東芝存儲(chǔ)公司6日宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(SCM)XL-FLASH,并開(kāi)始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù),使用96層堆疊工藝實(shí)現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫(xiě)。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
5730 針對(duì)嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)片外Flash存儲(chǔ)器IAP無(wú)現(xiàn)成方案的問(wèn)題,介紹一種基于代碼重入思想的片外存儲(chǔ)器IAP解決方案。
2011-11-30 11:58:39
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被東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門(mén)新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來(lái)。
2015-12-22 08:17:04
885 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類(lèi)型,現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán),手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:32
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閃速存儲(chǔ)器 (Flash Memory)簡(jiǎn)稱(chēng)閃存器或閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash)和與非閃存
2023-11-23 09:36:17
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美商應(yīng)材公司(Applied Materials)因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和云端運(yùn)算所需的新存儲(chǔ)器技術(shù),日前宣布推出創(chuàng)新、用于大量制造的解決方案,有利于加快產(chǎn)業(yè)采納新存儲(chǔ)器技術(shù)的速度。
2019-07-12 16:51:20
4830 東芝存儲(chǔ)器控股株式會(huì)社宣布,自2019年10月1日起將正式更名為鎧俠控股株式會(huì)社(Kioxia Holdings Corporation)
2019-07-19 09:09:25
2818 作為業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲(chǔ)控制芯片及整體解決方案提供商,國(guó)科微受邀參會(huì)并展示了基于東芝XL-Flash閃存技術(shù)的超低延遲NVMe SSD原型機(jī)。
2019-09-04 09:47:05
2570 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布推出新型3相無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器“TB67B000AHG”,能滿足空調(diào)、空氣凈化器、除濕器和吊扇等家用電器的需求。
2019-09-30 15:38:38
2904 Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類(lèi)?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類(lèi)型。作為一類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
XL32F003是芯嶺技術(shù)推出的一顆高性能單片機(jī),搭配32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核,最高工作頻率48 MHz。 芯片嵌入高達(dá)64 Kbytes flash和8 Kbytes SRAM存儲(chǔ)器
2024-05-17 18:04:32
。隨著帶有控制器功能的存儲(chǔ)器需求不斷擴(kuò)大,東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)上占領(lǐng)領(lǐng)先地位,東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
2008-08-14 11:31:20
存儲(chǔ)器接口生成器(MIG)解決方案---Virtex-4 存儲(chǔ)器接口和Virtex-II Pro存儲(chǔ)器解決方案 Virtex-4? FPGAs solve
2009-10-24 12:02:14
全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)與專(zhuān)注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開(kāi)發(fā)和推出新一代存儲(chǔ)解決方案。專(zhuān)為
2019-07-23 07:01:13
大家好!xilinx軟錯(cuò)誤緩解控制器IPcore V4.1用于配置內(nèi)存以避免SEU。我想知道,有關(guān)塊存儲(chǔ)器,分布式存儲(chǔ)器和觸發(fā)器的一些解決方案是否有關(guān)于SEU的解決方案?非常感謝你!
2020-08-05 07:40:29
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類(lèi),一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM(Static
2023-05-19 15:59:37
以大幅度降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本;但DRAM有復(fù)雜的時(shí)序要求,給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了很大的困難。為了方便地使用DRAM,降低系統(tǒng)成本,本文提出一種新穎的解決方案:利用80C186XL的時(shí)序特征,采用CPLD技術(shù),并使用VHDL語(yǔ)言設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DRAM控制器。
2019-07-29 07:54:57
電路設(shè)計(jì)(如何掛載到NIOSII的總線上),最終解決了不同數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器的同平臺(tái)測(cè)試解決方案,并詳細(xì)地設(shè)計(jì)了各結(jié)口的硬件實(shí)現(xiàn)方法。
2019-07-26 06:53:39
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。通過(guò)Keil編譯,我得到:程序大小:Code=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類(lèi)型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
2021-04-27 06:20:01
本文提出了一個(gè)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本解決方案,實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
為什么要開(kāi)發(fā)和測(cè)試存儲(chǔ)器件?怎樣去測(cè)試存儲(chǔ)器的基本功能?如何去擴(kuò)展存儲(chǔ)器的測(cè)試能力?
2021-04-15 06:44:19
求一套FLASH存儲(chǔ)器實(shí)時(shí)存取管理方案。
2021-04-25 08:18:52
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
有兩個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教板上各位大牛,謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒(méi)有程序存儲(chǔ)器,是不是必須要外接flash才能存入程序?
2、如果使用外接的flash程序存儲(chǔ)器,如何從外部設(shè)備啟動(dòng)呢?有沒(méi)有這樣的例程或者手冊(cè)可以供我參考?我想外接一個(gè)flash存儲(chǔ)器(通過(guò)SPI或者EMIF外接)作為程序存儲(chǔ)器,謝謝!
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計(jì)DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件?對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行燒寫(xiě)有哪些步驟?怎樣使用FLASH存儲(chǔ)器去設(shè)計(jì)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)?
2021-04-27 07:13:39
東芝彩電存儲(chǔ)器數(shù)據(jù):東芝25E3XC2 24C08 M37222M6-084SP.bin 東芝2550XHC 24C04 M37222M6-B83SP.bin 東芝2840XH 24C02 東芝管
2008-03-23 10:11:15
48 TCL 2501東芝機(jī)芯(24C04)(25英寸)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:33:55
7 TCL AT29128東芝純存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:25:19
23 論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理器MCF5249 的Flash 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù),以MCF5249對(duì)MX29LV160BT Flash 存儲(chǔ)器的擴(kuò)展為例,介紹了擴(kuò)展的原理,MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設(shè)計(jì),Flash
2009-08-29 10:27:58
35 VxWorks 操作系統(tǒng)提供文件系統(tǒng)來(lái)訪問(wèn)和管理Flash 存儲(chǔ)器,這種方式不能滿足實(shí)時(shí)寫(xiě)入和系統(tǒng)可控的要求。本文提出一種通過(guò)接管系統(tǒng)時(shí)鐘中斷來(lái)控制Flash Memory 讀寫(xiě)操作和基于管理區(qū)
2009-09-22 11:36:12
29 利用XILINX解決方案快速創(chuàng)建存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)
2010-01-08 23:05:26
39 NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類(lèi)存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26
10 LM3S 系列微控制器Flash 存儲(chǔ)器應(yīng)用
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng),該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。它在整個(gè)存儲(chǔ)器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:58
48 NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類(lèi)存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:29
14 內(nèi)建自測(cè)試是一種有效的測(cè)試存儲(chǔ)器的方法。分析了NOR型flash存儲(chǔ)器的故障模型和測(cè)試存儲(chǔ)器的測(cè)試算法,在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了flash存儲(chǔ)器的內(nèi)建自測(cè)試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:54
35 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01
892 安捷倫推出新款LTE測(cè)試解決方案
安捷倫科技公司宣布推出新款 LTE 測(cè)試解決方案。該解決方案結(jié)合了市場(chǎng)上領(lǐng)先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析軟件,以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:29
1136 LSI推出PCI Express固態(tài)存儲(chǔ)解決方案樣片
LSI 公司 日前宣布面向OEM客戶提供PCI Express (PCIe)固態(tài)存儲(chǔ)(SSS)解決方案樣片。LSISSS6200 PCIe SSS 卡為企業(yè)級(jí)服務(wù)器
2010-03-23 10:09:31
1085 串行Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測(cè)儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通
2010-07-02 18:25:14
2955 
Flash 存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng),該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:09
5395 
Broadcom(博通)公司(Nasdaq:BRCM)宣布,推出新的定位解決方案,以使智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)更迅速的室外和室內(nèi)定位。
2012-03-31 08:54:41
867 Spansion公司宣布推出首款配備HyperBus?接口的RAM產(chǎn)品。作為HyperFlash?的配套設(shè)備,SpansionHyperRAM?存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)約而經(jīng)濟(jì)高效的SoC和微控制器(MCU
2015-03-05 16:30:59
6262 ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)05Flash存儲(chǔ)器
2016-07-08 11:08:19
0 電子專(zhuān)業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)05Flash存儲(chǔ)器
2016-09-13 17:23:28
0 和Flash EPROM存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)者非常希望采用片上存儲(chǔ)器,而不是將數(shù)據(jù)保存到片外存儲(chǔ)器上,這樣可以盡量避免各種功耗和延遲問(wèn)題,從而提高系統(tǒng)性能。Xilinx通過(guò)對(duì)SRAM技術(shù)的集成,推出了新一代片上大容量存儲(chǔ)器UltraRAM,當(dāng)然這是專(zhuān)為Xilinx UltraSca
2017-02-08 08:18:07
1603 受到眾多買(mǎi)家競(jìng)購(gòu)東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的影響,近段時(shí)間以來(lái)東芝公司的媒體曝光率極高。如果拋去對(duì)于東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)將花落誰(shuí)家的紛擾猜測(cè),將目光對(duì)準(zhǔn)市場(chǎng)與產(chǎn)品技術(shù),可以發(fā)現(xiàn)近年來(lái)東芝公司除去存儲(chǔ)器之外,仍有不少值得推介的新品。
2017-04-26 10:36:45
1668 近日消息,據(jù)日本共同社報(bào)道,東芝公司預(yù)計(jì)在本月27日將與優(yōu)先談判方美日韓聯(lián)合體正式簽約,出售旗下半導(dǎo)體子公司東芝存儲(chǔ)器。對(duì)于東芝存儲(chǔ)器,富士康曾給出了比美日韓的2萬(wàn)億日元(約合179億美元)更高
2017-06-26 11:46:11
436 FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類(lèi),其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:46
9157 Flash存儲(chǔ)器技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲(chǔ)器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲(chǔ)器。Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除、無(wú)需后備電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ)密度
2017-10-11 18:57:41
5324 
FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存,是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù),FLASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:30
22518 flash存儲(chǔ)器,及閃速存儲(chǔ)器,這一類(lèi)型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn),是人們使用電腦辦公或者娛樂(lè)時(shí)必備的工具。
2017-10-30 08:54:34
34724 美光科技旗下游戲存儲(chǔ)器品牌Ballistix宣布,與華碩的TUF游戲聯(lián)盟合作推出新的Sport AT存儲(chǔ)器系列。TUF游戲聯(lián)盟是由華碩、Ballistix和其它值得信賴(lài)的產(chǎn)業(yè)合作伙伴之間所合作開(kāi)發(fā),確保從零組件到外殼可更輕松的組裝,同時(shí)擁有最佳的兼容性和互補(bǔ)的美學(xué)。
2018-07-09 10:13:00
711 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00
1319 ,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33
113864 日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:00
2759 6月1日,東芝發(fā)布公告稱(chēng)其已經(jīng)完成東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社股權(quán)轉(zhuǎn)讓相關(guān)事宜。自2017年東芝發(fā)布公示表明會(huì)將旗下合并報(bào)表子公司東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社的全部股權(quán)轉(zhuǎn)讓給以貝恩資本(Bain Capital
2018-06-02 11:30:00
7632 近日,東芝宣布推出新品——“M3H族”微控制器,該產(chǎn)品基于全球標(biāo)準(zhǔn)的Arm Cortex-M3內(nèi)核,專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),可滿足消費(fèi)設(shè)備和工業(yè)設(shè)備的各種需求。新產(chǎn)品的出現(xiàn)擴(kuò)大了 “TXZ?系列”微控制器的產(chǎn)品陣容。
2018-09-12 15:55:05
5865 FLASH存儲(chǔ)器(FLASH Memory)是非易失存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息, 可以對(duì)存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲(chǔ)器具有工 作電壓低、擦寫(xiě)速度快、功耗低、壽命長(zhǎng)、價(jià)格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點(diǎn)。
2019-08-09 08:00:00
3972 
據(jù)報(bào)導(dǎo),多位關(guān)系人士透露,從東芝獨(dú)立出來(lái)的全球第二大NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)廠商東芝存儲(chǔ)器(TMC)已著手進(jìn)行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO,預(yù)估TMC上市后市值將超過(guò)2萬(wàn)億日元。
2019-02-24 10:09:00
3369 作為非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,Macronix推出了一系列eMMC存儲(chǔ)器,以滿足高容量存儲(chǔ)和高可靠性應(yīng)用的需求。通過(guò)將閃存設(shè)計(jì)和管理方面的多年經(jīng)驗(yàn)與先進(jìn)的內(nèi)部NAND閃存制造技術(shù)相結(jié)合
2020-06-30 10:13:03
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美國(guó)半導(dǎo)體公司RFaxis近日宣布推出新的無(wú)線模組參考設(shè)計(jì)解決方案,此方案采用瑞薩最新Bluetooth Smart微控制器(MCU)RL78 / G1D與RFaxis RFX2411N 2.4GHz射頻前端集成電路(RFeIC)。
2019-08-04 10:00:14
4604 XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù),每單元1比特SLC,將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來(lái)低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開(kāi)始出貨,預(yù)計(jì)將于2020年開(kāi)始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:36
4416 近日,據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:32
1067 ,既能持久存儲(chǔ)數(shù)據(jù),又具備極高的速度,因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存,它是近年來(lái)半導(dǎo)體存儲(chǔ)的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash,它就屬于持久內(nèi)存類(lèi)型。 為了讓NAND閃存的速度能夠達(dá)到內(nèi)存級(jí)的水平,東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構(gòu)之上進(jìn)
2020-09-16 14:37:47
4272 超低延時(shí)閃存是當(dāng)前非常熱門(mén)的技術(shù)趨勢(shì),東芝推出的XL-FLASH是超低延時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)的代表,讀延時(shí)可以達(dá)到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對(duì)XL-FLASH的低延時(shí)潛力
2019-08-18 09:03:00
1084 據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:32
1643 雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49
1322 全球第一的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國(guó)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體,外界解讀,英特爾選在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)發(fā)表新產(chǎn)品,是在向全球前兩大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:14
1177 Microchip 今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口(SPI)EERAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員節(jié)省高達(dá)25%的成本。
2019-12-03 18:05:28
1243 持久存儲(chǔ)市場(chǎng)中出現(xiàn)了一個(gè)新的參與者,這要?dú)w功于Kioxia(以前是東芝)和西部數(shù)據(jù),并且可能會(huì)促使英特爾和三星改進(jìn)其自己的解決方案。
2020-03-07 13:52:52
3257 隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的高速擴(kuò)大,FLASH型存儲(chǔ)器的用量迅速增長(zhǎng)。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn),在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場(chǎng)的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:29
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在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01
1016 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:38
12674 Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器,其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:01
4410 介紹了 Flash 存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用場(chǎng)合 ,在16 位地址總線中擴(kuò)展大容量存儲(chǔ)的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機(jī)與 Flash 存儲(chǔ)器的硬件接口方式和軟件編程過(guò)程 ,以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問(wèn)題 ,并以 W29C040為例 ,給出了實(shí)際原理圖和有關(guān)實(shí)現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:04
7 科技公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器微控制器(Flash微控制器)。這個(gè)系列是32
2021-12-02 09:51:06
11 存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51
851 中國(guó)上海—2022年8月5日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出xSPI/Hyperbus/Xcella存儲(chǔ)器(閃存、PSRAM、MRAM 等)的控制器和PHY解決方案,適用于客
2022-08-05 10:17:43
999 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年,彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。2001年,許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:35
2730 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布推出新款高速四通道數(shù)字隔離器“DCL54xx01”系列,該系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬態(tài)抑制(CMTI)和150Mbps的高速數(shù)據(jù)速率。該系列六款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-05-10 09:37:18
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Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:28
8172 摘要:本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06
2633 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:17
5563 可編程只讀存儲(chǔ)器)和Flash存儲(chǔ)器是兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器,它們具有各自的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將深入分析和比較EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的原理、結(jié)構(gòu)、性能以及應(yīng)用,以期為讀者提供全面而深入的理解。
2024-05-23 16:35:36
10922 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器,具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn),這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述,并簡(jiǎn)要探討與其他類(lèi)型存儲(chǔ)器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:44
1952 鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器,它們?cè)诠ぷ髟怼⑿阅芴攸c(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:32
4375 隨著人工智能(AI)不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新,數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求,我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——美光9550 NVMeTM SSD。這一新款尖端垂直集成
2024-11-18 10:32:43
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隨著技術(shù)的發(fā)展,EMMC存儲(chǔ)器因其高速、大容量和低功耗的特性,已經(jīng)成為移動(dòng)設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)的首選存儲(chǔ)解決方案。然而,任何技術(shù)都有可能出現(xiàn)故障,EMMC存儲(chǔ)器也不例外。 一、EMMC存儲(chǔ)器的常見(jiàn)故障
2024-12-25 09:39:17
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評(píng)論