DRV8256E/P 器件是單 H 橋電機驅動器，適用于各種工業應用。這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩壓器、電流檢測和調節以及保護電路。

集成電流檢測允許驅動器在啟動和高負載事件期間調節電機浪涌電流。電流限制可以通過可調節的外部基準電壓源進行設置。集成電流檢測采用內部電流鏡架構，無需大型功率分流電阻，節省電路板面積并降低系統成本。提供低功耗睡眠模式，通過關閉大部分內部電路來實現超低靜態電流消耗。
*附件：drv8256.pdf

為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （TSD） 提供內部保護功能。故障情況在 nFAULT 上指示。

特性

• N 溝道 H 橋電機驅動器
  • 驅動一個雙向有刷直流電機
  • 兩個單向有刷直流電機
• 集成電流檢測和調節
• 4.5 V 至 48 V 工作電源電壓范圍
• 多種控制接口選項
  • 相位/使能 （PH/EN）
  • PWM（輸入/輸入）
• 智能調諧、快速和混合衰減選項
• 低R DS（開） ：165 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 高輸出電流能力：6.4A 峰值
• 限制有刷直流電機的浪涌電流
• 可配置的關斷時間PWM斬波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8 V、3.3 V、5.0 V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （2 μA）
• 擴頻時鐘，實現低 EMI
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數

方框圖

?1. 核心特性?

• ?驅動架構?：集成N溝道H橋，支持雙向有刷直流電機、雙單向電機、繼電器及電磁閥負載。
• ?電壓范圍?：
  • 工作電壓：4.5V至48V（VM引腳），兼容1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。
  • 峰值輸出電流：6.4A（VREF=5V時）。
• ?控制接口?：
  • ?PH/EN模式?：方向（PH）與使能（EN）獨立控制。
  • ?PWM模式?（IN1/IN2）：雙引腳PWM控制。
• ?智能電流調節?：
  • 集成電流鏡像傳感，無需外部分流電阻。
  • 支持智能調諧（Smart Tune）技術，提供動態/混合/快速衰減模式。
  • 可調PWM消隱時間（7/16/24/32μs）。

?2. 保護機制?

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：VM或電荷泵電壓不足時禁用輸出。
• ? 過流保護（OCP） ?：峰值電流超8A觸發，2μs消隱后自動重試。
• ? 熱關斷（TSD） ?：結溫超165°C停機，滯后20°C恢復。
• ?故障指示?：開漏輸出nFAULT引腳。

?3. 封裝與型號?

• ?封裝選項?：
  • ? HTSSOP-28（PWP） ?：9.7mm×4.4mm，帶散熱焊盤。
  • ? VQFN-24（RGE） ?：4mm×4mm，超薄設計。
• ?型號對比?：| 型號 | RDS(on) (mΩ) | 控制接口 | 休眠電流 |
  | ---------- | --------------- | ------------ | ---------- |
  | DRV8256E | 165（24V時） | PH/EN或PWM | 2μA |
  | DRV8256P | 165 | 僅PWM | 2μA |

?4. 典型應用?

• ?電機驅動?：打印機、ATM機、家用電器、機器人關節。
• ?電流調節?：通過VREF引腳電阻分壓設置電流閾值（ITRIP = VREF/0.66 V/A）。
• ?布局建議?：
  • VM引腳需并聯0.01μF陶瓷電容+大容量電解電容。
  • 散熱設計：PWP封裝需通過散熱焊盤連接PCB地平面，推薦多via散熱。

?5. 關鍵參數?

• ?導通電阻?：165mΩ（高/低側MOSFET，24V/25°C）。
• ?開關時間?：上升/下降時間100ns（典型值）。
• ?熱阻?：
  • PWP封裝：RθJA=29.7°C/W。
  • RGE封裝：RθJA=39°C/W。