存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM則是非易失性存儲器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。

RAM: 即Random Access Memory隨機存儲內存。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。SRAM靜態存儲器（Static Random Access Memory,SRAM）利用雙穩態觸發器來保存信息的，DRAM動態存儲器（Dynamic Random Access Memory）利用MOS電容存儲電荷來儲存信息，因此必須通過不停的給電容充電來維持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明顯優于SRAM。我們常說手機的運行內存指的就是DDR-DRAM.

SRAM: SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級cache，二級cache。 SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。

DDR SDRAM; (Double Data Rate synchronous dynamic random-access memory)：雙倍速率同步動態隨機存儲器,DRAM利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個就叫動態刷新，所以稱其為動態隨機存儲器。現在使用較多的是DDR3,DDR4,LPDDR4,DDR5,LPDDR5等。

ROM: （Read-Only Memory）即只讀內存，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。

EEPROM：最典型的電可改寫非揮發性存儲器，它具有電可編程、可擦/寫、使用靈活等優點。Flash memory和EEPROM都是電可擦寫可編程的存儲器，EEPROM在很多STM32單片機中得到使用，一般是128KB，16KB這種容量比較小，一般用來保存用戶數據（在運行中可改變的數據）

FLASH(NAND FLASH ,NOR FLASH) : 它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢）, 用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）.

目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。一般小容量的用NOR Flash（常見為16M,64M,128M等等），因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息。而大容量的用NAND FLASH（常見為4Gb,8Gb等等）常用來存放數據。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

NOR FLASH&NAND FLASH: NOR flash占據了容量小的閃存市場，而NAND flash只是用在Gb等大容量產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合于數據存儲。

以下是NOR/NAND FLASH的區別：

對于用戶來說，EEPROM和FLASH 的最主要的區別如下：

總的來說，對與用戶來說，EEPROM和FLASH沒有大的區別，只是EEPROM是低端產品，容量低，價格便宜，但是穩定性較FLASH要好一些，但FLASH設計工藝以及在原理使用上教復雜。

EMMC： (Embedded Multi Media Card）即嵌入式多媒體卡。EMMC相當于NAND FLASH+FLASH CONTROLLER.EMMC容量8Gb，16Gb比較多，容量比較大,在嵌入式硬件設計和現在的手機中使用較多。和我們日常生產生活中使用的TF/SD卡比較類似。

一個典型的系統配置是：采用ddr3的內存，配置若干容量的nor flash用于存儲bootloader，一定容量的nand flash用于存儲內核、文件系統等大容量數據。具體容量和使用場合、成本控制相關，若不記成本全用nor flash做存儲也沒關系。