富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
6719 賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2611523 
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:219087 在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:252072 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
說起存儲(chǔ)器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲(chǔ)器有多種類型，按其存取特性可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器以及外部存儲(chǔ)設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：規(guī)格：存儲(chǔ)器類型易失存儲(chǔ)器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲(chǔ)容量1Gb （64M x 16）存儲(chǔ)器接口并聯(lián)時(shí)鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫
2022-11-23 07:15:34
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是...
2021-07-27 06:06:26
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
制造商: ISSI 產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS: Yes 存儲(chǔ)容量: 256 kbit 組織
2024-08-02 15:14:36
第三十一講 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元一、
2009-03-30 16:36:571541 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43891 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘，無需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49890 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘，無需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-22 09:39:18685 
什么是LPSDRAM
，低功耗同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
LPRAM
相關(guān)介紹：
LPSRAM又稱為極快的低功耗SRAM，它可減少移
2010-03-24 16:16:061763 名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無
2010-06-29 18:16:592983 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011886 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:322377 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011946 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:401109 固態(tài)硬盤是一種基于永久性存儲(chǔ)器，如閃存或非永久性存儲(chǔ)器、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）的計(jì)算機(jī)外部存儲(chǔ)設(shè)備。
2012-05-30 15:21:171564 所謂「隨機(jī)訪問」，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對(duì)的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0013450 本文透過對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的 存取技術(shù) ，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關(guān)聯(lián)性 提升供應(yīng)電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲(chǔ)器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:005022 
本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲(chǔ)器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個(gè)接口都支持異步存儲(chǔ)器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SBSRAM）和同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:06
5 美國芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個(gè)在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:006537 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5822889 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3923 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1146034 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4916885 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:244600 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4236375 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:233652 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫。在微控制器應(yīng)用中，微控制器通過使用外部存儲(chǔ)控制器(EMC)操作訪問SDRAM ，SDRAM時(shí)鐘頻率通常為100MHz或133MHz。
2019-11-23 11:38:018453 
我們?cè)S多人都知道，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。
2020-01-13 11:50:272642 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問，RAM 中的數(shù)據(jù)在掉電時(shí)會(huì)丟失； ROM（Read Only Memory）存儲(chǔ)器又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從中讀取信息而不能任意寫信息。ROM 具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點(diǎn)。 RAM 和 ROM 兩大類下面又可分很多小類，如下圖所示：
2020-04-09 08:00:004 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。主要運(yùn)用在對(duì)功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:175876 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:036543 
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:168369 UG-1755：評(píng)估ADG5401F故障保護(hù)，6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護(hù)和檢測，20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:452827 鐵電存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同時(shí)也是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問，它屬...
2022-01-26 18:11:561 一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。該
2022-04-24 15:59:181097 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021789 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個(gè)SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口。可以使用專用的#CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個(gè)獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個(gè)獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:064 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:151623 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:391354 
在IC領(lǐng)域，SRAM（Static Random-Access Memory）是一種靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。“靜態(tài)”是相對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）而言，只要系統(tǒng)不斷電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以一直保持。而DRAM里面用電容儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地刷新。
2023-03-21 14:24:033512 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:551185 作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52630 
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:282450 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:347663 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:012866 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:062013 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:272310 低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:361567 
從存儲(chǔ)芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32926 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:391317 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的工藝流程包括多個(gè)關(guān)鍵步驟。
2024-04-05 04:50:0010585 
DDR和LPDDR都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的類型，它們?cè)谟?jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2024-05-12 15:19:004796 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 重新寫入數(shù)據(jù)。EPROM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的一種折中方案，它結(jié)合了兩者的一些特性。 EPROM可以采用隨機(jī)存取方式，這意味著用戶可以在任何時(shí)候讀取存儲(chǔ)器中的任何位置的數(shù)據(jù)，而不需要按照特定的順序。這種特性使得EPROM在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的應(yīng)用中非常有用，例如
2024-09-18 11:13:213297 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）的一種，以其獨(dú)特的靜態(tài)存儲(chǔ)方式而著稱。所謂“靜態(tài)”，意味著只要保持通電狀態(tài)，SRAM內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以恒常保持，無需像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2024-09-26 16:25:308028 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，簡稱RAM）是計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它允許數(shù)據(jù)在任何時(shí)間被讀取或?qū)懭耄虼吮环Q為“隨機(jī)存取”。RAM是計(jì)算機(jī)
2024-10-14 09:51:232474 內(nèi)存儲(chǔ)器可以根據(jù)不同的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類。以下是一些常見的分類方式： 按存儲(chǔ)介質(zhì)分類 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ：使用半導(dǎo)體材料（如硅）制成的存儲(chǔ)器，如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）。 磁存儲(chǔ)器 ：使用磁性材料存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，如硬盤
2024-10-14 10:09:373689 ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401449 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411711 在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00254 在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44298
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