業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢(shì)使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:06
5591 在半導(dǎo)體芯片中，數(shù)十億晶體管需要通過(guò)金屬互連線（Interconnect）連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級(jí)，互連線的層次化設(shè)計(jì)成為平衡性能、功耗與集成度的關(guān)鍵。芯片中的互連線按長(zhǎng)度、功能及材料分為多個(gè)層級(jí)，從全局電源網(wǎng)絡(luò)到晶體管間的納米級(jí)連接，每一層都有獨(dú)特的設(shè)計(jì)考量。
2025-05-12 09:29:522014 
Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證
2012-09-10 09:53:241950 昱科半導(dǎo)體HGST實(shí)驗(yàn)室日前宣布，通過(guò)兩種融合創(chuàng)新納米光刻技術(shù)，成功創(chuàng)造了大面積高密度存儲(chǔ)介質(zhì)，其中磁島的寬度只有一百億分之一米（10納米）。
2013-03-08 11:51:351364 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納米級(jí)到原子級(jí)工藝的門(mén)檻。
2020-06-02 18:04:463006 
于半導(dǎo)體、3C電子、高校科研等行業(yè)領(lǐng)域。從納米到宏觀，產(chǎn)品解決方案全面覆蓋，滿(mǎn)足多樣化需求：1、光學(xué)3D表面輪廓儀SuperViewW系列光學(xué)3D表面輪廓儀利用白光干涉
2024-07-09 09:32:041785 
中圖儀器利用納米顯微測(cè)量技術(shù)，提供白光干涉儀和共聚焦顯微鏡等高精度測(cè)量設(shè)備，服務(wù)于半導(dǎo)體、電子、科研等領(lǐng)域，推動(dòng)納米級(jí)材料尺寸測(cè)量的技術(shù)發(fā)展和行業(yè)應(yīng)用。
2024-07-12 15:32:132748 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車(chē)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長(zhǎng)工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號(hào)的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開(kāi)始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過(guò)去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場(chǎng)和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競(jìng)技者
2019-06-21 07:45:46
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
納米傳感器和納米級(jí)物聯(lián)網(wǎng)將對(duì)醫(yī)學(xué)產(chǎn)生巨大影響讓開(kāi)放式人工智能系統(tǒng)成為你的個(gè)人健康助理升級(jí)光遺傳技術(shù)照亮神經(jīng)學(xué)人體器官芯片技術(shù)為醫(yī)藥研究帶來(lái)了新的機(jī)遇器官芯片的工作原理
2021-02-01 06:43:21
納米位移計(jì)真的可以測(cè)到納米級(jí)別的物體的位移？
2015-07-23 10:36:36
納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門(mén)的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
關(guān)于納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)看完你就懂了
2021-04-09 06:43:22
光源，可使曝光波長(zhǎng)降到13.5nm，這不僅使光刻技術(shù)得以擴(kuò)展到32nm工藝以下，更主要的是，它使納米級(jí)時(shí)代的半導(dǎo)體制造流程更加簡(jiǎn)化，生產(chǎn)周期得以縮短。賽迪智庫(kù)半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)林雨就此向《中國(guó)電
2017-11-14 16:24:44
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:41:49
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
導(dǎo)入了該項(xiàng)技術(shù)。電路線寬為10納米級(jí)（一納米為十億分之一米）。據(jù)稱(chēng)，與平面型NAND閃存相比，3D型NAND閃存不僅寫(xiě)入速度更高，耗電量也大幅減小。 三星此前已在韓國(guó)和美國(guó)德克薩斯州設(shè)立半導(dǎo)體工廠，這是
2014-05-14 15:27:09
以色列Tel Aviv大學(xué)的研究人員日前宣布，開(kāi)發(fā)出一種稱(chēng)為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級(jí)線。這些研究人員稱(chēng)這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成
2018-11-20 15:53:47
納米級(jí)電氣的特性是什么？
2021-05-12 06:22:56
美國(guó)國(guó)防威脅減除局（DTRA）11月28日發(fā)布了一份信息征詢(xún)書(shū)（NTS139926578），尋求先進(jìn)抗輻射高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)，以支持“先進(jìn)高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與加固”項(xiàng)目。DTRA將向
2012-12-04 19:52:12
的關(guān)鍵所在，還需在研發(fā)人才培養(yǎng)、積累技術(shù)加大投入，突破關(guān)鍵技術(shù)完善專(zhuān)利布局，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。2015年我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值達(dá)4245億元人民幣，相比2014年增長(zhǎng)21
2016-03-03 16:44:05
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
的方法已經(jīng)研究出來(lái)了，既能應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中，也能進(jìn)一步制成導(dǎo)體。 而現(xiàn)在，石墨烯納米帶已經(jīng)能夠批量生產(chǎn)并應(yīng)用在電子元件上。而且，日本東北大學(xué)先進(jìn)材料研究所里的一個(gè)國(guó)際研究小組已經(jīng)證明，石墨烯納米帶之間
2016-01-15 10:46:25
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
以色列TelAviv大學(xué)的研究人員日前宣布，開(kāi)發(fā)出一種稱(chēng)為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級(jí)線。這些研究人員稱(chēng)這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成銀
2018-12-03 10:47:43
納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管 上海連艦光電提供Polymicro Technologies納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管，擁有良好的熱穩(wěn)定性和強(qiáng)大的抗腐蝕性,提供多種尺寸定制加工服務(wù)，適用于毛細(xì)管氣相色譜
2021-10-19 16:50:49
摘要：隨著集成電路制造技術(shù)進(jìn)入納米級(jí)，國(guó)際上高性能通用CPU 的發(fā)展正面臨技術(shù)轉(zhuǎn)型期。性能功耗比繼性能價(jià)格比之后正在成為計(jì)算機(jī)的主要設(shè)計(jì)指標(biāo)，主頻至上的計(jì)算機(jī)處理
2008-11-14 15:35:35
0 針對(duì)完成樣品超光滑凹面弧形掃描所需同時(shí)滿(mǎn)足的高精度、大掃描范圍的需求，中圖儀器SuperViewW納米級(jí)高精度白光干涉測(cè)厚儀的復(fù)合型EPSI重建算法，解決了傳統(tǒng)相移法PSI掃描范圍小、垂直法VSI
2024-06-14 14:40:50
中圖儀器SuperViewW納米級(jí)微觀三維形貌3D白光干涉儀主要用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量。它能以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，典型結(jié)果包括：表面形貌
2024-07-25 14:31:53
中圖儀器NS200探針納米級(jí)表面測(cè)量臺(tái)階儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測(cè)量?jī)x器，其主要用于臺(tái)階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測(cè)量。NS200探針納米級(jí)表面測(cè)量臺(tái)階儀通常使用2μm半徑的金剛石
2024-08-13 17:27:48
重復(fù)性。 NS系列納米級(jí)2D臺(tái)階高度測(cè)量?jī)x應(yīng)用場(chǎng)景適應(yīng)性強(qiáng)，其對(duì)被測(cè)樣品的反射率特性、材料種類(lèi)及硬度等均無(wú)特殊要求，能夠廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、太陽(yáng)能光伏、光學(xué)加
2024-10-12 14:55:59
中圖儀器SuperViewW納米級(jí)白光3d表面輪廓檢測(cè)儀用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量。它在半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、微納材料及制造、汽車(chē)零部件
2024-10-21 14:25:00
單個(gè)精細(xì)器件的過(guò)程用時(shí)短，確保了高款率檢測(cè)。 SuperViewW納米級(jí)白光干涉三維形貌分析測(cè)量?jī)x可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其
2024-10-23 18:17:36
的分辨率，同時(shí)，其集成了超低噪聲信號(hào)采集、超精細(xì)運(yùn)動(dòng)控制、標(biāo)定算法等核心技術(shù)，使得儀器具備超高的測(cè)量精度和測(cè)量重復(fù)性。NS系列納米級(jí)臺(tái)階測(cè)厚儀能夠測(cè)量納米到330μ
2024-12-18 13:57:53
中圖儀器NS系列納米級(jí)臺(tái)階高度儀線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。主要用于臺(tái)階
2024-12-31 14:41:47
中圖儀器CEM3000系列納米級(jí)成像高分辨掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE)，優(yōu)于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級(jí)別景深，具有高空間分辨率
2025-04-15 10:30:49
中圖儀器CEM3000系列納米級(jí)成像掃描電鏡空間分辨率出色和易用性強(qiáng)，用戶(hù)能夠非常快捷地進(jìn)行各項(xiàng)操作。甚至在自動(dòng)程序的幫助下，無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)，便可一鍵得到理想的拍攝圖片。CEM3000系列上還運(yùn)用
2025-04-29 11:17:41
中圖儀器NS系列納米級(jí)臺(tái)階儀線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。 NS
2025-05-15 14:41:51
中圖儀器SuperViewW納米級(jí)形貌光學(xué)輪廓測(cè)量?jī)x具有測(cè)量精度高、操作便捷、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過(guò)程用時(shí)短，確保了高款率檢測(cè)。SuperViewW納米級(jí)形貌光學(xué)輪廓
2025-05-16 15:16:49
中圖儀器納米級(jí)表面形貌臺(tái)階儀單拱龍門(mén)式設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好，而且降低了周?chē)h(huán)境中聲音和震動(dòng)噪音對(duì)測(cè)量信號(hào)的影響，提高了測(cè)量精度。線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)
2025-06-10 16:30:17
PLR3000納米級(jí)精度激光尺是新一代高精度位置檢測(cè)設(shè)備，基于激光干涉測(cè)量原理，專(zhuān)為超精密加工、微電子制造、光刻技術(shù)、航空航天等高要求領(lǐng)域設(shè)計(jì)。 PLR3000系列0.02ppm穩(wěn)頻精度
2025-09-01 16:21:01
IMEC樂(lè)觀展望2010全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體業(yè)在摩爾定律推動(dòng)下進(jìn)步，如今又呈現(xiàn)一個(gè)More than Moore，超越摩爾定律(或稱(chēng)后摩爾定律)，究竟兩者有何不同以及如何來(lái)理解
2009-12-18 13:49:09789 三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片
據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記
2010-04-07 12:36:051148 新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量技術(shù)
納米級(jí)電氣特性 研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必
2010-04-23 15:18:021796 
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 納米級(jí)電氣特性
研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果
2010-07-23 11:20:161207 
隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，超大規(guī)模集成電路（VLSI）的特征尺寸已經(jīng)步入納米范圍。納米級(jí)工藝存在著很多不同于以往微米、亞微米工藝的特點(diǎn)，因此為制造和設(shè)計(jì)都帶來(lái)了很多難題，諸
2011-05-28 16:36:270 半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制造功能強(qiáng)大
2012-02-28 08:52:562621 TI能量收集方案：真正高效的納米級(jí)電源解決方案
2018-08-06 01:11:003694 來(lái)自加州大學(xué)歐文分校的物理學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種利用電流控制納米級(jí)磁鐵的新方法。這一突破在《自然納米技術(shù)》(《由平面霍爾電流驅(qū)動(dòng)的自旋軌道扭矩》)上發(fā)表的一篇論文中進(jìn)行了詳細(xì)闡述，它可能為下一代節(jié)能電腦和數(shù)據(jù)中心鋪平道路。
2019-01-04 09:16:554054 三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開(kāi)發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠，并聽(tīng)取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，他還與三星電子半導(dǎo)體部門(mén)社長(zhǎng)團(tuán)討論了新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:585045 EPFL研究人員已經(jīng)證明，與納米級(jí)電子傳輸有關(guān)的物理定律也可以類(lèi)似地應(yīng)用于離子傳輸。該發(fā)現(xiàn)提供了關(guān)于離子通道如何在我們的活細(xì)胞內(nèi)起作用的關(guān)鍵方面的見(jiàn)解。
2020-04-02 17:28:134064 NIST最新發(fā)布：小而明亮的納米級(jí)LED克服長(zhǎng)期存在的LED效率問(wèn)題的新設(shè)計(jì)，并且可以轉(zhuǎn)換成激光啟動(dòng)
2020-08-19 14:23:30952 的互連密度等多種優(yōu)勢(shì)使各大半導(dǎo)體廠商不斷對(duì)TSV立體堆疊技術(shù)投入研究和應(yīng)用。 作為國(guó)家提前布局的國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝企業(yè)華進(jìn)半導(dǎo)體，如今發(fā)展如何？今天邀請(qǐng)到了華進(jìn)半導(dǎo)體市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)化部總監(jiān)周鳴昊先生和我們分享華進(jìn)半導(dǎo)體作為國(guó)家級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)中
2020-09-26 09:45:356368 受到14納米產(chǎn)能供需失衡及10納米制程延宕沖擊，英特爾（Intel）盡管業(yè)績(jī)未見(jiàn)明顯衰落，但半導(dǎo)體、PC龍頭地位雙雙面臨動(dòng)搖危機(jī)。英特爾近日宣布繼NB后，10納米級(jí)Ice Lake服務(wù)器處理器即將
2021-01-14 12:00:323112 納米技術(shù)研究與在分子水平上的物質(zhì)，一個(gè)原子一個(gè)原子，建立具有根本性的新結(jié)構(gòu)特性。 特別是，納米電子領(lǐng)域正在迅速發(fā)展具有廣泛的潛在影響行業(yè)。 當(dāng)今的納米電子學(xué)研究包括利用碳納米管，半導(dǎo)體納米線，分子有機(jī)電子產(chǎn)品和單電設(shè)備。
2021-03-18 15:45:169 LT1389：納米級(jí)精密并聯(lián)電壓參考數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:27:064 壓電納米定位臺(tái)的命名由它的驅(qū)動(dòng)源及其功能相結(jié)合而來(lái)的。“壓電”指的是它的驅(qū)動(dòng)源，即利用PZT壓電陶瓷來(lái)作為驅(qū)動(dòng)源產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)；而“納米定位”則是它的功能，它的移動(dòng)端面可以產(chǎn)生納米級(jí)精度的步進(jìn)運(yùn)動(dòng)；“臺(tái)”則是它的外形形態(tài)，類(lèi)似一個(gè)平臺(tái)。
2022-11-01 15:24:322924 目前，用于制造具有復(fù)雜形狀的納米級(jí)物體的最精確的3D打印技術(shù)可能是雙光子光刻。這種方法依賴(lài)于液態(tài)樹(shù)脂，只有當(dāng)它們同時(shí)吸收兩個(gè)光子而不是一個(gè)光子時(shí)，它們才會(huì)固化。這使得能夠精確制造具有體素（相當(dāng)于像素的3D）的物體，尺寸只有幾十納米。
2023-05-17 09:59:221785 
白光干涉儀和激光共聚焦顯微鏡同為微納米級(jí)表面光學(xué)分析儀器，都具有非接觸式、高速度測(cè)量、高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，都有表征微觀形貌的輪廓尺寸測(cè)量功能，適用范圍廣，可測(cè)多種類(lèi)型樣品的表面微細(xì)結(jié)構(gòu)
2023-04-20 14:38:433901 
日本東京大學(xué)科學(xué)家利用六方氮化硼二維層中的硼空位，首次完成了在納米級(jí)排列量子傳感器的精細(xì)任務(wù)，從而能夠檢測(cè)磁場(chǎng)中的極小變化，實(shí)現(xiàn)了高分辨率磁場(chǎng)成像。
2023-06-28 09:23:20555 
傳感新品 【美國(guó)約翰霍普金斯大學(xué)：研發(fā)突破性的納米級(jí)電子“紋身”傳感器可以附著在單個(gè)細(xì)胞上】 研究人員發(fā)明了一種納米級(jí)電子“紋身”傳感器，它可以附著在一個(gè)活的細(xì)胞上，而不會(huì)損壞它。這一突破性的發(fā)展
2023-08-09 08:47:501280 
納米級(jí)測(cè)量?jī)x器在納米科技研究領(lǐng)域中扮演著重要的角色。通過(guò)共聚焦顯微鏡、光學(xué)輪廓儀等的運(yùn)用，科研人員們能夠更加深入地了解納米世界的奧秘。
2023-10-11 13:49:371920 
在納米級(jí)測(cè)量中，由于物體尺寸的相對(duì)較小，傳統(tǒng)的測(cè)量?jī)x器往往無(wú)法滿(mǎn)足精確的要求。而納米級(jí)測(cè)量?jī)x器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點(diǎn)，可以測(cè)量微小的尺寸。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器在納米科技研究領(lǐng)域中扮演著重要的角色。通過(guò)共聚焦顯微鏡、光學(xué)輪廓儀等的運(yùn)用，科研人員們能夠更加深入地了解納米世界的奧秘。
2023-10-11 15:23:160 納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門(mén)的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-12 09:12:161 共讀好書(shū) 半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級(jí)封裝（Wafer
2024-02-21 10:34:201565 
高精度納米級(jí)壓電位移平臺(tái)“PIEZOCONCEPT”半導(dǎo)體界后摩爾時(shí)代的手術(shù)刀！第三代半導(dǎo)體是后摩爾時(shí)代實(shí)現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一，優(yōu)越性能和廣泛的下游應(yīng)用使相關(guān)廠商存在良好發(fā)展前景。隨著下
2024-01-26 08:16:171668 
來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》 納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心imec已經(jīng)推出了公眾可以免費(fèi)訪問(wèn)的imec.netzero虛擬工廠版本。該工具提供了IC制造對(duì)環(huán)境影響的量化視圖，為學(xué)者、政策制定者和設(shè)計(jì)人
2024-02-26 12:15:38994 SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 【編者按】 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議 （IEDM） 是全球領(lǐng)先的微電子器件制造和材料技術(shù)論壇，展現(xiàn)最前沿的半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理材料領(lǐng)域的技術(shù)突破。IEDM會(huì)議議題涉及納米級(jí)CMOS
2025-02-14 09:18:502138 
在電子制造與半導(dǎo)體設(shè)備追求“微米級(jí)工藝、納米級(jí)控制”的賽道上，滾珠導(dǎo)軌憑借高剛性、低摩擦與高潔凈特性，成為精密運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的核心載體。
2025-05-29 17:46:30533 
在半導(dǎo)體制造向納米級(jí)精度持續(xù)突破的進(jìn)程中，精密傳感器已成為設(shè)備性能的“神經(jīng)末梢”。作為工業(yè)傳感領(lǐng)域的代表品牌，明治的傳感器憑借在極端工況下的穩(wěn)定性與測(cè)量精度，深度嵌入半導(dǎo)體三大核心設(shè)備——晶圓
2025-06-17 07:33:231020 
、操作復(fù)雜性高等問(wèn)題亟待解決。美國(guó)吉時(shí)利（Keithley）推出的2450數(shù)字源表，憑借高精度、多功能及智能化設(shè)計(jì)，為納米級(jí)材料測(cè)試提供了突破性解決方案，成為科研與工業(yè)領(lǐng)域的精密利器。 ? 一、核心技術(shù)特性：精密測(cè)量的基石
2025-07-09 14:40:29548 
卓立漢光半導(dǎo)體制造的納米級(jí)守護(hù)者：主動(dòng)隔振平臺(tái)技術(shù)
2025-07-17 16:28:22500 
在微觀世界中，細(xì)節(jié)決定成敗。共聚焦顯微鏡技術(shù)，作為一項(xiàng)突破性的成像技術(shù)，正引領(lǐng)著納米級(jí)成像的新紀(jì)元。它不僅提供了前所未有的高分辨率和對(duì)比度，而且能夠在無(wú)需樣品預(yù)處理的情況下，清晰地揭示樣品
2025-08-05 17:55:271444 
“芯”生態(tài)，“圳”綻放！優(yōu)可測(cè)攜半導(dǎo)體領(lǐng)域亞納米級(jí)精度測(cè)量產(chǎn)品亮相“灣芯展”！
2025-10-11 17:35:231183 
當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級(jí)突破階段，各大廠商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹： 一、制程工藝突破 英特爾18A（約
2025-10-15 13:58:161420 至1mm，同時(shí)延續(xù)納米級(jí)精度與高穩(wěn)定性，為更大范圍的精密應(yīng)用提供全新解決方案。 一、P15.XY1000S/K：超大行程與高精度的雙重突破 作為P15系列的大行程新成員，P15.XY1000S/K在保留系列核心優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，針對(duì)大范圍精密運(yùn)動(dòng)需求做了關(guān)鍵升級(jí)，核心亮點(diǎn)集中
2025-10-16 15:47:31270 
在電子與半導(dǎo)體制造的精密領(lǐng)域中滾珠導(dǎo)軌以納米級(jí)定位精度和微米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制能力，成為支撐晶圓傳輸、光刻對(duì)準(zhǔn)、芯片封裝等核心工藝的“隱形基石”。
2025-10-30 17:49:18582 
FIB技術(shù)以其獨(dú)特的納米級(jí)加工能力，在半導(dǎo)體芯片、材料科學(xué)等領(lǐng)域展現(xiàn)出精準(zhǔn)切割、成像和分析的強(qiáng)大功能。樣品制備樣品制備是FIB測(cè)試的首要環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響最終測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。對(duì)于不同類(lèi)型的樣品
2025-11-26 17:06:18526 
在追求更高I/O密度和更快信號(hào)傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)下，銅互連與銀漿印刷已成為先進(jìn)封裝的標(biāo)準(zhǔn)配置。然而，Cu2?和Ag?在電場(chǎng)下的遷移速度是Al3?的5-8倍，極易引發(fā)枝晶生長(zhǎng)導(dǎo)致短路失效。本文聚焦這一行業(yè)痛點(diǎn)，系統(tǒng)闡述納米級(jí)離子捕捉劑IXEPLAS的工程解決方案，包含作用機(jī)理、量化數(shù)據(jù)與產(chǎn)線導(dǎo)入方法論。
2025-12-01 16:53:53409 
隨著芯片制程不斷微縮，先進(jìn)封裝中的離子遷移問(wèn)題愈發(fā)凸顯。傳統(tǒng)微米級(jí)添加劑面臨分散不均、影響流動(dòng)性等挑戰(zhàn)。本文將深度解析日本東亞合成IXEPLAS納米級(jí)離子捕捉劑的技術(shù)突破，及其在解決高密度封裝可靠性難題上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:06:48315 芯片等方面的創(chuàng)新，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力，展現(xiàn)出強(qiáng)大創(chuàng)新活力和廣闊市場(chǎng)潛力。 詳細(xì)內(nèi)容 半導(dǎo)體芯片硬件與軟件優(yōu)化技術(shù) AI芯片發(fā)展 ：臺(tái)積電計(jì)劃增建三座2納米廠，預(yù)計(jì)資本支出達(dá)500億美元，約70%用于先進(jìn)制程研發(fā)及擴(kuò)產(chǎn)，以滿(mǎn)足AI芯片
2025-12-17 11:18:42891
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