美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業Reliance Memory，以實現電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業化。

RRAM作為一種新型電腦存儲器，是基于一種新的半導體材料，依賴于溫度和電壓來存儲數據。RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數據處理延遲，同時延長未來移動設備的電池壽命，提供更快，更高能效的解決方案。

不過，目前RRAM材料需要多少溫度才會導致開關目前還是未知因素。由于沒有辦法測量由電力產生的熱量，研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。Rambus通過監測電子何時開始流過RRAM材料，團隊能夠測量材料形成導電通路所需的溫度，并驚喜地發現其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間，遠低于此前估計的1160°F（626.7℃）。未來的RRAM器件將需要更少的電力來產生這些溫度，使得它們更節能。

Rambus公司創立于1990年，公司創建之初便致力于高端存儲產品的研究與開發。由于其在內存技術上的先進性，很快成為了Intel下一代高性能處理器的主存平臺。

過去二十年，在PC時代Rambus憑借其DDR、SDRAM技術在芯片行業占據壟斷地位，通過投入研發，積累2500項專利。此前還通過與不少電腦內存片制造巨頭在法院打官司，大都陸續達成授權和解。該公司在2015年開始重組，并將業務擴展至芯片設計以外領域，授權公司出售自己品牌及由供應商生產的授權芯片，包括美光、AMD等。

兆易創新主要業務為閃存芯片及其衍生產品、微控制器產品的研發、技術支持和銷售，其產品廣泛應用于手持移動終端、消費類電子產品、物聯網終端、個人電腦及周邊，以及通信設備、醫療設備、辦公設備、汽車電子及工業控制設備等領域。

目前兆易創新已經成為國內的NORFlash領頭羊，并在存儲方面有很大投入。隨著Rambus和兆易創新合作建立一個在中國的合資企業，將會推進RRAM方面的研發投入并推向市場商用，此前沒有RRAM技術的兆易創新也將隨之受益。根據中國半導體行業協會數據，2012年以來，兆易創新為中國大陸地區最大的代碼型閃存芯片本土設計企業，也是最大的串行NORFlash設計企業。據TrendForce數據統計，按營業收入計算，2016年全球NorFlash市場公司排名第五位，市場占有率7%。