功率半導體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是指可直接用于處理電能的主電路中，實現電能的變換或控制的電子器件，其作用主要分為功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護和整流等。

功率半導體大致可分為功率半導體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導體集成電路（Power IC）兩大類，在半導體產業中的結構關系如圖1所示。其中，功率半導體分立器件是指被規定完成某種基本功能，并且本身在功能上不能再細分的半導體器件。

1957年美國通用電氣公司（GE）研制出世界上第一只工業用普通晶閘管（Thyristor），標志了功率半導體分立器件的誕生。功率半導體分立器件的發展經歷了以晶閘管為核心的第一階段、以MOSFET和IGBT為代表的第二階段，現在正在進入以寬禁帶半導體器件為核心的新發展階段。

功率半導體分立器件包括以下幾類：

功率二極管：功率二極管是最簡單的功率器件之一，具有快速恢復、低開關損耗和高電壓能力等特點，通常用于整流、反向保護、限流等應用。

功率晶體管：功率晶體管也稱為MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），是一種可以控制電流流通的器件。它具有低開關損耗、高開關速度、低輸入電流、可靠性高等特點，常用于電源開關、電機控制、照明等領域。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）：IGBT是一種結合了雙極性晶體管和MOSFET的特點，具有高電壓和高電流承受能力，低開關損耗和低導通電阻等優點，通常用于高壓、高頻電源開關、電機驅動、變頻器等領域。

可控硅（SCR）：可控硅是一種可以控制電流流通的器件，具有可靠性高、適用范圍廣、控制電路簡單等特點，常用于電源開關、電機控制、交流電源調節等領域。

晶閘管（GTO）：晶閘管是一種可控硅的升級版，可以在開關過程中控制電流，具有高電流承受能力和低開關損耗等特點，通常用于大功率、高頻的電源開關和變頻器等領域。

這些功率半導體分立器件在不同的應用領域具有不同的優勢和特點，選擇合適的器件可以滿足不同的功率控制需求。