該DRV8210P是一個集成電機驅動器,具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩壓器和保護電路。三重電荷泵架構允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作,以適應 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器,以減小 PCB 上電機驅動器的整體解決方案尺寸,并允許 100% 占空比運行。
該DRV8210P支持行業標準PWM(IN1/IN2)控制接口。nSLEEP引腳控制低功耗睡眠模式,通過禁用內部電路實現超低靜態電流消耗。
*附件:drv8210p.pdf
該器件可提供高達 1.76A 的峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 1.65 V 至 5.5 V。
該驅動器提供強大的內部保護功能,包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (TSD)。
該DRV8210P是引腳可擴展R器件系列的一部分 DS(開) 以及電源電壓選項,以最小的設計更改支持各種負載和電源軌。有關該系列中設備的信息,請參見第 5 節。在 ti.com 上查看我們完整的有刷電機驅動器產品組合。
特性
- N 溝道 H 橋電機驅動器
- MOSFET 導通電阻:HS + LS 1 Ω
- 驅動一個雙向有刷直流電機
- 一個單線圈或雙線圈閉鎖繼電器
- 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
- 高輸出電流能力:1.76A 峰值
- 標準PWM接口(IN1/IN2)
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 超低功耗睡眠模式
- 保護功能
- 欠壓鎖定 (UVLO)
- 過流保護 (OCP)
- 熱關斷 (TSD)
- 設備系列。有關詳細信息,請參閱第 5 節。
參數
?1. 核心特性?
- ?驅動架構?:集成4個N溝道MOSFET的H橋,支持驅動有刷直流電機、單/雙線圈閉鎖繼電器。
- ?電壓范圍?:
- 工作電壓:1.65V至11V(VM引腳),兼容1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。
- 峰值輸出電流:1.76A(PWM控制模式)。
- ?控制接口?:
- ?PWM模式?:標準IN1/IN2接口,支持正向/反向/制動/滑行控制。
- ?超低功耗睡眠模式?:通過nSLEEP引腳控制,靜態電流<84.5nA(@5V VM)。
- ?集成保護?:
- 電荷泵架構支持100%占空比運行,內置電容減少PCB面積。
?2. 關鍵參數?
| ?參數? | ?值? | ?條件? |
|---|---|---|
| MOSFET導通電阻(HS+LS) | 1Ω | 典型值 |
| 邏輯供電電壓(VCC) | 1.65V-5.5V | 支持低電壓MCU直連 |
| 過流保護閾值(IOCP) | 1.76A | 峰值電流限制 |
| 熱關斷溫度(TSD) | 153°C(觸發) | 滯后22°C恢復 |
| 封裝尺寸 | WSON-8(2mm×2mm) | 兼容DRV8837/C封裝 |
?3. 典型應用?
- ?消費電子?:電動牙刷、美容儀、電子玩具。
- ?工業設備?:電表、氣表、網絡攝像頭IR濾光片驅動。
- ?醫療設備?:血壓計、輸液泵。
- ?繼電器驅動?:支持單/雙線圈閉鎖繼電器控制。
?4. 保護機制?
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:VCC<1.65V時禁用輸出。
- ? 過流保護(OCP) ?:電流超1.76A時觸發(4.2μs消隱時間)。
- ? 熱關斷(TSD) ?:結溫超153°C時停機。
- ?故障恢復?:自動重試機制(tRETRY=1.7ms)。
?5. 設計要點?
- ?布局建議?:
- VM引腳需并聯0.1μF陶瓷電容+大容量電解電容。
- 熱焊盤必須連接PCB地平面(RθJA=99.6°C/W)。
- ?電流檢測?:可通過GND引腳外接分流電阻(最大150mV壓降)。
- ?家族兼容性?:與DRV8212P(280mΩ)、DRV8220(18V)引腳兼容。
?6. 控制邏輯表?
| ?nSLEEP? | ?IN1? | ?IN2? | ?OUT1? | ?OUT2? | ?狀態? |
|---|---|---|---|---|---|
| 0 | X | X | Hi-Z | Hi-Z | 睡眠模式 |
| 1 | 0 | 0 | Hi-Z | Hi-Z | 滑行(高阻態) |
| 1 | 0 | 1 | L | H | 反向驅動 |
| 1 | 1 | 0 | H | L | 正向驅動 |
| 1 | 1 | 1 | L | L | 制動(慢衰減) |
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