鐵電存儲器FRAM
鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。
FRAM結構圖
FRAM技術特點：
非易失性：斷電后數據不會丟失，是非易失性存儲器；
讀寫速度快：無延時寫入數據，可覆蓋寫入；
壽命長：可重復讀寫，重復次數可達到萬億次，耐久性強，使用壽命長；
功耗低：待機電流低，無需后備電池，無需采用充電泵電路；
可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。
FRAM產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度，像工業標準的串行和并行接口，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
審核編輯 黃昊宇
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