隨機存取和非隨機存取的區別

　　1、隨機存取就是直接存取，可以通過下標直接訪問的那種數據結構，與存儲位置無關，例如數組。非隨機存取就是順序存取了，不能通過下標訪問了，只能按照存儲順序存取，與存儲位置有關，例如鏈表。

　　2、順序存取就是存取第N個數據時，必須先訪問前（N-1）個數據 （list），隨機存取就是存取第N個數據時，不需要訪問前（N-1）個數據，直接就可以對第N個數據操作 （array）。

　　隨機存取和非隨機存取的結構

　　1、順序存儲結構

　　在計算機中用一組地址連續的存儲單元依次存儲線性表的各個數據元素，稱作線性表的順序存儲結構。

　　順序存儲結構是存儲結構類型中的一種，該結構是把邏輯上相鄰的節點存儲在物理位置上相鄰的存儲單元中，結點之間的邏輯關系由存儲單元的鄰接關系來體現。由此得到的存儲結構為順序存儲結構，通常順序存儲結構是借助于計算機程序設計語言（例如c/c++）的數組來描述的。

　　順序存儲結構的主要優點是節省存儲空間，因為分配給數據的存儲單元全用存放結點的數據（不考慮c/c++語言中數組需指定大小的情況），結點之間的邏輯關系沒有占用額外的存儲空間。采用這種方法時，可實現對結點的隨機存取，即每一個結點對應一個序號，由該序號可以直接計算出來結點的存儲地址。但順序存儲方法的主要缺點是不便于修改，對結點的插入、刪除運算時，可能要移動一系列的結點。

　　2、隨機存儲結構

　　在計算機中用一組任意的存儲單元存儲線性表的數據元素（這組存儲單元可以是連續的，也可以是不連續的）。

　　它不要求邏輯上相鄰的元素在物理位置上也相鄰。因此它沒有順序存儲結構所具有的弱點，但也同時失去了順序表可隨機存取的優點。

　　鏈式存儲結構特點

　　1、比順序存儲結構的存儲密度小 （每個節點都由數據域和指針域組成，所以相同空間內假設全存滿的話順序比鏈式存儲更多）。

　　2、邏輯上相鄰的節點物理上不必相鄰。

　　3、插入、刪除靈活 （不必移動節點，只要改變節點中的指針）。

　　4、查找結點時鏈式存儲要比順序存儲慢。

　　5、每個結點是由數據域和指針域組成。

　　隨機存取的用途

　　SRAM：靜態隨機存取存儲器采取多重晶體管設計，通常每個存儲單元使用4-6只晶體管，但沒有電容器。SRAM主要用于緩存。

　　DRAM：動態隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現的晶體管和電容器構成，需要不斷地刷新。

　　FPM DRAM：快速頁模式動態隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據行列地址進行位元定位的全程中，FPM DRAM必須處于等待狀態，數據讀取之后才能開始處理下一位數據。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。

　　EDO DRAM：擴展數據輸出動態隨機存取存儲器在處理前一位數據的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位數據。只要前一位數據的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數據尋址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。

　　SDRAM：同步動態隨機存取存儲器利用了爆發模式的概念，大大提升了性能。這種模式在讀取數據時首先鎖定一個記憶行，然后迅速掃過各記憶列，與此同時讀取列上的位元數據。之所以有這種設計思想，是因為多數時候CPU請求的數據在內存中的位置是相鄰的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成為當今臺式機內存中應用最廣的一種。向二級緩存的最高傳輸速率約為528MB 每秒。

　　DDR SDRAM：雙倍速率同步動態RAM與SDRAM相似，但帶寬更高，即速度更快。向二級緩存的最高傳輸速率約為1064MB每秒。（133兆赫茲DDR SDRAM）。

　　RDRAM：Rambus動態隨機存取存儲器同先前的DRAM體系有著根本性的區別。由Rambus公司設計的RDRAM采用了Rambus直插式內存模組（RIMM），在外形尺寸和引腳構造方面類似于標準的DIMM。RDRAM與眾不同之處在于它采取一種特殊的高速數據總線設計，稱為Rambus信道。RDRAM內存芯片在并行模式下工作頻率可達800兆赫（數據速率1600兆字節）。由于操作速率很高，RDRAM產生的熱量要大大多于其他類型的芯片。為了驅散多余的熱量，Rambus芯片配有散熱器，這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。正如DIMM有其小外形版本一樣，生產商還為筆記本電腦設計了小外形RIMM。

　　信用卡內存：信用卡內存是一種享有專利權的獨立DRAM內存模組，使用時要將其插入筆記本電腦的特制長槽中。

　　PCMCIA內存卡：另一種用于筆記本電腦的獨立DRAM內存模組，這種內存卡不享有專利權，只要系統總線能與內存卡設置相互匹配，即可用于各種筆記本電腦。

　　CMOS RAM：CMOS RAM這一術語是指用于電腦和其他設備中的一種小容量存儲器，用來存儲硬盤設置等信息——有關詳細信息，請查見《計算機基本知識》一文。這種內存需要一個小型電池來供電，以維持存儲器的內容。

　　VRAM：視頻RAM，亦稱多端口動態隨機存取存儲器（MPDRAM），為顯示適配器和3D加速卡所專用。所謂“多端口”是指VRAM通常會有兩個獨立的訪問端口，而非單一端口，允許CPU和圖形處理器同時訪問RAM。VRAM位于圖形卡上，且種類繁多，其中很多享有專利權。VRAM的大小往往能決定顯示器的分辨率和色深度。VRAM還可以用來保存一些圖形專用信息，例如3D幾何數據和質素圖。真正的多端口VRAM往往價格不菲，因而當今的圖形卡使用SGRAM（同步圖形RAM）作為替代品。兩種顯存性能相差無幾，而SGRAM價格更為便宜。