DRV8256E/P 器件是單 H 橋電機驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護電路。

集成電流檢測允許驅(qū)動器在啟動和高負載事件期間調(diào)節(jié)電機浪涌電流。電流限制可以通過可調(diào)節(jié)的外部基準(zhǔn)電壓源進行設(shè)置。集成電流檢測采用內(nèi)部電流鏡架構(gòu)，無需大型功率分流電阻，節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。提供低功耗睡眠模式，通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。
*附件：drv8256.pdf

為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （TSD） 提供內(nèi)部保護功能。故障情況在 nFAULT 上指示。

特性

• N 溝道 H 橋電機驅(qū)動器
  • 驅(qū)動一個雙向有刷直流電機
  • 兩個單向有刷直流電機
• 集成電流檢測和調(diào)節(jié)
• 4.5 V 至 48 V 工作電源電壓范圍
• 多種控制接口選項
  • 相位/使能 （PH/EN）
  • PWM（輸入/輸入）
• 智能調(diào)諧、快速和混合衰減選項
• 低R DS（開） ：165 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 高輸出電流能力：6.4A 峰值
• 限制有刷直流電機的浪涌電流
• 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8 V、3.3 V、5.0 V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （2 μA）
• 擴頻時鐘，實現(xiàn)低 EMI
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?驅(qū)動架構(gòu)?：集成N溝道H橋，支持雙向有刷直流電機、雙單向電機、繼電器及電磁閥負載。
• ?電壓范圍?：
  • 工作電壓：4.5V至48V（VM引腳），兼容1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。
  • 峰值輸出電流：6.4A（VREF=5V時）。
• ?控制接口?：
  • ?PH/EN模式?：方向（PH）與使能（EN）獨立控制。
  • ?PWM模式?（IN1/IN2）：雙引腳PWM控制。
• ?智能電流調(diào)節(jié)?：
  • 集成電流鏡像傳感，無需外部分流電阻。
  • 支持智能調(diào)諧（Smart Tune）技術(shù)，提供動態(tài)/混合/快速衰減模式。
  • 可調(diào)PWM消隱時間（7/16/24/32μs）。

?2. 保護機制?

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：VM或電荷泵電壓不足時禁用輸出。
• ? 過流保護（OCP） ?：峰值電流超8A觸發(fā)，2μs消隱后自動重試。
• ? 熱關(guān)斷（TSD） ?：結(jié)溫超165°C停機，滯后20°C恢復(fù)。
• ?故障指示?：開漏輸出nFAULT引腳。

?3. 封裝與型號?

• ?封裝選項?：
  • ? HTSSOP-28（PWP） ?：9.7mm×4.4mm，帶散熱焊盤。
  • ? VQFN-24（RGE） ?：4mm×4mm，超薄設(shè)計。
• ?型號對比?：| 型號 | RDS(on) (mΩ) | 控制接口 | 休眠電流 |
  | ---------- | --------------- | ------------ | ---------- |
  | DRV8256E | 165（24V時） | PH/EN或PWM | 2μA |
  | DRV8256P | 165 | 僅PWM | 2μA |

?4. 典型應(yīng)用?

• ?電機驅(qū)動?：打印機、ATM機、家用電器、機器人關(guān)節(jié)。
• ?電流調(diào)節(jié)?：通過VREF引腳電阻分壓設(shè)置電流閾值（ITRIP = VREF/0.66 V/A）。
• ?布局建議?：
  • VM引腳需并聯(lián)0.01μF陶瓷電容+大容量電解電容。
  • 散熱設(shè)計：PWP封裝需通過散熱焊盤連接PCB地平面，推薦多via散熱。

?5. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?導(dǎo)通電阻?：165mΩ（高/低側(cè)MOSFET，24V/25°C）。
• ?開關(guān)時間?：上升/下降時間100ns（典型值）。
• ?熱阻?：
  • PWP封裝：RθJA=29.7°C/W。
  • RGE封裝：RθJA=39°C/W。