文檔總結

V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBTSiC 功率 FET。UCC23313可以驅動低側和高側功率 FET。與基于光耦合的標準柵極驅動器相比,關鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持引腳到引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495

如何為EliteSiC匹配柵極驅動器

為EliteSiC匹配柵極驅動器指南旨在針對各類高功率主流應用,提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅動器的專業指導,同時探索減少導通損耗與功率損耗的有效方法,以最大限度提升SiC器件在導通和關斷過程中的電壓與電流效率。
2025-11-13 09:46:33342

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器驅動功率半導體器件(如IGBTSiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658

探索GD3162:先進IGBT/SiC柵極驅動器的卓越性能

探索GD3162:先進IGBT/SiC柵極驅動器的卓越性能 作為電子工程師,在設計xEV牽引逆變器時,選擇合適的柵極驅動器至關重要。今天,我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進的單通道
2025-12-24 14:25:02223

德州儀器 CLC007 串行數字電纜驅動器:高速數字應用的理想之選

德州儀器 CLC007 串行數字電纜驅動器:高速數字應用的理想之選 身為電子工程師,我們在高速數字信號處理和傳輸領域不斷探索,力求找到性能卓越、可靠性高且易于集成的器件。德州儀器的 CLC007
2026-01-04 16:20:0248

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