英飛凌CoolSiC MOSFET 1200V G2系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的Q-DPAK頂部冷卻封裝，針對(duì)高功率密度與高溫運(yùn)行場(chǎng)景優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、UPS、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及AI等領(lǐng)域。我們現(xiàn)推出IMCQ120R017M2H與IMCQ120R034M2H兩款器件免費(fèi)樣品試用活動(dòng)，誠(chéng)邀工程師、研發(fā)團(tuán)隊(duì)及行業(yè)小伙伴們親身體驗(yàn)！

為什么選擇Q-DPAK封裝？

Q-DPAK頂部散熱封裝技術(shù)旨在幫助設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化制造流程并提高功率密度，其核心理念在于將器件的電氣連接（在底部）與熱界面（在頂部）分離開來(lái)，從而巧妙結(jié)合了兩種傳統(tǒng)封裝方式的優(yōu)點(diǎn)。

傳統(tǒng)的TO-247封裝雖然能直接安裝在散熱器上以獲得良好的熱性能，但其通孔焊接（THT）工藝在PCB生產(chǎn)過程中需要人工處理，增加了制造復(fù)雜度。而標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝技術(shù)（SMT）器件（如TO-263-7）雖然支持全自動(dòng)處理，但熱量必須通過導(dǎo)熱率有限的PCB板耗散，限制了散熱性能。采用絕緣金屬襯底（IMS）雖能改善導(dǎo)熱，卻又會(huì)增加成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

CoolSiC Q-DPAK頂部散熱封裝則提供了“兩全其美”的解決方案：它既保留了SMT技術(shù)所帶來(lái)的全自動(dòng)制造效率，又能實(shí)現(xiàn)媲美媲美甚至超越標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的熱性能，通過器件頂部的專用散熱面直接連接高效散熱器，熱量得以快速耗散，從而顯著降低器件結(jié)溫，提升系統(tǒng)可靠性。

Q-DPAK頂部散熱設(shè)計(jì)支持更優(yōu)化的PCB布局，這不僅減少了寄生參數(shù)和雜散電感的影響，從而降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，還允許在標(biāo)準(zhǔn)PCB的兩面布置元器件，使得整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加緊湊和簡(jiǎn)易。結(jié)合其卓越的散熱能力，設(shè)計(jì)師能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率，最終實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

產(chǎn)品速覽

CoolSiC 1200V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)更高性能、更緊湊的設(shè)計(jì)

產(chǎn)品特點(diǎn)：

■SMD頂部散熱封裝

■雜散電感低

■CoolSiC MOSFET 1200V G2技術(shù)具備優(yōu)化的開關(guān)性能和FOM

■.XT擴(kuò)散焊

■最低RDS(on)

■封裝材料CTI>600, CD>4.8mm

■優(yōu)異的耐濕性能

■雪崩保護(hù)、短路保護(hù)和寄生導(dǎo)通PTO保護(hù)

應(yīng)用價(jià)值：

■更高功率密度

■支持自動(dòng)化組裝

■簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

■優(yōu)異的熱性能表現(xiàn)

■降低系統(tǒng)損耗

■支持950V RMS工作電壓

■卓越的可靠性

■降低TCO成本和BOM成本