橢偏測試技術具有非接觸、高靈敏、無樣品破壞優勢，廣義橢偏儀因可測各向同性與異性樣品成研究熱點，但需變角結構實現多角度測量。當前立式橢偏儀存在雙電機配合難或裝配精度高問題，臥式橢偏儀光路不易對準，且缺乏低成本、高集成度且精確變角控制的方案。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領域。

本文提出單驅動變角式橢偏儀，設計其變角結構與補償器運動部件，經測試，空氣透射式測量重復性精度<0.014，121.5nm 標準 SiO?薄膜樣片多角度反射測量<0.040，為低成本、易控制的橢偏儀設計提供新方案。

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單驅動變角結構設計

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單驅動變角式橢偏儀結構示意圖

為解決當前橢偏儀變角結構“桿件多、設計復雜、控制精度要求高、光路難對準”的問題，本文提出的單驅動變角結構，核心由起偏臂、檢偏臂、樣品臺三部分組成，采用“固定起偏臂，同步旋轉檢偏臂與樣品臺”的方式實現多角度測量。

根據光學反射原理，當樣品臺與檢偏臂的轉速比為1:2時，能恰好保證橢偏測量系統的光路準直，這是該結構實現精準測量的關鍵設計點。

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雙旋轉補償器式橢偏測量原理

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雙旋轉補償器式廣義橢偏儀測量原理圖

雙旋轉補償器式橢偏測量的核心原理，是通過“調制 - 反射 - 解調 - 采集”的流程獲取樣品參數：

光源發出的光束經起偏器（P）與補償器 C?調制，轉化為偏振光；

偏振光經樣品（Y）表面反射后，偏振態發生改變；

改變后的偏振光經補償器 C?與檢偏器解調，再由探測器（D）采集光信號；

通過分析光束反射前后的光強變化，可計算出樣品的 16 個穆勒矩陣元素，進而得到樣品的光學參數（如厚度、折射率）。

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雙旋轉補償器運動控制

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補償器 C?與 C?的“同步同方向旋轉”是精準測量穆勒矩陣元素的核心前提。采用一個4相步進同步電機，通過同步傳動機構，按照預設的1:2轉速比，同時帶動檢偏臂和樣品臺旋轉至上位機指定的入射角度（如30°、45°、60°、75°）。

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上位機軟件集成

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基于LabVIEW平臺開發了圖形化人機交互控制界面。該界面集成了四大功能區域：

初始化配置區： 用于設置測量參數與系統初始化。

變角結構控制區：實現入射角的精確設定與控制。

補償器運轉控制區： 控制雙補償器的啟停、轉速與同步。

數據讀取區： 實時顯示與保存探測器采集的光強數據。

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實驗驗證與性能分析

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為評估所搭建系統的可行性與測量精度，進行了嚴格的重復性測試。測試樣品與方法：

空氣樣本： 采用透射式測量；標準SiO?薄膜樣片（厚度121.5 nm）： 采用反射式測量，并在30°、45°、60°、70°四個入射角下進行。每個測量條件下均重復10次，以評估其重復性精度。

評價指標：采用重復性精度(δ)作為關鍵性能指標，其計算公式為：

x?為單次測量值（n=10）

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結果與討論

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空氣樣本10次測量光強變化圖

透射式10次測量重復性精度變化圖

空氣樣本測試：10次透射測量的歸一化光強曲線高度重合。對所有360個采樣點計算出的重復性精度均小于0.014，證明了系統在理想透射條件下具有極佳的穩定性與重復性。

四個角度光強值變化圖

4個角度10次測量重復性精度變化圖

SiO?薄膜樣片測試： 在多角度反射測量中，系統同樣表現出良好的重復性。各角度下360個采樣點的重復性精度均滿足：30° < 0.040，45° < 0.025，60° < 0.035，70° < 0.035。總體而言，多角度反射測量的重復性精度優于0.040。

性能對比分析：反射測量精度略低于透射測量，其主要原因是激光經樣品反射后光強發生顯著衰減，導致環境噪聲和探測器本身的相對誤差增大，從而對測量重復性造成了影響。這在光學測量中是常見的現象。

本文成功設計并實現了一套用于單驅動變角式橢偏儀的控制系統。通過對變角結構和雙補償器進行精密的運動控制設計，并集成友好的上位機軟件，解決了傳統橢偏儀在結構復雜性和光路對準方面的部分難題。重復性實驗結果表明，該系統在透射與多角度反射測量模式下均能達到良好的重復性精度（透射<0.014，反射<0.040）。該研究為開發低成本、易控制、結構緊湊的橢偏儀提供了一種有效的技術方案和設計思路。

Flexfilm全光譜橢偏儀

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全光譜橢偏儀擁有高靈敏度探測單元和光譜橢偏儀分析軟件，專門用于測量和分析光伏領域中單層或多層納米薄膜的層構參數（如厚度）和物理參數（如折射率n、消光系數k）

• 先進的旋轉補償器測量技術：無測量死角問題。
• 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量：先進的光能量增強技術，高信噪比的探測技術。
• 秒級的全光譜測量速度：全光譜測量典型5-10秒。
• 原子層量級的檢測靈敏度：測量精度可達0.05nm。

Flexfilm全光譜橢偏儀能非破壞、非接觸地原位精確測量超薄圖案化薄膜的厚度、折射率,結合費曼儀器全流程薄膜測量技術，助力半導體薄膜材料領域的高質量發展。

原文參考：《單驅動變角式廣義橢偏儀的控制系統設計》

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