SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小。

　　但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

　　sram規格

　　一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。

　　還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。

　　Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。

　　sram基本特點

　　優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。

　　缺點，集成度低，掉電不能保存數據，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統以提高效率。

　　SRAM使用的系統：CPU與主存之間的高速緩存；CPU內部的L1/L2或外部的L2高速緩存；CPU外部擴充用的COAST高速緩存；CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

　　sram工作原理

　　假設準備往圖2的6T存儲單元寫入“1”，先將某一組地址值輸入到行、列譯碼器中，選中特定的單元，然后使寫使能信號WE有效，將要寫入的數據“1”通過寫入電路變成“1”和“0”后分別加到選中單元的兩條位線BL。

　　BLB上，此時選中單元的WL=1，晶體管N0，N5打開，把BL，BLB上的信號分別送到Q，QB點，從而使Q=1，QB=0，這樣數據“1”就被鎖存在晶體管P2，P3，N3，N4構成的鎖存器中。

　　寫入數據“0”的過程類似。SRAM的讀過程以讀“1”為例，通過譯碼器選中某列位線對BL，BLB進行預充電到電源電壓VDD，預充電結束后，再通過行譯碼器選中某行，則某一存儲單元被選中，由于其中存放的是“1”，則WL=1、Q=1、QB=0。

　　晶體管N4、N5導通，有電流經N4、N5到地，從而使BLB電位下降，BL、BLB間電位產生電壓差，當電壓差達到一定值后打開靈敏度放大器，對電壓進行放大，再送到輸出電路，讀出數據。