國外數據和分析公司GlobalData發布了最新報告顯示,華為的5G RAN產品組合在整體上占據最強勢地位,在所有四個標準類別中都處于領先地位,包括卓越的基帶容量最大,可容納5G用戶多;射頻產品覆蓋
2019-07-02 14:05:43
6879 一,是即將推出的5G RF前端模塊進行的mmWave RF處理。后者將用于2020年三星旗艦5G智能手機。RISC-V內核還將用于AI圖像傳感器,安全管理,AI計算和控制。 值得注意的是,三星最早
2019-12-19 14:33:29
5385 的碳化硅產品組合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC? 晶圓的研發水準再創新高,可滿足汽車市場不斷增長的需求。 ? 首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti
2022-05-06 13:48:42
3097 
奈梅亨,2022年5月12日:基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合,重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V
2022-05-12 10:20:49
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中國上海——2022年5月26日——恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.,納斯達克股票代碼:NXPI)宣布,率先推出單芯片解決方案,將超寬帶雷達與精密測距功能相結合,進一步
2022-05-26 17:43:06
4139 
愛立信此次推出端到端的5G商用產品,正是為了滿足5G先行者的需求。據悉,愛立信的全新5G平臺包括5G核心網、無線和傳輸產品組合,以及數字支撐系統、轉型服務和安全系統,是真正意義上的端到端5G產品。
2017-02-23 15:27:27
1621 1月30日,恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.,全球最大的汽車半導體解決方案供應商宣布擴充以太網產品組合,推出TJA1102 PHY收發器和SJA1105x以太網交換機。這些產品將共同幫助汽車制造商實現高速以太網絡,縮小電子產品尺寸,滿足高度互連且自主程度日益提高的車輛需求。
2018-02-02 10:14:45
7267 美國費城(IMS 2018) – 2018年6月12日 – 恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-LDMOS)蜂窩基礎設施產品組合,推動創新,以緊湊的封裝提供行業領先的性能,助力下一代5G蜂窩網絡發展。
2018-06-13 11:23:07
6742 Silicon Labs 802.3bt PoE產品組合可提供更高的功率、出色的集成度以及更先進的功能,既能幫助開發人員簡化系統設計,又能滿足嚴格的功率、尺寸和成本預算。
2020-03-17 11:20:04
1268 Soitec已與Qualcomm Technologies合作多年,本次與其簽訂此協議,將為Qualcomm Technologies的射頻濾波器大規模生產POI襯底,以用于智能手機射頻前端模塊。
2020-07-07 14:28:02
1350 (NXP Semiconductors N.V.,納斯達克股票代碼:NXPI)宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列,其中采用的創新封裝技術有助于為5G基礎設施打造更輕薄的無線產品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經濟性,同時能夠更分散地融入環境。恩智浦的GaN多芯片模塊
2023-06-09 15:13:22
997 標記膠帶和卷軸
信息
HC5N10 SOT23 HC5N10 3000pc/盤
MOS管在DCDC恒壓/恒流電路中扮演著重要的角色。DCDC恒壓電路用于將一個直流電源的電壓轉換為另一個恒定的電壓輸出
2024-10-11 09:47:42
MOS管HC0551010樣品 售后服務:公司免費提供HC0551010樣品,并提供產品運用的技術上跟進。 100V MOS管HC0551010替代:HC5N10,Si2318CDS
2020-11-20 14:48:03
為 5-500 MHz。適用于需要在甚高頻段 (VHF)內進行功率分配或合路的射頻系統,例如通信基站、無線網絡設備、測試與測量儀器等。產品規格 頻率范圍:5-500 MHz。功率容量:平均輸入功率為
2025-05-27 08:51:41
針對近距離無線通訊的5G WiFi功能產品的SAR測試要求2.4G WiFi與5G WiFi產品的用戶網絡體驗效果已遠超出直接換算的2倍關系了,聽得最多的不是追問到底相差多少倍,而是5G WiFi
2015-08-06 19:05:43
電子提供了廣泛的 Molex 連接組合,以提高5 g 功能的設計。賽格電子也是機電、電力和熱能產品和技術的一個來源,以使完整的5g 系統功能。
2022-04-10 21:31:45
新的射頻開關設備從門洛微電子提供25瓦功率處理和一個集成電荷泵驅動電路隨著5G 網絡服務部署到全球各地,對6GHz 以下頻段(尤其是 C 波段)的需求正在上升。這種中帶5G 網絡依賴于包括先進波束
2022-06-13 10:34:18
的設計,但是現在,事情已經發生了大大的改變。首先,您的射頻前端必須處理范圍非常廣泛的頻帶,從600MHz一直延伸到3GHz。隨著更加先進的5G技術的到來,頻段將進一步上延,達到5GHz至60GHz。這給
2017-07-13 08:50:15
、發射通道之間的切換;
e)雙工器負責準雙工切換、接受/發送通道的射頻信號濾波;
f)調諧器負責射頻信號的信道選擇、頻率變化和放大。
在5G時代,信號頻段數量大幅增加,隨之需要的組成部件數量也
2023-05-05 10:42:11
5G射頻測試技術白皮書詳解
2021-01-13 06:33:58
今天看到新聞說5g射頻芯片什么開發出來了,是誰家開發的啊?
2021-10-17 14:26:50
5G使用哪種類型的基站天線?
用于5G的基站將由各種類型的設施組成,包括小型蜂窩,塔樓,天線桿以及專用的室內和家庭系統。
小型蜂窩將是5G網絡的主要特征,特別是在連接范圍非常短的新毫米波
2023-05-05 11:51:19
光纖推出多款插片式工業級波分模塊,并命名為5G OMUX,以及集合波、光路切換保護和光功率監控功能三合一的系列半有源波分整體解決方案,更多詳情回顧《應用于5G前傳半有源WDM傳輸系統的“三合一
2021-02-05 11:38:02
毋庸置疑,5G作為未來幾年最具確定性的市場機會,將推動通信、電子等多個行業完成產業升級,對全球經濟產生深遠影響。射頻前端芯片市場作為半導體行業最具吸引力的領域之一,將從此次產業升級中受益最大,5G
2017-04-14 14:41:10
,因為60GHz信號傳播的大氣衰減比較嚴重)、71GHz至86GHz,甚至可能用到300GHz。要支持毫米波通信,移動系統和基站必須配備更新更快的應用處理器、基帶以及射頻器件。事實上,5G標準對射頻
2019-06-19 08:14:33
業界普遍認為,混合波束賦形將是工作在微波和毫米波頻率的5G系統的首選架構。這種架構綜合運用數字 (MIMO) 和模擬波束賦形來克服高路徑損耗并提高頻譜效率。如圖1所示,m個數據流的組合分割到n條RF
2019-06-12 06:55:46
258(24GHz),n260(39GHz)和n261(28GHz)。這些都被指定用于5G毫米波(mmWave)服務,信道帶寬超過800MHz。 為什么不能在5G濾波器中使用電流諧振器結構? 諧振器結構支持在
2020-06-19 16:36:24
N76E003應用于5V電路,燒錄時NuLink用3.3V可以嗎?
2023-06-15 09:08:02
的 GaN-on-SiC 產品組合,幫助用戶顯著提升效率和工作帶寬。該公司的 GaN-on-SiC
產品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工藝成熟的特點。Qorvo 認識到 PAM 在未來 5G
2023-05-05 09:38:23
`由于NSA 5G NR中納入了新的6GHz以下頻段,因此需要新的射頻硬件支持這些以前從未用于移動無線的新頻率,尤其n77、n78及n79。雖然NSA 5G NR中尚未確定,但5G將最終支持
2019-03-14 13:56:39
苛刻的航空航天和國防應用提供高性能和高可靠性的產品組合E波段解決方案:演示MACOM的E波段? W功率放大器解決方案并展示全新的E波段Tx和Rx SMD模塊以及其他面向新興5G接入、連接和回傳市場
2017-05-18 18:12:54
解決應用上遇到的問題;三是成為了一個紐帶,可以將MACOM不同的產品部門聯系到一起。同時據其透露說,未來深圳實驗室會加入產品失效分析。“現在的產品失效分析都是需要拿到美國去做,很不方便。”5G光通信
2019-01-22 11:22:59
射頻濾波器(用于將無線電信號與電話用于接收和傳輸信息的不同頻譜頻段隔離開來)正在進行改造,同時使4G結構適應更高的5G頻段。與現有的多晶體聲波(BAW)技術相比,5G設計中不斷增加的濾波器內容導致了
2020-12-11 15:13:11
我們都知道處理器芯片, 是依靠不斷縮小制程實現技術升級,而作為模擬電路中應用于高頻領域的一個重要分支,射頻電路的技術升級主要依靠新設計、新工藝和新材料的結合。大家都知道現在已經進入了5G時代,而射頻
2019-11-09 10:29:19
50MR;TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數:應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
【產品單頁】5G AIoT開發套件V2
產品單頁見下方附件*附件:5G AIoT開發套件V2--20240527.pdf
2024-03-15 20:31:13
等)中發揮重要作用。為何自動駕駛需要5G?目前基于LTE的V2N已經覆蓋了很多車聯網用例,比如交通信息提示、地圖更新、OTA固件更新。未來V2V和V2I將廣泛應用于車聯網的低時延、遠距離通信場景。你
2020-06-08 07:00:00
側(包括基站設備和天線部分)總投資占4G 網絡總投資約60%,而技術的更新使得天線和射頻器件在無線側的投資規模將增大,以及價值占比持續提升。與4G基站數量相比,預期5G宏基站數目將達4G基站數約1.5
2019-09-17 08:02:52
驅動許多技術進步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標準時,GaN 較之現在的技術具有明顯的優勢。GaN 能夠提供更高的功率密度,具有多種優點:· 尺寸減小· 功耗降低· 系統效率提高我們已經
2017-07-28 19:38:38
聯合上下游合作伙伴舉辦5G生態研討會,Qorvo應邀出席,由Qorvo亞太區移動事業部市場戰略高級經理陶鎮為與會觀眾帶來了Qorvo對于5G時代構建射頻器件的經驗分享。備戰5G商用化,如何與時俱進設計射頻前端器件?Qorvo亞太區移動事業部市場戰略高級經理陶鎮在聯通5G生態研討會上發表演講
2019-07-31 08:15:02
想在 Layerscape 平臺上使用 5G 模組?隨附的應用說明將幫助您做到這一點。
該 AN 將幫助您:
1.在Layerscape平臺上設置5G環境
2. 將 5G 模塊連接
2023-05-17 06:24:06
數據顯示,全球4G/5G基站市場規模將在2022年達到16億美元,其中用于Sub-6GHz頻段的M-MIMO PA器件年復合增長率將達到135%,用于5G毫米波頻段的射頻前端模塊年復合增長率將達到
2019-08-01 08:25:49
的創新實驗室也將進一步推進10G PON產品的規模和成本。九月份的光博會上,MACOM推出業界首個也是唯一一個適用于10G無源光網絡(PON)應用的完整解決方案產品組合,可實現光線路終端(OLT
2017-11-17 10:11:47
采用LWDM技術。起浪光纖可提供的半有源設備的無源器件解決方案起浪光纖(GROWSFIBER)針對5G前傳半有源WDM波分方案,推出集合波、光路切換保護和光功率監控功能“三合一”的系列半有源波分
2021-01-25 11:38:02
MACOM無線射頻解決方案組合適合5G Hz至E波段的微波和毫米波段。所有主要功能模塊支持上述無線電通信,包括功率放大器、緩沖和驅動放大器、LNA、頻率轉換器、倍頻器和VCO等。這些產品支持不同波段
2018-09-05 11:24:18
( UMT S 、 LTE ) 和 2G ( GSM ) 系統之后的延伸。 5G的性能目標是高數據速率、減少延遲、節省能源、降低成本、提高系統容量和大規模設備連接。FIT-5G+A 是一款用于開發調試
2020-07-15 16:41:56
立(NSA)組網模式,采用愛立信的商用5G新空口無線電AIR 5331和基帶產品以及集成了高通驍龍X50 5G調制解調器和射頻子系統的移動測試終端。愛立信在5G上早有布局,早在今年6月份,愛立信就宣布將與
2018-09-11 08:18:22
的價值提供相匹配的解決方案。”10款全新“成功產品組合”包括以下方案:用于智能電動車充電器的OCPP接口卡(OIC)開放充電協議(OCPP)用于聯網充電站和聯網充電管理系統間的通信。如今,充電站雖可以
2023-03-02 14:29:51
SOITEC 向 CSMC 提供用于顯示技術和其它應用的絕緣硅(SOI)晶圓
法國 BERNIN 2010年3月19日電 /美通社亞洲/ --
- 在中國受到高度關注和支持的SO
2010-03-18 13:55:40
486 榮耀V8和360手機N5哪個好?榮耀V8和360手機N5誰更勝一籌?360手機N5和榮耀V8買哪個好?榮耀V8和360手機N5配置參數有什么區別?360手機N5和榮耀V8哪個值得買?榮耀V8和360手機N5買哪個好呢?360手機N5和榮耀V8哪個性價比跟高?
2017-03-22 11:07:03
5377 此次大會上,OPPO不僅將展出最新的手機產品,還將向全球消費者首次展出基于Find X的5G樣機。區別于當前大部分只支持n78單頻段的5G樣機,OPPO 5G樣機率先實現了對n41、n78和n79三頻段的支持。
2018-11-28 17:11:02
9759 加強本地化支持,直接面向中國本土客戶,持續助力中國半導體生態系統。 中國北京/法國貝寧,2019年3月18日 作為設計和生產創新半導體材料的全球領軍企業,法國Soitec半導體公司今日宣布在中國開啟
2019-03-18 11:33:00
840 Qorvo 廣泛的產品組合不僅支持所有主要的基帶芯片組,而且在該領域獨具優勢,可使領先智能手機制造商開發的手機和移動設備支持 2019 年開始的全球 5G 網絡部署。
2019-04-10 14:37:23
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Qorvo 廣泛的產品組合不僅支持所有主要的基帶芯片組,而且在該領域獨具優勢,可使領先智能手機制造商開發的手機和移動設備支持 2019 年開始的全球 5G 網絡部署。
2019-04-28 17:13:07
3766 Soitec宣布收購EpiGaN nv,增強其優化襯底產品組合氮化鎵(GaN)材料優勢,此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲透率。 中國北京,2019年5月16日作為
2019-05-16 09:17:00
1720 法國Soitec半導體公司宣布已與氮化鎵(簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協議,以3,000萬歐元現金收購EpiGaN公司。
2019-05-18 11:18:51
4420 RR643-81是業內首顆兼容5G N41的射頻前端模塊。中頻段,643-81中MB支持30dBm (Vcc=3.4V)的線性功率以彌補5G前端架構帶來的額外損耗;高頻段B40、B41在非升壓模式下
2019-05-23 17:14:09
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格芯與Soitec簽署多項長期SOI晶圓供應協議,滿足5G、物聯網和數據中心市場增長性需求,協議確保了300毫米晶圓的大批量供應,以支持眾多快速增長細分市場中的各類客戶應用。
2019-06-11 09:51:00
728 Qualcomm Technologies面向其5G產品組合的第二代射頻前端解決方案,將進一步支持OEM客戶快速和規模化地設計和推出外形輕薄、性能強且功效高的5G多模終端。
2019-09-17 09:26:48
932 作為中國SOI生態圈的忠實伙伴,Soitec已經參與SOI產業高峰論壇多年。在本屆峰會,Soitec的高管團隊受邀參與圓桌討論環節并發表演講。
2019-09-17 14:23:35
1088 Qorvo宣布,Qorvo RF Fusion 5G產品組合榮獲了ASPENCORE全球電子成就獎 (WEAA) 2019 年RF/無線/微波類年度產品獎。該獎項旨在肯定和表彰Qorvo提供的獨特產品,這些產品讓全球領先的智能手機制造商能夠快速開發5G手機和移動設備。
2019-11-22 08:48:38
3880 除了5G雙模全網通,榮耀V30 PRO還實現了移動/聯通/電信5G頻段全覆蓋,涵蓋n79、n78、n77、n41、n3、n1等多個頻段,擁有更為全面的頻段支持;該機擁有5G智慧雙卡,支持5G+4G雙卡雙待,保證用戶的雙卡需求。
2019-12-12 14:24:52
3356 5V轉3.3V的N種方法
2020-02-04 15:16:54
25947 全新的90W PoE產品組合符合IEEE 802.3bt標準,該標準將標準PoE功率提高了一倍以上,擴展了無線接入點和IoT無線網關的功能。該產品組合所提供的更高功率能力有助于實現PoE供電的5G小基站和數字化樓宇。
2020-03-18 09:20:23
2733 經外媒證實,谷歌已著手從企業級G Suite中移除Hangouts品牌。繼昨日將Hangouts Meet更名為Google Meet之后,今天谷歌再次確認將Hangouts Chat更名為Google Chat。
2020-04-10 15:38:09
2589 移動應用、基礎設施與國防應用中核心技術與 RF 解決方案的領先供應商Qorvo宣布,Qorvo 高度集成的前端模塊(FEM)移動 5G 產品組合開始實現大規模生產。
2020-05-22 15:50:56
2888 Soitec集團與中國當地的生態系統已建立了長期的合作伙伴關系。早在2007年,Soitec就與中國代工廠和研發中心開展產業合作。
2020-05-27 14:27:55
622 重點 ●用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI以及112G USR/XSR、112G Ethernet
2020-11-03 16:48:08
2984 推出的 realme V5 相同,因此 realme 7 5G 很可能是此前在國內推出的 realme V5 更名上市。 IT之家了解到,realme V5 采用新一代啞光 AG 工藝,搭配 Logo Design 設計,配
2020-11-13 10:06:16
2419 與解決方案,全場景系列化產品為運營商提供最領先的5G網絡能力,創造更大價值。甘斌表示:“面向1+N 5G目標網,通過全系列產品和解決方案的場景化創新和升級,華為將幫助運營商持續構筑網絡差異化優勢,把5G的極致能力落到實處。” 圍繞1+N 5G網絡的發展,首先要構筑“1”張
2021-02-26 17:14:30
2937 近日Soitec全球戰略負責人Thomas Piliszcczuk與業內少數媒體深入溝通了關于全球半導體市場發展趨勢、Soitec在其中扮演的角色。以及Soitec關鍵的襯底產品的最新進展。
2021-03-05 17:13:55
3636 一整套完備的5G射頻方案產品組合,通過提供支持當天發貨的高品質射頻元器件和線纜組件,滿足全球范圍內工程師和技術人員的緊急需求,從而為5G創新、測試和部署助力。 該“下一代射頻元器件”產品組合由數千種有源、無源、互連、天線產品組成,支持全球范圍內的6 GHz以
2021-04-13 16:32:59
1343 Soitec 半導體公司宣布,將在其位于法國貝寧的總部增設新產線,用于生產創新型碳化硅襯底,助力電動汽車和工業市場應對關鍵挑戰。新產線落成后還將同時用于 Soitec 300-mm SOI 晶圓的生產。
2022-03-16 11:31:41
1023 
東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:26
5832 (SiC) 器件的高良率。KLA 公司是工藝控制和先進檢測系統領域的領軍企業。 ? Soitec 利用其獨特的專利技術 SmartSiC? 生產碳化硅優化襯底,助力提升電力電子設備的性能以及電動汽車
2022-07-22 11:50:36
1261 
使用 WBG 材料的射頻功率半導體解決了 5G 應用中的許多技術挑戰,縮小了與舊的基于硅的技術之間的差距。 5G 技術的進步正在推動半導體行業面臨新的技術挑戰。5G 服務以更高的頻率工作,以確保更高
2022-08-05 11:34:28
2098 
? Christophe Maleville Soitec 創新部門副總裁 ? 問題 1 :相比傳統的碳化硅( SiC )技術, Soitec 的 SmartSiC? 技術還較年輕,您能否介紹一下它
2022-10-10 11:46:47
755 
? ? 雙方達成協議,將針對采用 Soitec 技術生產 200mm 碳化硅( SiC )襯底進行驗證 Soitec 關鍵的半導體技術賦能電動汽車轉型,助力工業系統提升能效 ? 2022 年 12
2022-12-05 14:09:42
929 
碳化硅襯底等都比較知名。如今5G通信、新能源汽車的快速發展,給Soitec的產品帶來巨大的商業機會,同時Soitec也十分重視中國市場的合作與發展。 ? 穩健的增長 ? 成立于1992年的Soitec公司已走過30年歷程。Soitec在全球擁有超過2000名員工,其中其中34%的員工為女
2022-12-28 15:49:59
3995 
(ASFET) 新產品組合,重點發布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 mOhm 導通內阻、邏輯控制電平 MOSFET,應用于 LFPAK33 封裝。 奈梅亨,2022年5月12
2023-05-29 10:35:11
1160 5G小基站是實現5G網絡覆蓋的關鍵組成部分,一般應用在流量需求大的熱點區域,如大型商場等。目前各運營商都在進行5G基礎設施,未來將實現5G網絡環境的覆蓋,極大地改善人們的使用體驗。5G小基站的設計中
2022-05-06 10:45:21
1658 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32
1564 本文詳細闡述了 Soitec SmartSiC 的最新進展和獨特的行業價值,并對 SmartSiC 解決方案的創新優勢、研發及生產情況進行了深入的介紹。
2023-07-12 15:51:03
1342 
國民技術UG_N32G45X&N32G4FR系列硬件設計指南V1
2022-10-18 16:12:57
0 電子發燒友網站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:46:30
0 3和Neoverse CSS N3代表了Arm計算子系統產品組合的最新進展。 Neoverse CSS V3是高性能V系列產品組合的首款產品,相比其前身Neoverse CSS N2,每插槽性能提高了50%。這種增強對于需要高計算吞吐量的應用程
2024-04-24 17:53:38
2444 
近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動碳化硅(SiC)功率器件的生產。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠,利用Soitec的SmartSiC技術生產碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:20
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2025-05-07 18:30:25

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2025-05-15 18:34:59

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品,產品采用特殊優化的SGT技術,具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導通和開關損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:53
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仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33
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仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07
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在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上,Soitec 的寬禁帶半導體產品設計經理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我們在碳化硅(SiC)技術方面的最新進展。
2025-12-13 15:50:18
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