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• 發布了文章 2026-03-19 17:04

  新品 | 英飛凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驅動器

  

  新品英飛凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驅動器CoolGaNDriveHB600VG5系列產品，在一個小巧的6x8TFLGA-27封裝中，集成了一個由兩個600VCoolGaNG5晶體管構成的半橋功率級、一個電平移位柵極驅動器以及一個自舉二極管。產品型號：■IGI60L1414B1M■IGI60L2727B1M■IGI60L5050B1M產品特

  GaN 英飛凌 驅動器

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• 發布了文章 2026-03-18 17:06

  英飛凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品質因數(FOM)介紹

  

  品質因數FOM是半導體性能的量化指標之一。MOSFET的FOM由漏-源導通電阻與器件的一個或多個參數的乘積得出。FOM值越低，器件性能越好。如下是對SiCMOSFET具有重要意義的品質因數：RDS(on)*Area:這是最常用的FOM，它代表了MOSFET技術的進步RDS(ON)×Qg:綜合反映靜態導通損耗與柵極驅動損耗，是器件選型與代際對比的基礎指標RDS

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發布了文章 2026-03-16 17:07

  直播報名丨2026年寬禁帶開發者論壇邀請函

  

  多年來，英飛凌寬禁帶開發者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領域專家聚集一堂的年度盛會。2026年3月17日（中國時間16點開始），我們將在慕尼黑演播室為您全程直播專業演講內容。我們的部門總裁Dr.PeterWawer（零碳工業功率事業部）和AdamWhite（電源與傳感系統事業部）的歡迎演講將為活動拉開帷幕，并就市場發展和英飛凌寬禁帶戰略提供深刻洞見。掃碼報名，預約

  寬禁帶半導體 碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2026-03-13 17:09

  新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 產品擴展

  

  新品CoolSiCG21200VMOSFET采用頂部散熱Q-DPAK封裝第二代CoolSiC1200VMOSFET，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，提供4mΩ和5mΩ兩種導通電阻規格，廣泛適用于的工業應用，包括電動汽車充電、光伏逆變器、不間斷電源、固態斷路器、工業驅動、人工智能以及商用電動車等。Q-DPAK封裝憑借其卓越的熱性能簡化了組裝流程，降低系統成本。與

  MOSFET SiC 封裝

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• 發布了文章 2026-03-12 17:07

  英飛凌繼續登頂全球微控制器市場榜首，進一步鞏固領先地位

  

  在整體市場小幅下滑的背景下，2025年市場份額達到23.2%（2024年為21.4%）集成汽車以太網以進一步強化面向軟件定義汽車的微控制器業務，并為人形機器人領域開辟增長機遇英飛凌為微控制器產品組合做好前瞻布局，以滿足未來網絡安全需求，如后量子加密全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司進一步鞏固其在全球微控制器市場的領導地位。根據Omdia

  以太網 微控制器 英飛凌

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• 發布了文章 2026-03-11 17:08

  巧妙分離電氣通路與散熱通路的碳化硅Q-DPAK頂部散熱封裝，實現極致功率密度

  

  英飛凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列產品采用先進的Q-DPAK頂部冷卻封裝，針對高功率密度與高溫運行場景優化設計，適用于電動汽車充電、光伏、UPS、固態斷路器、工業驅動及AI等領域。我們現推出IMCQ120R017M2H與IMCQ120R034M2H兩款器件免費樣品試用活動，誠邀工程師、研發團隊及行業小伙伴們親身體驗！為什么選擇Q-DPAK封裝

  散熱 電氣 碳化硅

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• 發布了文章 2026-03-09 17:09

  新品 | 適用于300kW+集中式光伏逆變器的EconoPACK™ 3系列模塊

  

  新品適用于300kW+集中式光伏逆變器的EconoPACK3系列模塊產品描述：■EconoPACK3B950V,600A，IGBT模塊，采用三電平NPC1拓撲，集成CoolSiC肖特基二極管■EconoPACK3B950V,400A，IGBT模塊，采用三電平Boost升壓拓撲，集成CoolSiC肖特基二極管產品型號：■F3L600R10N3S7F■F3L40

  SiC 二極管 光伏逆變器

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• 發布了文章 2026-03-03 17:34

  英飛凌215kW PCS方案實驗室實景直播全解析，demo板免費送！

  

  近年來，隨著光伏、風能等新能源快速發展，其波動性和大規模接入對電網穩定運行的影響已不容忽視。儲能系統由于可以平滑和穩定電壓，參與峰值功率調節，有利于減少新能源帶來的電力波動和改善電能質量，因此在源網側得到了廣泛應用和快速發展。目前應用于儲能系統的電芯技術正在快速發展，儲能PCS的功率也隨之不斷提升。IGBT器件作為PCS系統的核心部件，應用中的設計要點和輸出

  demo板 PCS 英飛凌

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• 發布了文章 2026-03-02 17:01

  新品 | CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模塊

  

  新品CoolSiCMOSFETM1H共源配置62mm模塊英飛凌推出1200V和2000VCoolSiCMOSFET62mm半橋模塊，結合M1H芯片技術，推出共源配置版本產品型號：■FF1MR12KM1H■FF3MR12KM1H■FF5MR20KM1H產品特性可靠的集成體二極管，提升熱性能極高的耐濕性卓越的柵極氧化物可靠性高宇宙射線耐受強度應用價值惡劣工況下性

  MOSFET SiC 芯片

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• 發布了文章 2026-02-26 17:06

  新品 | 英飛凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET

  

  新品英飛凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET為順應可再生能源領域中1500V直流母線應用日益增長的趨勢，英飛凌推出XHP2系列2300VCoolSiCMOSFET產品擴充。該系列產品電流規格豐富，最高可達2000A，并提供4kV或6kV的隔離電壓等級，非常適用于高功率應用。結合可靠耐用的.XT擴散焊技術，該產品在使用壽命和可靠性方面均達到

  MOSFET 碳化硅 英飛凌

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