法國Soitec半導體公司宣布已與氮化鎵（簡稱GaN）外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協議，以3,000萬歐元現金收購EpiGaN公司。同時，這一協議還將根據盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產品主要用于RF（射頻）、5G、電子元器件和傳感器應用。預計未來五年內，GaN技術的市場應用規模將達到每年50萬至一百萬個晶圓。

Soitec首席執行官Paul Boudre表示：“目前，GaN技術在射頻和功率市場中的應用備受矚目。GaN 外延硅片材料與Soitec目前的優化襯底產品系列將形成戰略上的天作之合。收購EpiGaN進一步擴展并補充了Soitec的硅產品組合，為射頻、5G和功率系統創造了新的工藝解決方案，為用戶增效。”

在移動領域，實現性能、低功耗和成本的共同優化至關重要。與4G相比，5G 低于6GHz頻段和毫米波的到來正在推動新一代基站的發展，它需要更高能效、更高性能、更小、更有經濟效益的功率放大器（PA）。更小、更輕、更高效和更具成本效益是當今基站設計的趨勢，Soitec將擴展其應用于PA的產品組合，并以GaN產品領銜這一趨勢。

EpiGaN聯合創始人兼首席執行官Marianne Germain博士表示，“多年來，EpiGaN在GaN技術領域備受行業認可，目前研制出并優化了一種可投入使用的技術，應用于5G寬帶網絡應用。我們的技術為Soitec的客戶創造了絕佳的機會，可以針對新興高增長市場快速開發產品解決方案，例如射頻設備、高效電源開關設備和傳感器設備。”

EpiGaN總監兼基石投資公司LRM代表Katleen Vandersmissen則表示：“EpiGaN開發的GaN技術開啟了許多未來機遇。我們相信作為EpiGaN的卓越合作伙伴，Soitec將充分挖掘EpiGaN的市場發展潛力。”

此外，鑒于GaN在功率晶體管設計中的應用，收購EpiGaN還將為Soitec現有的Power-SOI產品創造新的增長空間。Power-SOI和GaN均可滿足智能化、節能化和高可靠的集成電路設備對于綜合高壓和模擬功能的要求，以便廣泛應用于消費電子、數據中心、汽車和工業市場。EpiGaN將被整合成為Soitec的一個業務部門。