2022年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約1334億美元，占整個(gè)集成電路市場(chǎng)份額約23%，是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)第二大細(xì)分領(lǐng)域（第一大為邏輯電路）。預(yù)計(jì)2028年或?qū)⒊霈F(xiàn)超過1 Yotabyte的數(shù)據(jù)增量。而如此龐大的數(shù)據(jù)增量，將持續(xù)帶動(dòng)高速運(yùn)算存儲(chǔ)器、3D NAND等需求。

主流存儲(chǔ)芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商要通過產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)模化優(yōu)勢(shì)及技術(shù)持續(xù)升級(jí)迭代保持競(jìng)爭(zhēng)力。

一、DRAM領(lǐng)域

三星、美光、 SK 海力士壟斷了近 95%的市場(chǎng)份額。

近日美光宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的DDR5內(nèi)存，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場(chǎng)的所有客戶出貨。性能上，美光1β DDR5 DRAM提供速率從4800MT/s到7200MT/s的現(xiàn)有模塊密度，并采用先進(jìn)的High-KCMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%，每瓦性能提升33%。

目前，DRAM先進(jìn)制程技術(shù)已發(fā)展至第五代，10nm級(jí)別，美光稱之為1β DRAM，三星等廠商稱之為1b DRAM。1β是目前全球最先進(jìn)的DRAM制程節(jié)點(diǎn)。

三星方面，今年5月，三星量產(chǎn)12nm級(jí)16Gb DDR5 DRAM；9月，三星開發(fā)出基于12nm級(jí)工藝技術(shù)的32Gb DDR5 DRAM，將于今年年底開始量產(chǎn)。

三星計(jì)劃于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段，芯片容量將達(dá)到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。三星透露，將于2026年推出DDR6內(nèi)存，2027年即實(shí)現(xiàn)原生10Gbps的速度。

三星正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11nm級(jí)DRAM芯片。李政培表示，三星正在為DRAM開發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料。

SK海力士方面，今年1月，SK海力士將第四代10nm級(jí)（1a）DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（4th Gen Intel Xeon Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認(rèn)證。

5月，SK海力士第5代10nm工藝1bnm已完成技術(shù)研發(fā)，采用“HKMG（High-K Metal Gate）”工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。并計(jì)劃，明年上半年將把1b工藝擴(kuò)大適用于LPDDR5T、HBM3E等高性能產(chǎn)品。

二、NAND領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)格局同樣較為集中，由三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、 SK 海力士等公司主導(dǎo)全球市場(chǎng)，SK 海力士收購(gòu)英特爾 NAND Flash 業(yè)務(wù)已于 2021 年獲得主要市場(chǎng)監(jiān)管當(dāng)局批準(zhǔn)，全球 NAND Flash 市場(chǎng)將進(jìn)一步集中。

2022 年美光實(shí)現(xiàn) 232 層 NAND 閃存產(chǎn)品的出貨，三星也宣布開始量產(chǎn) 236 層 3D NAND 閃存芯片，鎧俠和西部數(shù)據(jù)于 2023 年推出 218 層 3D NAND 閃存，SK 海力士則在 2023年展示了其最新 300 層 3D NAND 產(chǎn)品原型，預(yù)計(jì)將在 2024-2025 年期間上市。三星將在2024 年將生產(chǎn)超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，這將是業(yè)界最高層數(shù)。

1、三星

三星電子作為全球領(lǐng)先的電子企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋消費(fèi)電子、IT和移動(dòng)通信、設(shè)備解決方案等，尤其是在 DRAM 和 NAND Flash 半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，三星電子長(zhǎng)期穩(wěn)居全球第一的位置

據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2022 年三星在 DRAM 和 NAND 市場(chǎng)全球市占率分別達(dá) 43%和 33%，是全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)最核心的供應(yīng)商。

三星電子成立于 1969 年，于 1984 年開發(fā)了 256Kb DRAM，1992 年成功研發(fā)出世界首個(gè) 64Mb DRAM，1999 年開發(fā)出首款 1Gb NAND 閃存，2013 年成功開發(fā) 3D V-NAND 技術(shù)，2018 年量產(chǎn) LPDDR5 DRAM，當(dāng)前三星的 10nm 級(jí)工藝和極紫外光刻（EUV）技術(shù)已經(jīng)開發(fā)出了大容量 512GB DDR5 內(nèi)存模塊，同時(shí)，其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存層數(shù)已達(dá) 236 層，公司存儲(chǔ)技術(shù)處于全球領(lǐng)先位置。

2、美光科技

美光科技于 1978 年在美國(guó)創(chuàng)立，作為全球最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)及影像產(chǎn)品制造商之一，其主營(yíng)業(yè)務(wù)包括 DRAM、NAND 閃存、 NOR 閃存、CMOS 圖像傳感器等。

2022 年美光科技在全球 DRAM 市場(chǎng)以 25%市占率排名第三，在全球 NAND 市場(chǎng)以 12% 市占率排名第五。

美光于 1979 年便完成了 64K DRAM 的設(shè)計(jì)，并于 1981 年推出首款 64K DRAM 產(chǎn)品，1984 年推出世界上最小的 256K DRAM，2021 年美光推出業(yè)界首個(gè) 1α 節(jié)點(diǎn) DRAM，2022 年公司開始向其客戶運(yùn)送其 1β 節(jié)點(diǎn) DRAM 產(chǎn)品樣品，率先進(jìn)入 1β 階段，其 EUV 技術(shù)預(yù)計(jì)將于 2024 年使用。NAND 方面，公司于 2020 年 11 月便實(shí)現(xiàn)全球首款 176 層 3D NAND 量產(chǎn)， 2022 年實(shí)現(xiàn) 232 層 NAND 產(chǎn)品出貨。

Mass Market Roadmaps

3、SK 海力士

SK 海力士為全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)龍頭企業(yè)，公司致力于生產(chǎn) DRAM、NAND Flash 和 CIS 非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品，在韓國(guó)、中國(guó)無錫和重慶共設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地。

SK 海力士的前身是現(xiàn)代電子；現(xiàn)代電子和 LG 半導(dǎo)體合并后，在 2001 年獨(dú)立改名為海力士；2012 年 SK 集團(tuán)收購(gòu)海力士，也就變成了如今人們所熟知的 SK 海力士。

2020年10月20日SK海力士和英特爾在韓國(guó)共同宣布簽署收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)務(wù)，以及其在中國(guó)大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰TM業(yè)務(wù)。

2021年12月29日， Solidigm宣布正式成立，成為SK 海力士在美國(guó)的獨(dú)立子公司。

2022 年 SK 海力士以 28%市占率在全球 DRAM 市場(chǎng)排名第二，以 13%市場(chǎng)份額在全球 NAND Flash 市場(chǎng)排名第四。?

1984 年 SK 海力士首次成功試產(chǎn) 16Kb SRAM，1999 年收購(gòu) LG半導(dǎo)體，2004 年成功研發(fā) NAND Flash 產(chǎn)品，2013 年首次研發(fā)全球首款 TSV 技術(shù) HBM，2019 年成為業(yè)界首次成功研發(fā)出 128 層 4D NAND 的企業(yè)，現(xiàn)階段，SK 海力士成功開發(fā)出全球首款 12層堆疊的 HBM3 DRAM 新產(chǎn)品，其 DDR5 采用了 EUV 光刻的 1αnm 技術(shù)，NAND 方面，2022 年公司成功研發(fā) 238 層 4D NAND 閃存，2023 年展示了其最新 300 層 3D NAND 產(chǎn)品原型，預(yù)計(jì)將在 2024-2025 年期間上市。?

?

?

4、鎧俠

東芝存儲(chǔ)器在2019年10月1日正式更名為“Kioxia”，中文名“鎧俠”。

2007年，隨著2D NAND達(dá)到規(guī)模極限，東芝率先提出了3D NAND結(jié)構(gòu)概念。但由于東芝陷入財(cái)務(wù)困境，2018年這部分核心業(yè)務(wù)不得不出售給美國(guó)私募投資公司Bain Capital牽頭的一個(gè)財(cái)團(tuán)，東芝僅持有鎧俠約40.6%股份。2019年10月，新公司以鎧俠控股股份有限公司重新開始。

東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存， 2017年4月，鎧俠前身東芝存儲(chǔ)器集團(tuán)從東芝公司剝離，開創(chuàng)了先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案和服務(wù)，可豐富人們的生活并擴(kuò)大社會(huì)的視野。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH，正在塑造諸多高密度應(yīng)用的未來存儲(chǔ)方式，其中包括高級(jí)智能手機(jī)、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心等。

5、西部數(shù)據(jù)?Western Digita

西部數(shù)據(jù)（Western Digital Corp，WDC），是一家全球知名的存儲(chǔ)廠商，成立于1970年，總部位于美國(guó)加州，在世界各地設(shè)有分支機(jī)構(gòu)，為全球用戶提供存儲(chǔ)產(chǎn)品。

2011年，西數(shù)以43億美元收購(gòu)日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)公司(HGST) ?，后者曾于2002年以20億美元并購(gòu)IBM的硬盤部門 ?。

2015年10月22日，西數(shù)宣布190億美元收購(gòu)閃存制造商SanDisk ，以現(xiàn)金加股票的方式進(jìn)行。2016年5月，西數(shù)以160億美元完成對(duì)Sandisk的收購(gòu)。?2018年12月，西部數(shù)據(jù)官方發(fā)布消息表示，將對(duì)旗下存儲(chǔ)子品牌進(jìn)行一輪整合，企業(yè)和商務(wù)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品品牌將棄用HGST、閃迪、tegile和WD品牌，統(tǒng)一使用Western Digital這個(gè)大統(tǒng)括品牌，消費(fèi)端子品牌不作變化。而后西數(shù)、閃迪聯(lián)合宣布，2021年1月1日起，閃迪品牌將更名為西部數(shù)據(jù)，公司運(yùn)營(yíng)主體、品牌名變更為“西部數(shù)據(jù)GK”（Western Digital GK）、“西部數(shù)據(jù)有限責(zé)任公司”（Western Digital Limited Liability Company）。2022年4月18日，西部數(shù)據(jù)正式發(fā)布全新品牌標(biāo)識(shí)。

2016年11月，西數(shù)與紫光在南京成立紫光西部數(shù)據(jù)公司，注冊(cè)資金1.58億美金，其中西數(shù)與紫光各持股49%和51%。 2017年9月，西數(shù)以183億美元收購(gòu)東芝的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

如今，西部數(shù)據(jù)正準(zhǔn)備新的轉(zhuǎn)型計(jì)劃，計(jì)劃將存儲(chǔ)業(yè)務(wù)出售給鎧俠控股。

據(jù)報(bào)道，雙方進(jìn)行了深入談判，計(jì)劃在合并后成立新的控股公司。西部數(shù)據(jù)將保留50.1%的資產(chǎn)，其余的49.9%則歸鎧俠所有。鎧俠總裁將管理新公司的業(yè)務(wù)，而日本代表公司將占據(jù)董事會(huì)的大部分席位。這家新公司將在美國(guó)注冊(cè)，但總部將設(shè)在日本，股票將在美國(guó)和東京證券交易所上市。

如果合并成功，雙方將在NAND型領(lǐng)域和金額的全球市場(chǎng)占有率超過韓國(guó)三星電子，位居全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售量第一。

編輯：黃飛

?