隨機存取存儲器為什么叫隨機存取存儲器？

　　1、隨機存取存儲器是根據地址訪問數據，而不是順序的訪問數據。

　　2、隨機訪問存儲器，或稱隨機存取記憶體（Random Access Memory，簡稱RAM），是一種在計算機中用來暫時保存數據的元件。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程式之臨時資料存儲媒介。它可以令電腦的容量提升，不同隨機存取記憶體也有不同的容量。

　　所謂「隨機訪問」，指的是當存儲器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，存取順序訪問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。

　　當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的儲存設備中（例如硬碟）。所以叫隨機存取存儲器。

　　隨機存取存儲器簡介

　　隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。

　　存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM）和動態隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM）。

　　隨機存取存儲器的結構

　　隨機存取存儲器由存儲矩陣、地址譯碼器、讀/寫控制電路、輸入/輸出電路和片選控制電路等組成，其結構示意圖如下：

　　1、存儲矩陣：由存儲單元構成，一個存儲單元存儲一位二進制數碼“1”或“0”。與ROM不同的是RAM存儲單元的數據不是預先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構成。

　　2、地址譯碼器：也是N取一譯碼器。

　　3、讀/寫控制電路：當R/W=1時，執行讀操作，R/W=0時，執行寫操作。

　　4、片選控制：當CS=0時，選中該片RAM工作， CS=1時該片RAM不工作。

　　隨機存取存儲器的特點

　　1、易失性

　　當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

　　2、對靜電敏感

　　正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

　　3、訪問速度

　　現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。

　　4、需要刷新（再生）

　　現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然后按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

　　隨機存取存儲器的類別

　　1、SRAM：靜態隨機存取存儲器采取多重晶體管設計，通常每個存儲單元使用4-6只晶體管，但沒有電容器。SRAM主要用于緩存。

　　2、DRAM：動態隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現的晶體管和電容器構成，需要不斷地刷新。

　　3、FPM DRAM：快速頁模式動態隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據行列地址進行位元定位的全程中，FPM DRAM必須處于等待狀態，數據讀取之后才能開始處理下一位數據。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。

　　4、EDO DRAM：擴展數據輸出動態隨機存取存儲器在處理前一位數據的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位數據。只要前一位數據的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數據尋址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。

　　5、SDRAM：同步動態隨機存取存儲器利用了爆發模式的概念，大大提升了性能。這種模式在讀取數據時首先鎖定一個記憶行，然后迅速掃過各記憶列，與此同時讀取列上的位元數據。之所以有這種設計思想，是因為多數時候CPU請求的數據在內存中的位置是相鄰的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成為當今臺式機內存中應用最廣的一種。向二級緩存的最高傳輸速率約為528MB 每秒。

　　6、DDR SDRAM：雙倍速率同步動態RAM與SDRAM相似，但帶寬更高，即速度更快。向二級緩存的最高傳輸速率約為1064MB每秒。（133兆赫茲DDR SDRAM）。

　　7、RDRAM：Rambus動態隨機存取存儲器同先前的DRAM體系有著根本性的區別。由Rambus公司設計的RDRAM采用了Rambus直插式內存模組（RIMM），在外形尺寸和引腳構造方面類似于標準的DIMM。RDRAM與眾不同之處在于它采取一種特殊的高速數據總線設計，稱為Rambus信道。RDRAM內存芯片在并行模式下工作頻率可達800兆赫（數據速率1600兆字節）。由于操作速率很高，RDRAM產生的熱量要大大多于其他類型的芯片。為了驅散多余的熱量，Rambus芯片配有散熱器，這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。正如DIMM有其小外形版本一樣，生產商還為筆記本電腦設計了小外形RIMM。

　　8、信用卡內存：信用卡內存是一種享有專利權的獨立DRAM內存模組，使用時要將其插入筆記本電腦的特制長槽中。

　　9、PCMCIA內存卡：另一種用于筆記本電腦的獨立DRAM內存模組，這種內存卡不享有專利權，只要系統總線能與內存卡設置相互匹配，即可用于各種筆記本電腦。

　　10、CMOS RAM：CMOS RAM這一術語是指用于電腦和其他設備中的一種小容量存儲器，用來存儲硬盤設置等信息——有關詳細信息，請查見為什么計算機需要電池？一文。這種內存需要一個小型電池來供電，以維持存儲器的內容。

　　11、VRAM：視頻RAM，亦稱多端口動態隨機存取存儲器（MPDRAM），為顯示適配器和3D加速卡所專用。所謂“多端口”是指VRAM通常會有兩個獨立的訪問端口，而非單一端口，允許CPU和圖形處理器同時訪問RAM。VRAM位于圖形卡上，且種類繁多，其中很多享有專利權。VRAM的大小往往能決定顯示器的分辨率和色深度。VRAM還可以用來保存一些圖形專用信息，例如3D幾何數據和質素圖。真正的多端口VRAM往往價格不菲，因而當今的圖形卡使用SGRAM（同步圖形RAM）作為替代品。兩種顯存性能相差無幾，而SGRAM價格更為便宜。

　　隨機存取存儲器的優缺點

　　優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache

　　缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大