引 言

　　以ARM芯片為處理器核的嵌入式應用系統，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內資源以及對操作系統的廣泛支持，得到了人們越來越多的青睞。在應用編程IAP(InApplicatAion Program)就是這樣的自修改程序。它先在RAM存儲器中寫人數據值，然后使PC指向該存儲段，把該段作為程序段來執行。很多ARM7芯片自帶IAP處理器，應用其自帶的IAP處理器可以方便地對其片內集成的Flash存儲器進行在應用編程，但幾乎所有的ARM核芯片均不支持片外IAP處理，因為片外Flash存儲器是用戶選型的，芯片生產廠家無法先知先覺，而不同Flash存儲器其編程時序也不盡相同，導致芯片生產廠家無法提供通用的IAP代碼。那么，如何對嵌入式系統的片外Flash存儲器進行在應用編程呢?這里分兩種情況：一是普通代碼存放在片外單獨1片Flash中，IAP代碼在另一片Flash中完成，此時只要依據Flash的操作時序執行IAP代碼，完成擦除或寫入操作即可。這種情況雖然簡單，但應用了2片Flash;而IAP代碼很小，一般完全可以集成到1片中，所以這里對這種情況不予考慮。另一種情況是1片Flash中既要存儲普通代碼，又要實現IAP。

　　針對嵌入式應用系統片外Flash存儲器IAP無現成方案的問題，介紹一種基于代碼重入思想的片外存儲器IAP解決方案。結合LPC2210及SST39VFl60芯片，簡介兩款芯片特點，給出應用連接框圖;分析IAP實現要點，并給出IAP的實現代碼。下面以Phnips公司的LPC2210 和 Silicon storage Technology 公司的SST39VFl60為例，詳細討論這種情況IAP的解決方案。

　　1 硬件結構

　　1.1 LPC2210介紹

　　Philips公司的LPC22lO是一款基于支持實時仿真和嵌入式跟蹤的16/32位ARM7TDMI-SCPU的微控制器。芯片采用144腳封裝，有16 KB片內靜態RAM，開放外部總線;通過外部存儲器接口可將外部存儲器配置成4組，每組的容量高達16 Mb，數據寬度8/16/32位均可;具有多個32位定時器、8路lO位PWM輸出、多個串行接口(包括2個16C550工業標準UART、高速I2C接口和2個sPI接口)以及9個外部中斷、多達76個可承受5 V電壓的通用I/O口，同時內嵌實時時鐘和看門狗，片內外設功能豐富強大;片內晶振頻率范圍l～30 MHz，通過片內PLL可實現最大為60 MHz的CPU工作頻率，具有2種低功耗模式——空閑和掉電，通過外部中斷將處理器從掉電模式中喚醒，并可通過個別使能/禁止外部功能來優化功耗。以上特性，使其特別適用于工業控制、醫療系統、訪問控制和POS機，同時也非常適合于通信網關協議轉換器，嵌入式軟Modem，以及其他各種類型的應用。

　　1.2 SST39VFl60介紹

　　Silicon StoraLge Technology公司的SST39VFl60是一個lM×16b的CMOS多功能Flash器件，單電壓的讀和寫操作，電壓范圍3.O～3.6 V，提供48腳TSOP和48腳TFBGA兩種封裝形式。

　　該器件主要操作包括讀、字編程、扇區/塊擦除和芯片擦除操作。擦除和字編程必須遵循一定的時序，表l列出了扇區擦除和字編程過程及時序。擦除或編程操作過程中讀取觸發位DQ6將得到“1”和“O”的循環跳變;而操作結束后讀DQ6，得到的是不變的固定值。這是器件提供的寫操作狀態檢測軟件方法。

　　1.3 硬件連接

　　SST39VF160作為系統的程序存儲器，以LPC2210的CSO作為Flash的片選信號，處理器配置Boot引腳為16位數據總線寬度后，上電可直接執行SST39VFl60中代碼。此Flash芯片為16位數據寬度，無字節控制總線，所以應用中不使用LPC2210的BLS引腳。系統結構示意圖如圖l所示。

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　　2 軟件實現

　　2.1 IAP實現要點分析

　　在嵌入式應用系統中，通常要求記錄一些現場的傳感、交互輸入數據，通常把數據記錄在Flash存儲器中，以便下次上電能獲取以前的數據。如果系統程序和數據分開存儲，那么只要對存放數據的Flash器件進行編程即可。然而大多數嵌入式系統，程序和需保存的數據都共存于同一Flash存儲器中，那么是否也如前所述，可對Flash存儲器直接編程呢?理論和實踐都表明不可以。先從理論上計算：LPC22lO允許的芯片核工作頻率(CCLK)范圍是10～60 MHz，存儲器讀訪問長度由存儲器組配置寄存器BCFG中讀訪問的長度域控制WSTl控制，其最大可用長度為35個CCLK，而SST39VFl60的扇區擦除典型時間為18 ms。下面是計算算式：

　　TRDmax=RDLenmax/CCLKmin=35/10×10一6=3.5 μs

　　.TD=18 ms》3.5μs

　　其中：TRDmax—最大讀訪問時間;

　　RDLenmix——最大讀訪問可用長度;

　　CCLKmin——最小核工作時鐘頻率;

　　Tp——扇區擦除典型時間。

　　算式得出扇區擦除典型時間遠大于最大讀訪問時間。這樣一來，如果再給某Flash寫數據，同時于其中預取指，那么因F1ash在執行命令期間，對其他操作不響應，預取出的必定是其數據引腳上的不確定數據，預取指失敗。實踐也表明，如果在程序執行過程中，對同一Flash進行扇區擦除，必定引起預取指中斷。

　　為了解決在同一Flash芯片存放程序并IAP這一問題，引進代碼重映射的思想。所謂重映射就是代碼先自復制到指定存儲區，然后跳轉到指定區的起點開始執行。這里，lAP程序先自復制到LPC2210片內SRAM中，然后跳轉到SRAM執行lAP代碼。前面說過，ARM7為馮·諾依曼結構，這就為IAP程序重映射提供了可能。

　　編寫可重映射代碼的關鍵是要解決程序中相對偏移的問題，ARM7指令系列中涉及相對偏移的指令主要有LDR/STR以及跳轉指令。這里的解決方案是：凡涉及偏移值的指令通通采用基址變址尋址方式，以PC寄存器作基址寄存器，以立即數為變址，這樣當程序塊整塊移動時，要加載的數據或跳轉的地址與當前Pc值的偏移值固定，解決了相對偏移問題。