功率半導體器件鳥瞰

當代功率半導體器件大致可以分成三類：一是傳統的各類晶閘管；二是近二十年來發展起來的功率MOSFET及其相關器件；三是由上述兩類器件發展起來的特大功率器件。本文將重點討論以功率MOSFET為主體的現代功率半導體器件，同時也將對比各種傳統的功率器件，探討相互間的聯系及其對電力電子技術發展的影響。

功率半導體器件的歷史可以追溯到早期的半導體整流器件，甚至遠溯到上一世紀四十年代的氧化亞銅和硒整流器。但促使一門新學科——電力電子學誕生的卻應歸功于晶閘管（Thyristor）這個大家族，特別是具有較強逆變能力的快速和可關斷晶閘管以及大功率雙極性晶體管。因為電力電子技術是一門關于功率變換的技術。只有當逆變用器件有一定的發展后，才能形成一門專門的學科。

現在再來回顧一下二十多年前電力電子學剛形成時的功率半導體器件，其變化之巨大簡直是難以想象的。許多功率半導體器件已經離開歷史舞臺。而最大的變化是：功率MOSFET從1979年誕生后，逐步改

變了整個功率半導體器件的面貌，從而使電力電子學的范圍跨入了過去未曾涉足的信息領域。

1晶閘管及整流器件

上世紀六十到七十年代是晶閘管統治功率器件的全盛時代，到了八十年代，晶閘管的發展已完全成熟。而九十年代，作為中小功率用的逆變器件，逐步讓位于MOSFET或IGBT。在許多傳統的相控整流領域，開始逐步被開關整流所取代。但在特大功率范疇，雙極性器件仍明顯占主導地位。

為對比MOS器件的發展，現在來回憶一下晶閘管在技術方面的發展過程。可以看到，對器件的理解和要求是一個從靜態到動態性能逐步認識和改善的過程。

（1）提高發射極注入效率及控制少子壽命，使晶閘管的電流容量有了迅速提高。雙極性器件的大注入效應使其在取得大電流能力方面，顯然優于單極型器件。這也是其后IGBT發展的基礎。IGBT中的B字，即代表雙極性的意思。

（2）改善表面造型及表面保護，使器件有較高的耐壓和更好的可靠性。當時已有平面型的保護環技術（后來稱為終端技術），但在高壓領域內當時并未采用。其后采用了特殊輻照摻雜的區熔硅單晶，使高壓器件有了更好的成品率。IGBT在第三到第五代的轉變中，也采用了區熔硅單晶。

（3）引入短路發射極原理，使發射極下基區的電阻（簡稱橫向電阻）為最小。以限制發射極在位移電流作用下產主注入，從而提高了器件的電壓上升率（dv／dt）。這個原理也被MOSFET用來抑制寄生雙極性晶體管起作用。

（4）引入放大門極原理，或稱場引入原理。即以陽極電場引入門極周圍，以迫使導通區擴展，從而改善器件的電流上升率（di／dt）

（5）發展快速晶閘管（InverterSCR）以取得較高

的頻率并用于逆變電路。在制造工藝上采用了降低少子壽命的方法，以降低關斷時間（tq），從而降低開關損耗。同時也利用上述第（3）、（4）原理，以更好的動態特性來符合快速開關要求。有趣的是降低少子壽命的方法以后甚至用在不牽涉少子的多子型器件中，這是因為必須控制寄生的本征二極管的關斷特性。

（6）發展更為“安全”使用的晶閘管。換言之，使器件能經受一定的電壓電流尖刺，成為更可靠的晶閘管。如近年來發展的SAFEIR。

（7）發展雙向晶閘管（Triac）以更適合于中小功率的交流電路。各類雙向器件的設想是根據應用的需要而產生的，但真正實現的恐怕只剩下Triac。這也許是因為制造雙向器件增加了復雜性，卻又可以用單向器件去代替它。從技術而言，是更好地控制各個發射極下的基區電阻。利用橫向電阻使器件具有四象限的導通能力。這和提高電壓上升率的措施剛好相反。

（8）發展可關斷晶閘管（GTO）以使晶閘管成為可用門極自關斷的器件。從技術而言，是將晶閘管內的兩個晶體管的增益做得盡可能小。即降低注入效率（薄發射極或逆導）和降低少子壽命。從而使其易于關斷。中小功率的利用PNPN原理的可關斷器件始終未能占領市場，這可能是因為當“閘門”打開后，要切斷并不如一般的晶體管這么容易或是在制造成本上并不合算。

（9）發展塑封包裝或模塊，使器件進一步減小體積。甚至包括表面貼裝型的塑封晶閘管（SMALLIR）。為此，方片晶閘管有很大發展。也有采用平面型場終端技術來代替傳統的挖槽加玻璃鈍化技術。

（10）整流器件是始終不會衰退的器件。只是它們的性能在不斷改進。如近年來仍在不斷發展的快恢復二極管和快恢復外延二極管（QUIETIR）。主要是希望做到恢復又快又軟，少起振蕩。

2MOSFET及其相關器件

上世紀八十年代是MOS器件和晶閘管并行發展的年代。到了九十年代MOS器件迅速占領了相當大部分的中小功率器件市場，尤其是在逆變領域。

早期的MOS器件發展，多少沿用了傳統功率半導體器件的發展思路。例如曾采用金屬外殼并發展了多種大電流MOSFET模塊。但其后MOSFET的發展就大大不同于傳統器件。它首先在開關電源方面取得了迅速發展，提高電路效率成為其更重要的任務。目前它的應用范圍主要有通信（包括手機）、汽車、電腦及便攜式電器、工業、航天、家電、辦公用品等等。目前其世界市場約為二、三十億美元。

由于應用范疇的變化，MOSFET的發展必須符合新的要求。對電腦CPU而言，要求MOSFET用于愈來愈低電壓的電源。對便攜式電源而言，降低損耗縮小體積又成為首要任務。所以我們會看到愈來愈低電壓、愈來愈小的器件。但也不能只考慮低電壓器件的發展。如對汽車而言要配合汽車電源向42V的轉移，則器件電壓要比傳統汽車用的更高些。電視、顯示器、照明等等仍需要市電電壓。空調器等，還需用IGBT以運行于稍大的功率。工業應用時，如焊接電源，就更需用IGBT模塊了。

從技術的發展來看，MOS型器件的發展和上述晶閘管的發展也有相似之處，即從靜態到動態的逐步深化的認識和改進過程。據稱：IR公司在發展更好的MOSFET性能中，經歷了如下過程：BV（82）?Rds（86）?Qg（95）?Qgsw(97)?Rg（99）?dv／dt，di/dt（99）?Coss（99）?Rθ（00）。現就主要參數的改進，簡略敘述如下：

（1）降低Rdson以增加其電流容量（或降低功率損

耗）。其方法有：增加原胞密度，采用溝槽式（Trench）結構等等。

（2）采用一定的終端設計，或特殊結構以改善電

壓和電流的關系。

（3）發展IGBT，以增加器件的功率容量。IGBT的

進一步改進是采用區熔單晶片代替外延片，以增加器件的耐用性，特別是指1200V的IGBT。

（4）降低柵電荷Qg，從而減小開關損耗，或改變

原胞結構為條狀（Stripe）結構以降低柵電荷。

（5）減小基區橫向電阻，以增加電壓上升率和抵

抗電壓尖刺的能力。

（6）降低其本征二極管的少子壽命，以保證恢復

時二極管的有效關斷。同時也應提高二極管的雪崩能力，以承受反向電流上升率引起的電壓脈沖尖刺。

（7）肖特基管在MOSFET應用中扮演著十分重要

的角色。為增加耐壓，就有肖特基和PN結相結合的

HEXFRED，這是IGBT的主要伙伴。為取得更好的軟恢復特性就有特殊的快恢復二極管發展（FRD）。

（8）發展功率集成電路，以配合MOSFET或IGBT

的觸發或進行保護。實質上是功率集成電路使電力電

子技術取得更寬廣的發展領域并加快了發展過程。不同應用范圍通常采用不同的控制集成電路。例如近期發展的電機調速用的軟啟動IC，電流采樣IC，驅動加保護IC等等。

（9）結合不同應用發展不同特點的MOSFET，例

如為同步整流發展了低電壓的具有極小Rdson的器件，對線路中的另一MOSFET則在兼顧Rdson的同時還心須使其具有很低的Qg。另一個例子是對航天應用的MOSFET，必須采取特殊工藝使其能耐輻射。即所謂Radiation?hardened（RAD?HARD）功率MOSFET。在火星上的移動車中早已采用了該類器件。

（10）發展組合型器件甚至子系統。例如在DC/

DC更換中，可采用FETKY以代替MOSFET和一個肖特基。現在己把FETKY和另一個MOSFET組合在一起，被稱為雙FETKY（DualFETDY）。而最新的多芯片模塊MCM也己出現，那是在DualFETKY基礎上又把脈寬調制集成電路PWMIC也組合在內。再進一步的發展將把MCM再集成在一個更大的厚膜電路內，說明器件的發展正逐步趨向于制造愈益完整的子系統。

（11）發展專用模塊。除了大家已比較熟悉的IPM外，現在已有了用于調速系統的更為完整的模塊。此外正在發展的還有APM及許多專為汽車電子設計的專用模塊。這與(10)所提的有許多相似之處。實際上，從單芯片到多芯片，從厚膜電路到模塊，無非是考慮更合適的包裝和更有效的功率耗散而己。

（12）發展不同的引線焊接方法和外殼包裝。由于芯片的Rdson己大幅度下降，在某些器件中，引線電阻己到了可和芯片內阻可比擬的程度。因而也有舍棄了常規的超聲焊鋁絲而改用銅帶焊接（CopperStrap）的器件。對常規包裝也設法稍作改變以焊上更大的芯片，如被稱為Fullpak的TO220及TO247器件等等。由于應用的需要也正在發展愈來愈小的外殼。最新的發展是：一種無外殼的FlipFET已經誕生。這是一種相當神奇的MOSFET，因為漏和源的電極居然都在同一個表面上。被譽為是具有最大芯片和管腳比（即100％）的器件。（見圖1）

從上面的敘述來看，雖然晶閘管和MOSFET應用范圍相當不同，但其性能改進的思路是類似的。由于MOSFET的發展涉及面很廣，上面的敘述顯然還不能包括全部。

功率半導體器件更進一步的發展有可能采用新的半導體材料，現在在專業會議上討論比較多的有碳化硅器件。另外鍺硅和鎵砷材料也有可能發展。但硅材料在相當長的一段時間內仍會占主導地位。

3特大功率器件

它是從傳統晶閘管發展起來的。但由于MOS型器件的出現，它又取得了新的思路和發展的途徑。簡略來說，它們包括：

（1）SCR：晶閘管的容量仍在繼續擴大，現在的商

品已有了采用5英寸硅片的單個高壓器件。其電壓己達（7～8)kV。

（2）GTO：在自關斷大功率半導體器件方面，現在

正在向三個方面發展，首先就是傳統可關斷晶閘管（GTO）的發展，其商品容量己達6000V/3000A。

（3）IGBT：其次是由MOSFET發展起來的IGBT

自然是另一種自關斷器件，大功率器件制造廠正在迅速增大IGBT容量，有模塊型，也有傳統的大餅型。其最高電壓已能達4500V，電流可為1800A。

（4）IGCT：最后是一種特殊結構的GTO（如透明

陽極，即陽極少子注入率極低的GTO）和特殊的外圍MOS關斷電路組合在一起的器件（IGCT）。由于其門極關斷電路的感抗特低，所以可以瞬時流過極大的關斷電流去關斷GTO。目前電壓可達(4.5～6)kV，電流可達(250～4000)A。上述三種自關斷器件在工藝上都有相互借鑒之處。當然在應用中也各有其適用的方向。

這些大功率器件對我國的電力系統，高壓直流輸電，大電網聯網，鐵路、地鐵、輕軌車牽引等方面，都具有關鍵意義。

當年Newell曾以“浮現于被遺忘的地帶”為篇名介紹了電力電子學這門邊緣學科。此后美國的電氣電子工程師協會IEEE專門為這門學科設立了電力電子學會。我國的電力電子工作者，在更早的時候就開始籌建電力電子學會。在上世紀八十年代初，這個學會有了很快的發展。在相似時間成立的中國電源學會，現在也已成為發展新型電力電子技術的主要力量。電力電子技術在中國早就不再是位于一個被遺忘的地帶，它不僅曾經為我國的電力、重工業、輕工業、交通的發展作出了貢獻，近年來也正在為信息產業的騰飛提供最好的能源。功率半導體則是運用各種電力電子技術的必要工具。

圖2列出了各種主要功率半導體器件，也暫且把它們分為三類：即傳統的雙極性器件，MOSFET及其相關器件，特大功率器件等。請對比上世紀七十年代后期的一棵功率半導體器件“大樹”以及上世紀八十年代后期的一棟功率半導體器件的“對稱建筑”，可以看出這二十年來變化之巨大。圖3列出了一個大致的鳥瞰圖，對市場作了一粗略的介紹，離開全貌還有不少距離。希望以后還能進一步補充。

圖1FlipFET及歷年芯片?管腳比的增加

圖2功率半導體器件概貌

圖3現代功率半導體器件及其市場鳥瞰圖