Cypress Semiconductor公司推出新款序列非揮發靜態隨機存取內存(nvSRAM)，可支持儀表、工業以及汽車等應用所常用的I2C與SPI界面。新款組件提供高達104MHz的運作頻率，支持各種 SPI 組件(I2C產品則支持至3.4MHz)，并提供一款可選購的整合式實時頻率(RTC)，針對備份的關鍵數據提供時戳功能。

　　Cypress的 nvSRAM 采用儲存在外部電容器的電荷，而不是電池內的電荷，因此能兼容于標準 PCB 電路板的組裝制程。該 nvSRAM 并符合 RoHS 環保規格，可直接取代 SRAM 、電池供電SRAM (BBSRAM) 、以及 EEPROM 組件，提供高速非揮發數據儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把 SRAM 內的數據傳送到組件內的非揮發儲存區。而啟動電源時，數據再從非揮發性內存回存至 SRAM 。

　　針對儀表、工業、汽車以及磁盤陣列等應用中，Cypress的 nvSRAM 可提供高速數據傳輸，并在供電中斷時確保數據完整性，而無需要電池供電。該 nvSRAM 以Cypress S8 0.13微米 SONOS (硅氧化硅)嵌入式非揮發內存技術，實現卓越可靠性與效能，對于智慧電表、電力線通訊(PLC)、馬達驅動器、行車記錄器、磁盤陣列、醫療以及數據通訊系統等各種要求絕對非揮發數據安全性的應用而言， nvSRAM 是理想的解決方案。

　　新款序列式 nvSRAM 系列組件包含1-Mbit、512-Kbit、256-Kbit以及64-Kbit等各種組態版本。這些組件具備卓越的效能，以及高達104MHz的 SPI 運作頻率，支持 SPI Modes 0 與3模式、無限的讀/寫與 RECALL 記憶次數、以及長達20年的數據保存期。這些組件符合業界標準的小底面積8-SOIC與16-SOIC封裝。

　　Cypress正將 S8 技術套用到新一代 PSoC 混合訊號數組組件、可程序頻率等眾多產品。 SONOS 兼容于標準 CMOS 技術，并提供高耐用度、低功耗以及抗輻射等多項優點。Cypress的 S8 0.13微米 SONOS 技術已在其內部晶圓廠與多家晶圓代工伙伴的工廠中通過測試驗證。 SONOS 提供更卓越的擴充性與可制性，勝過其他磁性或鐵電型非揮發內存技術。

　　Cypress的序列 nvSRAM 提供I2C (1-Mbit: CY14B101J) 與 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)接口，采用小底面積的8-SOIC與16-SOIC封裝。此款組件提供512-Kbit、256-Kbit、以及64-Kbit 等密度版本，還可選購內建實時頻率的版本。新款組件目前開始送樣，預計4月起開始量產。