該DRV8212P是一款集成電機驅動器，具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩壓器和保護電路。三重電荷泵架構允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器，以減小 PCB 上電機驅動器的整體解決方案尺寸，并允許 100% 占空比運行。

該DRV8212P支持行業標準PWM（IN1/IN2）控制接口。nSLEEP引腳控制低功耗睡眠模式，通過禁用內部電路實現超低靜態電流消耗。
*附件：drv8212p.pdf

該器件可提供高達 4A 的峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 1.65 V 至 5.5 V。

該驅動器提供強大的內部保護功能，包括電源欠壓鎖定 （UVLO）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （TSD）。

該DRV8212P是引腳可擴展R DS（開） 以及電源電壓選項，以最小的設計更改支持各種負載和電源軌。

特性

• N 溝道 H 橋電機驅動器
  • MOSFET 導通電阻：HS + LS 280 mΩ
  • 驅動一個雙向有刷直流電機
  • 一個單線圈或雙線圈閉鎖繼電器
• 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
• 高輸出電流能力：4A 峰值
• 標準PWM接口（IN1/IN2）
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 超低功耗睡眠模式
  • <84.5 nA @ 伏 虛擬機 = 5 伏，伏 VCC的 = 3.3 伏，T J = 25°C
  • 引腳對引腳，帶DRV8837和DRV8837C
• 保護功能
  • 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關斷 （TSD）
• 設備系列。有關詳細信息，請參閱第 5 節。
  • DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多個接口
  • DRV8210P：睡眠引腳、PWM接口
  • DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多個接口
  • DRV8212P：睡眠引腳、PWM接口
  • DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多個接口

參數

?1. 核心特性?

• ?H橋驅動架構?：集成4個N溝道MOSFET（總導通電阻280mΩ），支持雙向直流電機、單/雙線圈繼電器驅動。
• ?寬電壓范圍?：工作電壓1.65-11V（邏輯電源VCC需≥1.65V），峰值輸出電流4A，支持100%占空比運行。
• ?超低功耗睡眠模式?：睡眠電流低至84.5nA（VVM=5V時），通過nSLEEP引腳控制，兼容DRV8837/C封裝。
• ?多保護機制?：欠壓鎖定（UVLO）、過流保護（OCP）、熱關斷（TSD）。

?2. 控制模式?

• ?PWM接口?（IN1/IN2）：支持正向/反向驅動、制動（低邊慢衰減）和高阻態（滑行）。
• ?邏輯兼容性?：兼容1.8V/3.3V/5V邏輯輸入，內部集成下拉電阻。

?3. 典型應用?

• ?消費電子?：電動牙刷、美容儀、玩具電機。
• ?工業設備?：智能鎖、水電表、IP攝像頭IR濾光片驅動。
• ?醫療設備?：血壓計、輸液泵。

?4. 關鍵設計參數?

• ?熱管理?：WSON封裝（2mm×2mm），RθJA=77.9°C/W，需優化PCB銅面積散熱。
• ?布局建議?：VM/VCC旁路電容（0.1μF陶瓷）需靠近引腳，縮短高電流路徑。
• ?電流檢測?：GND引腳串聯電阻（最大0.5V壓降）支持負載監測。

?5. 保護功能詳解?

• ?UVLO?：VCC<1.3V時禁用輸出，恢復后自動重啟。
• ?OCP?：過流觸發后禁用對應半橋，1.7ms后重試。
• ?TSD?：結溫>193°C關斷，滯后22°C恢復。

?6. 家族對比?

• ?DRV8210P?：1Ω導通電阻，支持多接口模式。
• ?DRV8212P?：280mΩ導通電阻，僅PWM接口。
• ?DRV8220?：4.5-18V寬壓，1Ω導通電阻。

?7. 文檔結構?

• 包含特性、引腳定義、電氣參數、功能框圖、應用示例及布局指南，提供完整的驅動配置與保護邏輯說明。