德州儀器 (TI) 宣佈推出業界最小型1.8A有刷DC 達驅動器,持續拓展其不斷成長的低電壓DRV8x馬達驅動器產品系列。該DRV8837 與最接近的同類競爭產品相比尺寸縮小75%,可實現更精巧、時
2012-08-22 09:08:53
1917 
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驅動器,其可在專業級室內外 LED 照明應用中為高色彩渲染及超低調光簡化白色調節。TPS92660 兩串 LED 驅動器
2013-05-07 09:52:53
2179 日前,德州儀器(TI)宣布推出一款集成式柵極驅動器,該器件提供了可調節的柵極驅動設置,可在更為寬泛的范圍內,靈活的驅動外部場效應晶體管(FET),從而支持多種電機,以
2015-07-06 14:35:11
4454 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
3206 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案,用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、 電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器,從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:32
30416 
大家好,看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔,雖然比較基礎,但是概括的比較好,適合電力電子專業的初學者,總體內容如下。
2022-11-25 09:20:30
2088 日前,德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術策略大會 (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調光 AC/DC LED 照明驅動器 LM3448 與 TPS92070
2011-10-20 09:30:06
1498 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器,進一步壯大其 MOSFET 驅動器產品陣營。
2012-01-10 09:11:32
7160 。設計人員可以使用ADI公司,飛兆半導體公司,凌力爾特公司,德州儀器公司等公司的柵極驅動器實現高效的全橋和半橋功率級。
2019-01-23 08:23:00
5042 
:LFUS)是一家工業技術制造公司,致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動
2024-05-23 11:23:22
1233 
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項,在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項:柵極誤導通首先需要了解的是:接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
德州儀器推薦使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
IGBT 柵極驅動器 – ISO5852s,工作電壓隔離為 1.5kVrms,最小 CMTI 為 50 kV/μs整合了針對過流和誤開啟的保護功能,采用:DESAT 檢測軟關斷有源米勒鉗位滿足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
現貨NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州儀器) : ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
過。另據報道,與基于IGBT的電機驅動器相比,使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統的柵極驅動器可以帶來更高的效率[3]。在驅動應用中使用 SiC-MOSFET 的優勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
作為應用全SiC模塊的應用要點,本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎上,介紹使用專用柵極驅動器對開關特性的改善情況。全SiC模塊的驅動模式與基本結構這里會針對下述條件與電路結構,使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案,可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
德州儀器,IGBT最大做到多少功率,官網看到那些都是很小電流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁(電動汽車充電站)應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導體推業界領先的高壓柵極驅動器IC
2016-06-22 18:22:01
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級
2023-05-11 20:38:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 S
2023-05-11 20:45:39
與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或
2023-05-12 12:26:54
德州儀器推出全新8通道高壓雙極DAC系列滿足低功耗應用需求
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數模轉換器 (DAC),其可提供 12、14 以及 16 位版本,并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:19
1155 德州儀器 (TI) 宣布推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅動器,TLC59282 可通過對 LED 輸出開關進行擺動處理來最大限度降低同步開關噪聲
2011-02-18 09:13:00
1165 德州儀器 (TI)日前推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅動器 TLC59282,該器件的最大特點是,分組式通道延遲(4通道一組)可最大限度地降低同步開關噪聲
2011-03-31 10:35:10
1744 德州儀器 (TI) 宣布面向氣囊部署推出TPIC71004-Q1四通道氣囊爆管驅動器,從而可提供具有高可靠性與低成本優勢的優化集成型標準器件。
2011-05-13 08:43:31
1451 德州儀器(TI)宣布面向移動消費類及工業設計推出業界最高集成度的壓電式觸覺驅動器。
2011-07-22 14:46:16
2990 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首款最新系列集成型三相無刷電機前置驅動器。該 DRV8301 是目前市場上集成度最高的前置驅動器,與性能最接近的集成解決方案相比可將板級空間銳減達
2011-09-14 15:27:28
819 德州儀器 (TI) 宣布推出具有業界最高性能-功耗比的最新單雙通道模數轉換器 (ADC) 驅動器,進一步壯大了其通用型低功耗軌至軌輸出運算放大器的產品陣營。與類似解決方案相比,該 O
2011-11-15 10:58:27
1449 德州儀器(TI)是全球領先的數字信號處理與模擬技術半導體供應商,德州儀器(TI)亦是推動因特網時代不斷發展的半導體引擎。
2011-12-12 16:25:04
2487 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:08
3262 
日前,德州儀器 (TI) 宣布針對其非調光 LED 驅動器產品系列推出一款最新離線式初級側感應控制器。最新支持功率因數校正 (PFC) 的 TPS92310 AC/DC 恒流驅動器可為 A19、PAR30/38 以及
2012-03-22 08:25:13
1734 
德州儀器 (TI) 宣布推出全差動模數轉換器 (ADC) 驅動器,比同類器件性能功耗比提高 8 倍以上,重新定義了低功耗放大器市場。
2012-03-31 08:56:04
2469 日前,德州儀器(TI) 宣布推出全差動模數轉換器(ADC) 驅動器,比同類器件性能功耗比提高8 倍以上,重新定義了低功耗放大器市場。THS4531 全差動放大器靜態電流僅為250 uA,帶寬
2012-04-05 09:03:02
1173 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款運行散熱性能比實力最接近的競爭產品高 30% 的 2.5 A 步進電機驅動器。該高集成 DRV8818 支持低 RDS(ON),可提高散熱效率,縮小電路板級空間,抑制環境溫
2012-04-18 13:56:50
2952 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步進電機的最新低電壓器件,進一步壯大其不斷豐富的高集成 DRV8x 電機驅動器產品陣營
2012-04-18 13:58:58
2893 
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等
2012-04-23 16:48:00
1357 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器
2012-04-24 09:56:41
4662 
本內容介紹了德州儀器(TI)的流量計解決方案,TI可提供用于激勵磁場線圈的PWM驅動器和高壓輸出DAC
2012-12-03 16:34:05
2063 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款支持可調節開關頻率與電流感應閥值的大功率多拓撲 DC/DC LED 驅動器,其可為汽車前大燈、霧燈以及通用照明提供設計高靈活性與低電磁干擾 (EMI)。
2013-07-24 11:43:42
1396 近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。
2016-02-22 11:22:43
1517 
的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁(電動汽車充電站)應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:00
0 德州儀器(TI)11日推出嶄新的LED系列驅動器,該系列驅動器集成了獨立的色彩混合、亮度控制和節約功率模式。LP5018、LP5024、LP5030及LP5036支持平滑、逼真的色彩,還可降低功耗。
2018-12-12 14:49:51
2049 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分;驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:00
5319 
ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
73 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間,簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:26
1774 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝,可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:01
2625 
隨著新型功率晶體管(例如 SiC Mosfets)越來越多地用于電力電子系統,因此有必要使用特殊的驅動器。隔離式柵極驅動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,旨在滿足 SiC(碳化硅
2022-08-09 09:03:00
3179 
德州儀器汽車應用參考設計精選
2022-11-07 08:07:24
1 半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45
1365 所有類型的電動汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動公交車和其他電子交通電源系統,需要更高的碳化硅(SiC)技術來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅動這些更高效的SiC器件可以使用數字而不是模擬柵極驅動器來實現,許多非汽車或非車輛應用將受益。
2023-05-06 09:38:50
3175 電源是電子設備的基礎,其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產生高電流驅動
2023-06-08 14:03:09
1039 額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設計通常選擇專用的 SiC 核心驅動器,這會考慮到更快的開關、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說:“你總是可以使用標準柵極驅動器,但你必須用額外的電路來補充它,通常這就是權衡。”
2023-10-09 14:21:40
1509 
電子發燒友網站提供《PMP30629.1-具有集成開關PSR反激式轉換器的隔離式2.5W SiC和IGBT柵極驅動器 PCB layout 設計.pdf》資料免費下載
2024-05-17 14:34:53
1 電子發燒友網站提供《TIDA-020030-具有熱敏二極管和感應 FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅動器 PCB layout 設計.pdf》資料免費下載
2024-05-16 15:09:31
0 德州儀器 (TI) 今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統效率,同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04
2266 報告內容包含:
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
驅動器進化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57
995 
融合和決策能力,可以實現更高水平的自主性。德州儀器的新款驅動器芯片 DRV3946-Q1 集成式接觸器驅動器和 DRV3901-Q1 集成式熱熔絲爆管驅動器可支持軟件編程,能夠提供內置診斷功能并支持功能
2024-01-09 12:15:48
2105 
德州儀器 (TI) 今日在2024年國際消費類電子產品展覽會 (CES) 上,發布了其新款半導體產品,旨在提升汽車的安全性和智能性。這些新產品包括AWR2544 77GHz毫米波雷達傳感器芯片和兩款驅動器芯片,它們都采用了尖端技術,以滿足汽車行業日益增長的需求。
2024-01-09 14:04:14
1696 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:30
1651 近日,Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器,這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:21
1464 柵極驅動器芯片的原理是什么 柵極驅動器芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、MOSFET等)柵極電壓的集成電路。它在電力電子領域中具有重要應用,如電機驅動、開關電源、太陽能逆變器等。本文將詳細
2024-06-10 17:23:00
3609 起著至關重要的作用。選型標準是確保柵極驅動器能夠滿足特定應用需求的關鍵因素。以下是一篇詳盡、詳實、細致的關于柵極驅動器選型標準的文章。 ### 引言 柵極驅動器作為電力電子系統中的核心組件,其性能直接影響到整個系統的性能和可靠性。因此,在選擇柵
2024-06-10 17:24:00
1860 柵極驅動器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強場效應晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠更好地控制這些半導體開關的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:27
24573 利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時,系統工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因為與 IGBT 相比,SiC 技術具有更高的效率
2024-08-20 16:19:07
1290 
電子發燒友網站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南.pdf》資料免費下載
2024-09-11 14:21:39
0 和創新。 這筆資金將重點投向德州儀器目前正在得克薩斯州和猶他州建設的三個晶圓廠項目。這些晶圓廠是德州儀器擴大產能、提升技術水平的重要布局,對于滿足全球市場對高性能芯片的需求具有重要意義。 德州儀器作為全球領先的半導體公司之一,一直致力
2024-12-23 13:36:44
1076 UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻器
2025-05-15 11:32:02
821 
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流
2025-05-16 17:32:51
728 
電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET??梢?b class="flag-6" style="color: red">驅動低側和高側功率 FET,與基于光耦合器的柵極驅動器相比,FET 帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00
793 
Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅動器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13
704 
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅動器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14
965 
和6A峰值灌電流,可驅動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅動器是光隔離柵極驅動器,配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。通過
2025-08-11 14:36:40
1139 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。
2025-08-27 15:17:20
1657 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22
741 
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅動器是一款電流隔離式柵極驅動器,設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02
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V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驅動低側和高側功率 FET。與基于光耦合器的標準柵極驅動器相比,關鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持引腳到引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57
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2025-11-13 09:46:33
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6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02
658 探索GD3162:先進IGBT/SiC柵極驅動器的卓越性能 作為電子工程師,在設計xEV牽引逆變器時,選擇合適的柵極驅動器至關重要。今天,我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進的單通道
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223 德州儀器 CLC007 串行數字電纜驅動器:高速數字應用的理想之選 身為電子工程師,我們在高速數字信號處理和傳輸領域不斷探索,力求找到性能卓越、可靠性高且易于集成的器件。德州儀器的 CLC007
2026-01-04 16:20:02
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