DRV8436E/P 器件是雙 H 橋電機驅動器，適用于各種工業應用。這些器件可用于驅動兩個直流電機或一個雙極步進電機。驅動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩壓器、電流檢測和調節以及保護電路組成。集成電流檢測采用內部電流鏡架構，無需大型功率分流電阻，節省電路板面積并降低系統成本。提供低功耗睡眠模式，通過關閉大部分內部電路來實現超低靜態電流消耗。為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （OTSD） 提供內部保護功能。DRV8436E/P 能夠驅動每個 H 橋高達 1.5A 滿量程或 1.1A rms 輸出電流（取決于 PCB 設計）。
*附件：drv8436e.pdf

特性

• 雙 H 橋電機驅動器
  • 一個雙極步進電機
  • 雙雙向有刷直流電機
  • 四個單向有刷直流電機
• 集成電流檢測功能
  • 無需檢測電阻
  • ±7.5% 滿量程電流精度
• 4.5 至 48V 工作電源電壓范圍
• 多種控制接口選項
  • 相位/啟用
  • PWM的
• 智能調諧衰減技術，固定慢速、快速和混合衰減選項
• 低R DS（開） ：900 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 每橋高電流容量：峰值 2.4 A、滿量程 1.5 A、1.1 均方根
• 可配置的關斷時間PWM斬波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （2 μA）
• 用于低電磁干擾 （EMI） 的擴頻時鐘
• 小封裝和占地面積
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數

方框圖

?1. 核心特性?

• ?雙H橋驅動架構?
  • 支持驅動：1個雙極步進電機、2個雙向有刷直流電機或4個單向有刷直流電機。
  • ?集成電流檢測?：無需外置采樣電阻，全量程電流精度±7.5%。
• ?寬電壓范圍?
  • 工作電壓4.5-48V，峰值電流2.4A（瞬態），RMS電流1.1A（持續）。
• ?智能控制技術?
  • ?Smart Tune動態衰減?：自動優化衰減模式（慢/混合/快衰減），適應負載變化。
  • ?可配置PWM關斷時間?：7/16/24/32μs可選。
• ?低功耗設計?
  • 睡眠模式靜態電流僅2μA，支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入。

?2. 關鍵功能?

• ?電流調節?
  • 通過VREFx引腳設置滿量程電流（IFS = VREFx/2.2）。
  • 支持非圓形半步模式（71%電流）以優化高速扭矩。
• ?多重保護機制?
  • 包括欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵欠壓（CPUV）、過流保護（OCP）、熱關斷（OTSD）及故障輸出（nFAULT）。

?3. 應用場景?

• ?工業設備?：打印機、ATM機、紡織機械。
• ?消費電子?：IP攝像頭、視頻會議設備。
• ?自動化?：機器人、工廠自動化系統。

?4. 封裝與版本?

• ?封裝選項?
  • HTSSOP-28（9.7mm×4.4mm）或VQFN-24（4mm×4mm）。
• ? 版本更新（SLVSFF0B） ?
  • 2022年7月（Rev B）：新增典型特性曲線，更新布局示例。
  • 2020年8月（Rev A）：文檔狀態變更為“生產數據”。

?5. 設計要點?

• ?電源設計?
  • VM需并聯0.01μF陶瓷電容（每引腳）和≥10μF電解電容。
  • 電荷泵電容：CPH-CPL=0.022μF，VCP-VM=0.22μF/16V。
• ?熱管理?
  • HTSSOP封裝RθJA=31.3°C/W，VQFN封裝RθJA=41.3°C/W。
• ?布局建議?
  • 優先使用4層PCB，縮短電機驅動回路以降低熱阻。