隨著柔性光電器件的快速發展，傳統ITO(氧化銦錫)透明導電薄膜因其本征脆性和波段局限性，難以滿足下一代柔性電子產品對短波紅外波段的應用需求。金(Au)因其優異的延展性和導電性能成為理想的替代材料。Flexfilm費曼儀器全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領域。

本文系統研究了在0.4μm~2.5μm波段范圍內極薄金薄膜的透明導電性能。首先采用電阻熱蒸發技術制備不同厚度單層金薄膜，通過橢偏儀測試光學常數，并將計算透過率與實測值進行比對，驗證了測試方法的可靠性。針對單層金屬薄膜難以兼顧高透過率與高導電性的問題，系統研究了AZO、Cu、Cr三種浸潤層對金薄膜光電性能的影響，為寬波段柔性透明導電薄膜的制備提供了有價值的參考。

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極薄金薄膜光學特性研究

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氧化銦錫（ITO）薄膜和研究方案圖例

金屬薄膜的光學特性基礎

金屬薄膜的光學常數(折射率n和消光系數k)由其本征特性和微觀結構共同決定，且隨厚度變化。在極薄狀態下，薄膜呈島狀結構，顆粒分布不均，導致其n、k值與連續膜差異顯著。薄膜的導電性用方阻表征，隨著厚度增加，薄膜從島狀轉變為層狀，電導率增大，方阻降低。

極薄金薄膜的制備與光學常數測定

采用電阻熱蒸發法在潔凈的K9玻璃和硅片上同步沉積厚度為5nm、8nm、11nm、15nm、20nm的單層金薄膜，沉積速率0.4?/s，本底真空度優于3.0×10?3Pa。

使用Flexfilm費曼儀器全光譜橢偏儀，配合Lorentz色散模型，對硅基底上的金薄膜進行光學常數擬合。結果顯示薄膜厚度對光學常數影響顯著：8nm金膜的n、k值在短波區波動較大，這是島狀結構導致的色散和等離子體共振吸收所致；20nm金膜的n、k值曲線隨波長變化更為平緩，趨勢上更接近塊狀金的參考值，表明薄膜已趨于連續。隨著厚度增加，折射率總體降低并向塊體值靠近，消光系數則增大并向塊體值靠近。

透過率驗證與形貌表征

將Flexfilm橢偏儀測得的各厚度金膜光學常數導入TFC膜系設計軟件計算理論透過率，同時使用分光光度計實測玻璃基底上對應厚度金膜的透過率。兩者對比吻合良好，驗證了橢偏儀所測光學常數的可靠性。

實測結果表明，單層金膜透過率隨厚度增加而降低：5nm金膜在550nm處透過率可達70%，但直至厚度達11nm時才具備導電性，而此時透過率已大幅下降至20%以下，凸顯了單層金膜難以兼顧高透與高導的矛盾。

SEM圖像直觀揭示了這一現象：8 nm和11 nm薄膜呈現明顯的島狀結構，空隙多；15 nm開始出現連接；20 nm時形成較為連續但仍有空隙的薄膜，微觀形貌變化與光電性能變化完全吻合。

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含有浸潤層的極薄金薄膜制備與表征

浸潤層的作用原理

根據薄膜生長的楊氏方程，引入合適的浸潤層可以改變基底與金屬膜層之間的界面能，降低金屬原子的擴散勢壘，提供更多成核位點，從而促進金屬薄膜從"島狀生長"向"層狀生長"模式轉變，有效降低連續成膜的臨界厚度。本章通過品質因子(FOM=T1?/R?)綜合評估薄膜的光電性能。

浸潤層材料的探索與篩選

AZO浸潤層

采用磁控濺射法在K9玻璃上沉積AZO薄膜，并在此基礎上熱蒸發6nm金膜。首先研究氧氣流量的影響，結果表明不通入氧氣時沉積的AZO浸潤層，其上的金薄膜表現出更好的導電性和更高的透過率。其次固定無氧條件，研究AZO厚度(10-130nm)的影響。

結果顯示，加入AZO浸潤層后，所有樣品的6nm金膜均表現出導電性，遠優于單層金膜(11nm才導電)，證實了浸潤層降低臨界厚度的作用。透過率方面，隨著AZO厚度增加，整體透過率呈下降趨勢。綜合評估，當AZO厚度為50 nm時性能最佳：在整個400-2500nm波段平均透過率保持在50%以上，方阻40Ω/□。

金屬浸潤層(Cu和Cr)

Cu浸潤層：采用熱蒸發法在K9玻璃上沉積不同厚度和速率的Cu層，再沉積6 nm Au膜。研究發現，Cu層沉積速率對薄膜性能有影響，在3 nm Cu層上沉積速率為0.22 nm/s時品質因子最高。優化Cu層厚度發現，Cu層越厚方阻越低(6 nm Cu時方阻低至27Ω)，但透過率顯著下降，尤其在近紅外波段。K9 / 5 nm Cu / 6 nm Au組合方阻30Ω/□，但在700nm后透過率持續下降，短波紅外僅20%左右，未滿足全波段透過率要求。

Cr浸潤層：嘗試Cr作為浸潤層，雖然加入后6 nm金膜具備導電性，但Cr熔點高，熱蒸發沉積困難，膜層不均勻，對光電性能提升有限，主要起粘附層作用，未作為優選。

浸潤層的最終選擇

對比三種浸潤層的最優結果，K9 / 50 nm AZO / 6 nm Au組合的FOM值遠高于其他兩者，且透過率在整個目標波段內穩定達標。因此，最終選定該結構為最優膜層組合。

金薄膜厚度優化

在確定50 nm AZO為最優浸潤層后，進一步優化其上金薄膜的厚度(4 nm、6 nm、8 nm、11 nm)。結果表明，金膜厚度4 nm時透過率最高但方阻偏大；厚度增至8 nm和11 nm時方阻進一步降低，但透過率已無法滿足指標。只有當金膜厚度為6 nm時，才能同時滿足平均透過率>50%和方阻<100Ω/□的技術要求。最終確定的極薄金透明導電薄膜結構為：K9 / 50 nm AZO / 6 nm Au。

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極薄金透明導電薄膜的退火處理

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退火實驗設計

為了進一步提升K9 / 50 nm AZO / 6 nm Au薄膜的光電性能，對其進行真空退火處理。將五片相同條件下制備的樣品分別在100°C、150°C、200°C、250°C和300°C下退火30分鐘，冷卻后測試透過率和方阻變化。

退火結果與分析

與未退火樣品相比，退火后薄膜性能發生規律性變化。隨著退火溫度升高，透過率總體呈現逐漸降低趨勢，但100°C和150°C退火的樣品透過率曲線與未退火樣品最為接近。從方阻變化來看，100°C退火后，薄膜方阻從40Ω/□降低至約30Ω/□，下降了10Ω/□，導電性得到改善。當退火溫度升至150°C及以上時，方阻開始回升，250°C和300°C退火后方阻顯著增大，薄膜性能惡化。

分析認為，適當的低溫退火(如100°C)有助于釋放薄膜內應力、減少晶體缺陷、促進晶粒適度長大，從而減少載流子散射，提高導電性，同時對透過率影響較小。而過高的退火溫度可能導致薄膜團聚、晶粒異常長大、層間擴散加劇，破壞薄膜的連續性和均勻性，導致性能下降。因此，100 °C是最佳退火溫度。

本研究通過系統實驗得出以下結論：首先，采用Flexfilm全光譜橢偏儀成功測定了不同厚度（5~20 nm）極薄金薄膜的光學常數，證實其折射率（n）和消光系數（k）與厚度強相關，并隨厚度增加逐漸趨近于塊狀金的光學常數；將所測數據導入TFC軟件反演計算的透過率與分光光度計實測值高度吻合，驗證了光學常數測試的可靠性，結合SEM圖像從微觀形貌上闡明了薄膜從島狀生長向層狀生長轉變對光電性能的影響規律。其次，針對單層金薄膜難以兼顧高透過率與高導電性的難題，引入浸潤層有效降低了金薄膜的臨界厚度。對比AZO、Cu、Cr三種浸潤層的光電性能，發現AZO效果最佳，優化后確定的膜層結構為K9玻璃基底 / 50 nm AZO / 6 nm Au，在0.4~2.5 μm寬波段范圍內平均透過率達到50%以上，方阻為40 Ω/□，全面滿足課題技術指標。最后，對最優膜系進行真空退火處理，發現100 ℃為最佳退火溫度，退火30 min后薄膜方阻降低10 Ω/□，而透過率基本保持不變，表明適當的熱處理可進一步優化薄膜的綜合性能。

Flexfilm費曼儀器全光譜橢偏儀

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Flexfilm費曼儀器全光譜橢偏儀擁有高靈敏度探測單元和光譜橢偏儀分析軟件，專門用于測量和分析光伏領域中單層或多層納米薄膜的層構參數（如厚度）和物理參數（如折射率n、消光系數k）

• 先進的旋轉補償器測量技術：無測量死角問題。
• 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量：先進的光能量增強技術，高信噪比的探測技術。
• 秒級的全光譜測量速度：全光譜測量典型5-10秒。
• 原子層量級的檢測靈敏度：測量精度可達0.05nm。

Flexfilm費曼儀器全光譜橢偏儀能非破壞、非接觸地原位精確測量超薄圖案化薄膜的厚度、折射率,結合費曼儀器全流程薄膜測量技術，助力半導體薄膜材料領域的高質量發展。

原文參考：《極薄金薄膜制備及其透明導電特性研究》

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