Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 本文介紹了兩種精簡電路，它們均使用單個高電壓LT8315轉換器，可由30V至400V的寬輸入電壓范圍產生±12V輸出。一個電路是隔離型反激式拓撲，另一個則是非隔離型降壓拓撲。
2020-02-04 11:42:002833 
日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073575 Diodes 公司推出通用的 AC 高電壓輸入非隔離式脫機切換器 IC，可進一步強化其電源產品組合。
2022-03-03 11:07:291393 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:432171 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
，表明MOSFET溝道導通。當Vgs進一步增加，Rdson下降比較來緩，因為溝道完全導通，MOSFET導通電阻由其它的電阻組成部分決定。當器件縮小到更小的尺寸，RS , RCH也減小，因為更多的單個的單元
2016-10-10 10:58:30
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區，就會形成一個非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會形成導通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結構P
2016-12-07 11:36:11
非隔離DC-DC拓撲介紹 Buck型拓撲變換器 Buck型變換器的拓撲結構如圖所示，Buck型變換器也稱降壓型電源拓撲。在開關管S導通時，二極管VD負極電壓高于正極反偏截止，此時電流
2023-03-22 15:55:15
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
及實際應用 · AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性 此外設計人員還可以訪問IR的DirectFET網上搜索中心，進一步了解如何利用DirectFET器件的獨特優點及其如何增強電氣和熱性能的信息。 :
2018-11-26 16:09:23
十分敏感，抑制能力差。雷擊浪涌，這種電壓是瞬間高壓，高達幾千伏，時間很短，能量極強，這個電壓進入電源，對于非隔離BUCK電路，會瞬間傳達到輸出，擊壞恒流檢測環，或是進一步擊壞芯片，造成300v直通，而
2015-11-19 20:47:05
采用諧振電感與變壓器磁集成設計，配合GaN高頻特性，進一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術實現體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現貨熱銷售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
先進器件的利器。寬VDD范圍(4.5-30V)、高抗噪性（-5V耐壓, 1V遲滯）、獨立使能控制及車規級AEC-Q100認證，確保了其在汽車、工業和能源等嚴苛應用中的卓越表現。SOT23-6封裝進一步
2025-08-09 09:18:36
一、概述： SiLM8260ABCS-DG是一款雙通道隔離柵極驅動器，專為高功率應用設計，具備10A/10A的峰值輸出電流和高達30V的輸出驅動電源電壓。該芯片采用先進的隔離技術，提供
2025-11-28 08:14:38
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
轉換器拓撲結構，無論是隔離還是非隔離。 ADP1621通過測量n溝道MOSFET導通電阻上的壓降，無需使用電流檢測功率電阻
2019-05-30 09:08:12
，它們的優值系數（FOM）大為改善，可以實現高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優值系數（FOM）大為改善，可以實現高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的FDMF8811是業界首款100 V橋式功率級模塊，優化用于全橋和半橋拓撲。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。與分立方案相比，FDMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
簡介：這款電源非常簡單，很適合剛剛學習開關電源的人員參考，電源采用常用的反激拓撲，開關電源一般最重要的設計變壓器（后面簡介分享下變壓器參數設計）。背景： 前段時間因需要所以自制的一款輸出為30V隔離
2021-12-30 06:12:37
電路，即可實現 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達 15W 的隔離電源。VPS8703 內部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
實際應用中的開關頻率。這些問題都阻礙了高功率密度、小體積電源適配器的進一步發展。 有源鉗位反激（ACF）是一種新型諧振拓撲，克服了上述問題。不像QR，ACF能夠吸收利用漏感能量實現軟開關，臨界模式
2023-03-03 16:24:56
檢測環，或是進一步擊壞芯片，造成300v直通，而燒掉整條燈管。事實上就是指非隔離電源，在批量出貨時，返修率高于隔離LED驅動電源，大都是因為炸壞。而隔離電源炸壞的機率要小不少，非隔離的一般在2%至3
2015-11-10 00:23:46
概述VPS8701B 是一款適用于全橋拓撲結構的 DCDC 隔離型開關電源集成控制器，橋式驅動方式的變壓器繞組少，成本低。滿足6V~30V 的應用，兼容性強。電流過大時鉗位限制功率管電流，既保證了
2023-03-21 15:24:12
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381775 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551806
意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內置快速恢復二極管
提升高能效轉換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 我最近收集了一份開關電源隔離式與非隔離式（即反激式）的資料，許多應用中都需要輸入/輸出隔離。隔離可切斷無用信號的傳播路徑，優勢如下：保護人員、設備免遭感應在隔離另一端的危險瞬態電壓損害 ；去除隔離
2020-10-27 08:00:0082 基于系統效率和功率密度發展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結構
2021-03-12 09:46:343467 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
隨著科技的不斷革新發展，MOSFET產品也經過技術的迭代升級有了更加優越的表現。但如何提升器件性能的同時進一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導體拓展了MOSFET產品線，推出
2022-08-26 11:01:071847 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:160 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:350 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN8R3-30QL
2023-02-17 19:14:141 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:190 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:340 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV25ENEA
2023-02-17 19:16:270 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D60-30
2023-02-17 19:56:410 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:040 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20ZH
2023-02-21 19:17:400 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 。 ASDM30N40AE 采用先進的溝道技術，以出色的RDS(ON)性能脫穎而出。其低RDS(ON)值為您的應用帶來更低的功耗和更高的能效，實現電能轉化的最佳效率。不論是在負載開關、PWM應用還是功率管理方面，ASDM30N40AE都能穩定、高效地滿足您的需求。 此外，ASDM30N40AE 還具有低門電荷特
2023-06-05 11:45:281652 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30802 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101320 電子發燒友網站提供《30V N溝道溝槽MOSFET PMF250XNE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:48:470 電子發燒友網站提供《30V，雙N溝道溝槽MOSFET PMGD175XNE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:47:310 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 電子發燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:230 電子發燒友網站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-02 11:25:410 電子發燒友網站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:33:410 電子發燒友網站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:16:450 電子發燒友網站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-20 16:29:230 這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換損耗 應用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522291 
新潔能研發團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
2025-08-22 18:02:351530 
仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、100A大電流承載能力及優異的開關特性，適用于各類開關應用（如
2025-11-06 15:44:22308 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通損耗、50A大電流承載能力及快速開關特性，適用于各類開關應用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高穩定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性，適用于各類開關應用場景。一、產品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305
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