英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案，用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、 電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器，從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:32
30416 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:003615 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
本文通過分析低側柵極驅動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關性能，還要有效抑制振鈴的產生。
2024-02-26 18:14:343326 
可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器。這些柵極驅動器專為驅動MOSFET而設計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，
2024-09-19 11:55:061107 
33V，適合驅動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數數字控制器
2025-04-03 14:23:02
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
的電壓軌。特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅動器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
，降低了88%。還有重要的一點是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅動需要適當調整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
(PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來運行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側MOSFET/IGBT電源開關驅動的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅動器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關損耗地驅動大功率MOSFET。高側和低側兩個通道完全獨立，其導
2025-03-03 11:27:14
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅動器，用于故障信號通信。IX6611設計用于為高功率開關器件提供柵極驅動
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
，低側FET導通并開始通過其通道導通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動機驅動設計中發現的其它同步半橋配置。負責高速接通的一個重要的柵極驅動器參數是導通傳播延遲。這是在柵極驅動器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:083265 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 UCC2752x 系列產品是雙通道、高速、低側柵極驅動器，此器件能夠高效地驅動MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關。
2016-07-22 15:38:23
0 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 基礎型隔離式柵極驅動器，可以驅動高側和低側 FET。此參考設計包含一個緊湊的內置 1.5W 隔離式 Fly Buck 輔助電源，用于為柵極驅動器的輸入和輸出供電。方法是將隔離式柵極驅動器和隔離式柵極驅
2017-12-25 11:13:000 ADP3110A是一個單相12V MOSFET柵極驅動器，它被優化成在同步降壓轉換器中同時驅動高_側和低_側功率MOSFET的柵極。高_側和低_側驅動器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時間驅動3000pF負載。
2018-08-27 10:44:0078 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
安森美半導體NCP51530 MOSFET柵極驅動器是高頻、700V、2A高側和低側驅動器，適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態電流和低開關電流。這些NCP51530驅動器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003983 
兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖級，設計用于最小驅動器交叉傳導。浮動通道可用于驅動高側配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓為10到600伏。
2020-04-28 08:00:0052 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:005320 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統，因此有必要使用特殊的驅動器。隔離式柵極驅動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
低側柵極驅動器的應用回顧和比較評估
2022-11-14 21:08:330 和發射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對于器件源極/發射極的電壓。專用驅動器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。本文討論這些柵極驅動器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。
2023-01-30 17:17:122922 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 高側非隔離柵極驅動 1.適用于P溝道的高側驅動器2.適用于N溝道的高側直接驅動器 1.適用于P溝道的高側驅動器 高側非隔離柵極驅動可按照所驅動的器件類型或涉及的驅動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241 生態系統的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:021535 
電子發燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:361813 
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464 柵極驅動器芯片的原理是什么 柵極驅動器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領域中具有重要應用，如電機驅動、開關電源、太陽能逆變器等。本文將詳細
2024-06-10 17:23:003609 的信號轉換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅動器在現代電力電子系統中扮演著至關重要的角色，廣泛應用于電機控制、逆變器、開關電源等領域。
2024-07-19 17:15:2724573 利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時，系統工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 IGBT 相比，SiC 技術具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290 
電子發燒友網站提供《使用單輸出柵極驅動器實現高側或低側驅動.pdf》資料免費下載
2024-09-03 11:50:111 應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計。《高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態功率損耗分析、動態功率損耗分析、柵極驅動損耗分析等方面進行了全面介紹。
2024-11-11 17:21:201608 
電子發燒友網站提供《用于汽車IGBT柵極驅動器的多輸出初級側調節反激式參考設計.pdf》資料免費下載
2024-12-03 15:13:491 MS30517SA 是單通道、高速、低側柵極驅動器器件，能夠有效地驅動 MOSFET 和 IGBT 開關 。提供FAE支持，歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側柵極驅動器
2024-12-20 17:44:511386 
額定值。30V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23525 可以驅動低側和高側功率 FET。與基于標準光耦合器的柵極驅動器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-15 16:43:47893 
UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628 
電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驅動低側和高側功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅動器相比，FET 帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793 
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側柵極驅動器設計用于驅動MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET和IGBT電源開關，具有3A峰值拉電流和3A
2025-07-10 14:57:02613 
Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅動器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。
2025-08-27 15:17:201657 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器，設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅動器是一款電流隔離式柵極驅動器，設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅動器設有三個半橋柵極驅動器，電壓為100V，每個均可驅動高側和低側N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23817 
Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1單通道柵極驅動器是高速低側柵極驅動器系列，可驅動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關。此系列驅動器的典型峰值驅動
2025-09-18 10:48:38719 
Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅動器是高速低側柵極驅動器，可有效驅動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關。此系列驅動器的典型峰值驅動
2025-09-18 14:47:59757 
UCC27624V是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器，可有效驅動 MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關。UCC27624V具有 5A 的典型峰值驅動強度，可減少電源開關的上升和下降時間，降低
2025-09-26 15:27:34695 
該UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅動器系列，具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設計，可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142362 
DRV8300U是100V三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側MOSFET的外部電容器產生正確的柵極驅動電壓。GVDD用于為低側MOSFET生成柵極驅動電壓。柵極驅動架構支持高達750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454 
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側 MOSFET 的外部電容器產生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45893 
DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅動器，每個驅動器能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側 MOSFET 產生正確的柵極驅動電壓，而 GVDD 驅動低側 MOSFET 的柵極。柵極驅動架構支持高達 750mA 的柵極驅動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。它使用用于高側的集成倍增器電荷泵和用于低側的線性穩壓器產生適當的柵極驅動電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:23:03492 
DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。它使用用于高側的集成倍增器電荷泵和用于低側的線性穩壓器產生適當的柵極驅動電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:27:06449 
~增強的隔離額定值。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511-Q1 可以驅動低側和高側功率 FET。與基于光耦合器的標準柵極驅動器相比
2025-10-14 14:44:27493 
V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驅動低側和高側功率 FET。與基于光耦合器的標準柵極驅動器相比，關鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設計中保持引腳到引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57495 
- Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 IX4352NEAU汽車級低壓側柵極驅動器，旨在滿足電動汽車
2025-10-28 18:07:40859 
在電子設備的設計中，柵極驅動器起著至關重要的作用，它能夠有效地驅動功率MOSFET和IGBT，確保設備的高效穩定運行。今天我們要探討的是安森美（onsemi）推出的NCP51105單通道低側柵極驅動器，它具備諸多出色的特性和功能，適用于多種應用場景。
2025-12-04 09:58:48655 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域，柵極驅動器是驅動功率半導體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658 先進的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅動器，主要用于xEV牽引逆變器中的SiC和IGBT模塊驅動。它通過先進的柵極驅動功能，在節省空
2025-12-24 14:25:02223 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅動光耦合器 在電力電子領域，IGBT和SiC MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其可靠驅動至關重要。今天我們要詳細探討
2025-12-30 15:40:03317
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