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      新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC? G2 1200V MOSFET 產品擴展

      英飛凌工業半導體 ? 2026-03-13 17:09 ? 次閱讀
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      新品

      CoolSiC G2 1200V MOSFET

      采用頂部散熱Q-DPAK封裝

      5da96f48-1ebc-11f1-96ea-92fbcf53809c.png


      第二代CoolSiC 1200V MOSFET，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，提供4mΩ和5mΩ兩種導通電阻規格，廣泛適用于的工業應用，包括電動汽車充電、光伏逆變器、不間斷電源、固態斷路器、工業驅動、人工智能以及商用電動車等。


      Q-DPAK封裝憑借其卓越的熱性能簡化了組裝流程，降低系統成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件支持更優化的PCB布局，有助于降低寄生參數和雜散電感的影響，同時提供更優的熱管理能力。


      產品型號：

      ■IMCQ120R004M2H

      ■IMCQ120R005M2H

      5dcae880-1ebc-11f1-96ea-92fbcf53809c.jpg


      產品特性


      SMD頂部散熱封裝

      低雜散電感

      采用CoolSiC MOSFET 1200V G2技術，具備增強的開關性能和更優的優值系數

      .XT擴散焊

      極低的導通電阻

      封裝CTI>600，并設有模具溝槽（CD>4.8mm）

      優異的耐濕性

      具備雪崩、短路及功率循環耐受魯棒性


      應用價值


      更高的功率密度

      支持自動化組裝

      簡化設計

      相比底部散熱封裝，熱性能表現卓越

      降低系統功率損耗

      可在污染等級2條件下支持950V RMS電壓

      高可靠性

      優化成本


      競爭優勢


      提升功率密度

      相比底部散熱器件，熱性能顯著提升

      電氣設計更簡化


      應用領域


      電動汽車充電

      太陽能發電

      不間斷電源

      固態斷路器

      工業驅動

      人工智能

      商用電動車

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