雙數據速率同步動態隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫了一個紅圈。隨著設備日益縮小，已經沒有空間或沒有必要安裝這些完整的模塊了，因此，可能只需要在設備的主電路板上直接安放一個或多個這樣的芯片。

大多數人很可能沒有意識到他們擁有多少帶 DDR 存儲器的產品或設備。一些帶 DDR 存儲器的設備實例包括：服務器、PC、平板電腦、智能手機、GPS、汽車導航、電視、AV 接收器、電子閱讀器、IP 電話以及數字攝像機等。由于 DDR 用處如此廣泛，因此應用和要求也會變化多端。

DDR 芯片需要 2 伏電源。VDDQ 和 VTT 是兩種電源軌的名稱。VTT 電壓需要跟蹤一半的 VDDQ 電壓。此外，VTT 還需要能夠源出／吸入電流。VDDQ 通常是開關電源，而 VTT 則可以是開關電源，也可以是線性穩壓器。如果將線性穩壓器用作 VTT，那就必須采用能滿足源出及吸入電流要求的特別設計類型。Robert Kollman 撰寫了一篇非常好的電源技巧文章，更加詳盡地介紹了電源需求的由來。這些電源的電壓規范取決于 DDR 芯片類型。目前廣泛使用的 DDR 類型有四種（DDR4 即將推出）：

DDR1：VDDQ = 2.5V、VTT = 1.25V；

DDR2：VDDQ = 1.8V、VTT = 0.9V；

DDR3：VDDQ = 1.5V、VTT = 0.75V；

DDR3LV：VDDQ = 1.35V、VTT = 0.675V。

由于最終產品的范圍廣泛，因此電源電流有很大不同。服務器的存儲器電源可能使用大量的模塊并要求 100A 或更大的電流。手機或平板電腦可能需要 1 或 2 個芯片，而且只需要電流額定值為 1A 至 4A 的電源。PowerLab 具有很多專門針對 DDR 的設計，下面列舉了幾款：

PMP6807：使用 TPS51216 的 3-4.2Vin、4A 1.35Vout （VDDQ）、0.5A 0.675Vout （VTT） DDR3 LV — PMP6807 參考設計使用 TPS51216 生成低電壓 DRR3 電源。VDDQ 電源為 1.35V，支持 4A 電流。VTT 電源使用源出／吸入 LDO 生成，支持 0.5A 電流。此外，該設計還可充分利用高性能小型 MOSFET （CSD17313Q2） 為大部分負載范圍實現 90% 以上的效率；

PMP6807：使用 TPS51116 的 12Vin、9A 1.5Vout （VDDQ）、3A 0.75Vout （VTT） DDR3 — PMP5225 參考設計使用 TPS51116 生成 DDR3 電源軌。VDDQ 電源為 1.5V，輸出 9A 電流。VTT 電源使用源出／吸入 LDO 生成，支持高達 3A 的電流。采用 3x3 毫米封裝的高效率 MOSFET（CSD16406Q3） 可用于實現小尺寸和高性能；

PMP6807：使用 TPS40140 的 12Vin、80A 1.5V（僅 VDDQ）、DDR3 多相位同步降壓轉換器 — PMP3054 設計在四相位同步降壓轉換器中使用 2 x TPS40140 在 12V 輸入下生成 80A 1.5V 輸出。該設計工作頻率為 400KHz，可保持小尺寸；

PMP6807：使用 TPS40180 的 12Vin、60A 1.8V（僅 VDDQ）、DDR2 多相位同步降壓轉換器 — PMP3060 設計在 3 相位同步降壓轉換器中使用 3 x TPS40180 在 12V 輸入下生成 60A 1.8V 輸出。該設計每相位工作頻率為 250KHz，可保持高效率。

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