作為下一代高能量密度技術的代表,全固態電池(SSBs)備受矚目。其中,硅(Si)負極憑借其接近金屬鋰的超高理論比容量(3579 mAh g?1)和適中的工作電位(約0.1-0.5 V vs. Li?/Li),成為取代鋰金屬負極的理想選擇。更重要的是,相比鋰銦(Li-In)合金,硅負極表現出更高的臨界電流密度,且本質上對鋰枝晶形成具有抵抗力。然而,硅基全固態電池目前面臨著嚴重的電化學可逆性差和庫倫效率(CE)低下的問題,尤其是首次庫倫效率(ICE),這極大地限制了其實際容量利用率和能量密度。
目前,采用硫化物固態電解質(如Li?PS?Cl,LPSC)的硅基半電池 ICE 通常僅為 78-90%,而在與 NCM 正極匹配的全電池中,ICE 甚至低于 85%。研究表明,初始充放電循環中的不可逆鋰損失主要源于兩方面:一是用于形成固體電解質中間相(SEI)的鋰消耗(C-Li,約占12%),這歸因于硅與 LPSC 界面較差的(電)化學兼容性;二是動力學受限的鋰(K-Li,約占11%),源于體相和界面離子/電子傳輸動力學緩慢,導致絕緣死鋰硅合金的形成。
盡管已有預鋰化、鋰硅合金負極及新型固態電解質(如 LBHI)等策略嘗試解決上述問題,但仍存在安全隱患、界面副反應加劇或高溫運行受限等挑戰。針對這一瓶頸,本文提出了一種基于鹵化物化學的表面鹵化工程策略。利用AlCl?與 SiO?的熱力學反應活性,將硅顆粒表面的惰性無定形SiO?鈍化層轉化為功能性的Al(Si)OCl復合層。這一人工界面層不僅解決了界面不兼容問題,還構建了快速的離子/電子傳輸通道,有效抑制了不可逆鋰損失。
表面鹵化改性機制
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研究團隊選擇 AlCl?作為鹵化劑,是因為其沸點適中且能與 SiO?自發反應。通過簡單的混合加熱工藝(180°C),實現了硅顆粒表面的改性(命名為Si@AlCl?)。

鹵化反應的驗證實驗及 Si@AlCl?的結構/元素表征
如圖所示,XRD、拉曼光譜和 XPS 分析證實,AlCl?作為路易斯酸催化劑,將硅表面的原生 a-SiO?層轉化為結晶的AlOCl和殘留的 AlCl?(統稱為 SA 層),同時完全消除了 SiO?。HRTEM 圖像清晰顯示,改性后硅顆粒表面的 5-10 nm 非晶層消失,取而代之的是具有晶格條紋的鹵化層。
抑制不可逆鋰損失與提升 ICE
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電化學測試表明,Si@AlCl?負極展現出卓越的可逆性。在 25°C 下,半電池 ICE 達到94.3%,顯著高于純硅負極的 88.4%。硅活性材料的比充電容量也從 2924 mAh g?1提升至3324.6 mAh g?1。更重要的是,利用中子深度剖析(NDP)技術結合氣相色譜(GC)分析,研究人員量化了不可逆鋰損失的分布。

不可逆鋰損失的研究
結果顯示,Si@AlCl?負極界面處的鋰濃度大幅降低,表明用于 SEI 形成的 C-Li 減少(從 9.9% 降至 7.5%);同時體相中的鋰含量也急劇下降(從 1.5% 降至 0.1%),意味著動力學受限的 K-Li 得到有效緩解。XPS 分析進一步揭示,循環過程中生成的LiCl和AlOCl組分在電化學上保持相對穩定,構成了堅固的 SEI,持續保障了后續循環的可逆性。
化學/電化學兼容性與動力學增強
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XPS 和 EIS 分析證實,純硅負極與 LPSC 電解質之間存在嚴重的化學副反應,生成大量氧化態的磷硫化合物,導致界面阻抗隨時間不斷增加。相比之下,Si@AlCl?與 LPSC 表現出優異的化學兼容性,界面阻抗低且穩定。
在電化學穩定性方面,循環后的 Si 負極界面出現大量孔洞和氯元素聚集,表明界面失效嚴重。而 Si@AlCl?負極即使在多次循環后仍保持界面清晰完整。這種穩定的界面極大提升了電荷轉移動力學。GITT測試表明,Si@AlCl?負極在放電過程中呈現直接的單相轉變(Si 到 Li?.??Si),繞過了純硅負極初始的固溶反應階段,且平均擴散系數更高(2.96×10?1?cm2s?1),證明了更快的離子傳輸和反應動力學。
全電池性能與普適性驗證
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得益于上述優勢,Si@AlCl?負極在長循環中表現出色。在 10.5 A g?1的高倍率下循環 400 次后,容量保持在約 700 mAh g?1,平均 CE 高達99.998%。

采用鹵化物鹽驅動改性策略的硅基全固態電池的電化學性能
特別是在無導電碳、無粘結劑的高載量(>10 mAh cm?2)條件下,Si@AlCl?負極在 5.1 mA cm?2電流密度下循環 500 次后仍保持 72% 的容量,遠超迅速失效的純硅負極。與商業NCM811正極組裝的全電池在 200 次循環后容量保持率為 80%,平均 CE 超過 99.95%。若結合預鋰化技術,全電池 ICE 可進一步提升至86.6%。
最后,該研究驗證了鹵化物改性策略的普適性,包括 TaCl?、BiCl?等其他金屬氯化物也展現出類似的增強效果。這一發現為開發高可逆性、高能量密度的硅基全固態電池提供了一條極具前景的通用路徑。
原文參考:Surface halogenation engineering for reversible silicon-based solid-state batteries
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