本文是為了在Si基板
蝕刻制造金剛石時(shí)提高
制造收率，為此，將
半導(dǎo)體Si基板接入陽(yáng)極，將Pt電極接入陰極后，在pt電極用跳汰機(jī)內(nèi)放入氮?dú)馀菖萜鳎D(zhuǎn)對(duì)向的正電極上外部認(rèn)可電壓，泡泡器內(nèi)吹入氮?dú)猓诩訙?/div>
2022-03-24 16:47:48
4410 
在這個(gè)半導(dǎo)體制程工藝即將面臨更新?lián)Q代之際，我們不妨從設(shè)計(jì)、制造和代工不同角度審視一下，迎接全新工藝的半導(dǎo)體企業(yè)的應(yīng)對(duì)策略。
2011-09-30 09:16:232088 
面積更小、芯片性能更強(qiáng)。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，當(dāng)芯片面積大小相同時(shí)，制造越先進(jìn)，芯片中塞進(jìn)去的晶體管就越多，性能變強(qiáng)；而如果在同樣數(shù)量的晶體管前提下，制程越先進(jìn)，則芯片面積會(huì)變小，能耗變小。但一般而言，芯片
2019-12-10 14:38:41
表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開(kāi)了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會(huì)議，對(duì)2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會(huì)議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
氧化層完整性，增加漏電密度，減小少子壽命，引起移動(dòng)電荷，影響器件穩(wěn)定性。其主要來(lái)源是：爐管的石英材料，制程氣體及光阻等不純物。6） Alloy 合金半導(dǎo)體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強(qiáng)Al與SiO2
2020-02-17 12:05:07
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
大家有沒(méi)有用過(guò)半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
~ 3,000三、半導(dǎo)體制程設(shè)備 半導(dǎo)體制程概分為三類：(1)薄膜成長(zhǎng)，(2)微影罩幕，(3)蝕刻成型。設(shè)備也跟著分為四類：(a)高溫爐管，(b)微影機(jī)臺(tái)，(c)化學(xué)清洗蝕刻臺(tái)，(d)電漿真空腔室
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見(jiàn)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
半導(dǎo)體制造是目前中國(guó)大陸半導(dǎo)體發(fā)展的最大瓶頸。電腦CPU、手機(jī)SOC/基帶等高端芯片，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有替代，雖然性能與國(guó)際巨頭產(chǎn)品有差距，但是至少可以“將就著用”。而半導(dǎo)體制造是處于“0~1”的突破過(guò)程中
2020-09-02 18:02:47
噪聲、空氣噪聲和微振動(dòng)也是特殊的污染物。還有一點(diǎn)值得注意的就是：半導(dǎo)體工廠內(nèi)會(huì)有大量的酸性氣體（這些氣體來(lái)自于晶圓的蝕刻、清洗等過(guò)程），其次由于半導(dǎo)體制造的過(guò)程中會(huì)需要大量使用光阻液、顯影液等等，這些
2020-09-24 15:17:16
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號(hào)：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
` 此專題將逐步介紹半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程，通過(guò)這個(gè)專題，可以了解到：一粒沙子如何變成價(jià)值不菲，功能強(qiáng)大的芯片；制程中涉及到的技術(shù)；半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸；等等； 如果您想了解更多基本的知識(shí)，請(qǐng)積極回復(fù)。謝謝
2014-05-14 10:17:17
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
我想用單片機(jī)開(kāi)發(fā)板做個(gè)熱療儀，開(kāi)發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過(guò)一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半導(dǎo)體制冷片的正負(fù)極能反接嗎，如果可以，那原來(lái)的制冷面是不是可變成散熱面而原來(lái)的散熱面變成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
山東高唐杰盛半導(dǎo)體科技有限公司，我公司主要從事微電子工藝設(shè)備及高精度自動(dòng)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。制造和服務(wù)等，已申請(qǐng)國(guó)家專利10項(xiàng)，授權(quán)7項(xiàng)，產(chǎn)品涉及到半導(dǎo)體制造的前道清洗、擴(kuò)散和后道封裝，技術(shù)達(dá)到國(guó)內(nèi)
2013-09-13 15:16:45
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
成本。 半導(dǎo)體制程中，針測(cè)制程只要換上不同的測(cè)試配件，便可與測(cè)試制程共享相同的測(cè)試機(jī)臺(tái)（Tester）。所以一般測(cè)試廠為提高測(cè)試機(jī)臺(tái)的使用率，除了 提供最終測(cè)試的服務(wù)亦接受芯片測(cè)試的訂單。以下將此針測(cè)制程
2020-05-11 14:35:33
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
半導(dǎo)體制造的IDM企業(yè)，包括半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封裝全產(chǎn)業(yè)鏈。公司產(chǎn)品定位于中高階移動(dòng)裝置攝像頭晶片，核心團(tuán)隊(duì)主要由來(lái)自***和中國(guó)內(nèi)地、香港***地區(qū)、日本、新加坡等國(guó)家和地區(qū)從事半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)制造
2016-11-25 14:35:58
是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過(guò)程，需要微尺度的特征來(lái)優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過(guò)改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來(lái)輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過(guò)程。
2021-01-08 10:15:01
設(shè)在待蝕的板邊，或在操作批量中刻意加入數(shù)片專蝕的樣板，以對(duì)蝕刻制程進(jìn)行了解及改進(jìn)。 14、Etching Resist 抗蝕阻劑 指欲保護(hù)不擬蝕掉的銅導(dǎo)體部份，在銅表面所制作的抗蝕皮膜層，如影像轉(zhuǎn)移
2018-08-29 16:29:01
TFT array之制程主要清洗,成膜,而后黃光制板,后再經(jīng)蝕刻制程形成所要的圖樣,然后依光罩?jǐn)?shù)而作 循環(huán)制程,在這循環(huán)制程中要先將洗凈的玻璃基板送進(jìn)濺鍍機(jī)臺(tái)鍍上一層金屬后,再用黃光及蝕刻制程形成
2020-04-03 09:01:06
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
其中國(guó)市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽(yáng)能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備，例如硅片濕法清洗、蝕刻，硅芯硅棒濕法化學(xué)處理，液晶基板清洗，LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:26:21
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在半世紀(jì)前提出的摩爾定律，是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數(shù)量翻一番。縱觀芯片每代創(chuàng)新歷史，業(yè)界一直遵循這一定律，并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來(lái)對(duì)新制程節(jié)點(diǎn)命名
2019-07-17 06:27:10
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
意法半導(dǎo)體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級(jí)，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效
中國(guó)，2008年7月16日 —— 以降低電動(dòng)汽車等電動(dòng)設(shè)備的運(yùn)營(yíng)成本和環(huán)境影
2008-07-29 14:13:02918 中圖儀器WD4000半導(dǎo)體晶圓制程幾何尺寸量測(cè)設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。它
2024-10-17 11:22:26
半導(dǎo)體測(cè)試制程介紹
測(cè)試制程乃是于IC構(gòu)裝后測(cè)試構(gòu)裝完成的產(chǎn)品之電性功能以保證出廠IC 功能上的完整性，并對(duì)已測(cè)試的產(chǎn)品依其電性功
2008-10-27 16:02:287085 制程FMEA作業(yè)說(shuō)明
制程潛在之失效模式及效應(yīng)分析之各項(xiàng)目說(shuō)明如下：1、 FMEA 編號(hào)請(qǐng)?zhí)顚?xiě)FMEA 流水號(hào)，以利
2008-10-28 09:55:063280 
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:586630 
半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
在全球科技浪潮洶涌澎湃的當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宛如一座精密運(yùn)轉(zhuǎn)的巨大引擎，驅(qū)動(dòng)著信息技術(shù)革命不斷向前。而在這一復(fù)雜且嚴(yán)苛的生產(chǎn)體系中，半導(dǎo)體濕制程設(shè)備猶如一位默默耕耘的幕后英雄，雖不常現(xiàn)身臺(tái)前，卻以無(wú)可
2025-09-28 14:06:40
宏力半導(dǎo)體推出45V LDMOS電源管理制程，基于先進(jìn)的0.18微米邏輯平臺(tái)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，日前發(fā)布了基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMO
2010-01-15 08:33:261576 圖解半導(dǎo)體制程概論1
█ 半導(dǎo)體的物理特性及電氣特性
【
2010-03-01 17:00:497951 圖解半導(dǎo)體制程概論（2）
邏輯IC
電子機(jī)器的動(dòng)作所必需的內(nèi)部信號(hào)處理大致可以分為模擬信號(hào)處理和數(shù)字信號(hào)處理
2010-03-01 17:03:523466 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。
2011-03-07 09:12:031489 微機(jī)電制作技術(shù)，尤其是最大宗以硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半導(dǎo)體組件的制程技術(shù)，所以必須先介紹清楚這類制程。
2011-08-28 11:56:38
286 在積體電路製造過(guò)程中，常需要在晶圓上定義出極細(xì)微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案主要的形成方式，乃是藉由蝕刻(Etching)技術(shù)，將微影(Micro-lithography)后所產(chǎn)生的光阻圖案忠實(shí)地轉(zhuǎn)印至
2011-10-31 16:32:2653 臺(tái)積電(TSMC)表示在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來(lái)自于經(jīng)濟(jì)，并非技術(shù)。
2011-11-01 09:34:331679 中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡(jiǎn)稱“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:502638 本人主要從事IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動(dòng)態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《芯片制造－半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》，貌似一本不錯(cuò)的教材，在此總結(jié)出一些個(gè)人
2012-04-27 15:30:15207 EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑，但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。
2018-01-24 10:52:392922 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性詳細(xì)資料免費(fèi)下載
2018-11-08 11:05:3084 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00221 半導(dǎo)體知識(shí)：PVD金屬沉積制程講解
2019-07-24 11:47:2314886 
三星以及臺(tái)積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭(zhēng)取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭(zhēng)，然而 14 納米與 16 納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小制程后又將來(lái)帶來(lái)什么好處與難題？以下我們將就納米制程做簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
2019-10-14 10:38:5116601 半導(dǎo)體制造的工藝節(jié)點(diǎn)，涉及到多方面的問(wèn)題，如制造工藝和設(shè)備，晶體管的架構(gòu)、材料等。隨著制程的進(jìn)一步縮小，芯片制造的難度確實(shí)已經(jīng)快接近理論極限了。
2020-03-08 15:53:0027967 早在2017年4月份從研制半導(dǎo)體設(shè)備的中微公司傳來(lái)捷報(bào)，其掌門人尹志堯正式對(duì)外宣布已經(jīng)攻克5納米蝕刻機(jī)的制造技術(shù)，一時(shí)在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)激起千層波浪，而實(shí)力頗為強(qiáng)勁的國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司IBM在兩星期后才掌握5納米刻蝕工藝。
2020-04-12 18:07:266983 界定蝕刻的質(zhì)量，那么必須包括導(dǎo)線線寬的一致性和側(cè)蝕程度，即蝕刻因子，下面就簡(jiǎn)要介紹蝕刻制程及蝕刻因子。 蝕刻的目的：蝕刻的目的是將圖形轉(zhuǎn)移以后有圖形的受抗蝕劑保護(hù)的地方保留，其他未受保護(hù)的銅蝕刻掉，最終形成線路，達(dá)到導(dǎo)通的目的
2021-04-12 13:48:0046457 
隨著半導(dǎo)體制程向著更先進(jìn)、更精細(xì)化方向發(fā)展，不同節(jié)點(diǎn)范圍和玩家的邊界越來(lái)越明顯。其中，最先進(jìn)制程玩家只剩下臺(tái)積電、三星和英特爾這3家，而在10年前，至少有7家在專注于當(dāng)時(shí)最先進(jìn)制程的投資和研發(fā)。而在
2020-11-24 14:47:232625 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 09:30:41252 半導(dǎo)體封裝制程與設(shè)備材料知識(shí)簡(jiǎn)介。
2021-04-09 09:52:37190 半導(dǎo)體一般是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體的應(yīng)用非常廣泛，在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用等都有應(yīng)用。那么半導(dǎo)體工藝制程中常用的工序有哪些呢？下面一起
2021-10-03 18:14:005864 在半導(dǎo)體制造的干燥工藝中，水印抑制是重要的課題，對(duì)此，IPA直接置換干燥是有效的。水印的生成可以通過(guò)三相界面共存模型進(jìn)行說(shuō)明。另外就馬蘭戈尼效果進(jìn)行說(shuō)明。
2022-03-09 14:39:212941 
晶圓的處理—微影成像與蝕刻資料分享。
2022-05-31 16:04:213 全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，一直存在著半導(dǎo)體自給率較低，且集中在中低端產(chǎn)品等問(wèn)題。為擺脫這一困境，政府將完善半導(dǎo)體制程供應(yīng)鏈確定為國(guó)家推進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)，并陸續(xù)制定了相關(guān)扶持政策。 縱觀國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈（設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)）各個(gè)
2022-11-14 15:48:441378 的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，一直存在著半導(dǎo)體自給率較低，且集中在中低端產(chǎn)品等問(wèn)題。為擺脫這一困境，政府將完善半導(dǎo)體制程供應(yīng)鏈確定為國(guó)家推進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)，并陸續(xù)制定了相關(guān)扶持政策。 縱觀國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈（設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)）各個(gè)環(huán)節(jié)
2022-11-28 17:21:441151 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒(méi)有明確的答案，但與其說(shuō)加工尺寸微小（目前是nm制程），不如說(shuō)制造過(guò)程無(wú)法用肉眼看到所致。
2023-02-21 09:57:245916 [半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
據(jù)盛劍環(huán)境官微消息，12月27日，上海盛劍環(huán)境系統(tǒng)科技股份有限公司在上海市嘉定工業(yè)區(qū)舉行“盛劍環(huán)境國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制程附屬設(shè)備及關(guān)鍵零部件項(xiàng)目”奠基儀式。 據(jù)悉，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資金額為人民幣6億元。為保障
2023-12-28 16:21:381136 半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 16:43:382878 前段制程包括：形成絕緣層、導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層等的“成膜”；以及在薄膜表面涂布光阻（感光性樹(shù)脂），并利用相片黃光微影技術(shù)長(zhǎng)出圖案的“黃光微影”。
2024-04-02 11:16:188111 此節(jié)以半導(dǎo)體的代表，CMOS-半導(dǎo)體為例，對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此說(shuō)明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型，說(shuō)明非常詳細(xì)，但一開(kāi)始先掌握大概即可。
2024-04-03 11:40:082527 將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體，一個(gè)個(gè)判定是否為良品，此制程稱為“晶圓針測(cè)制程”。
2024-04-19 11:35:312108 
? 半導(dǎo)體制造過(guò)程中所使用的氣體主要分為兩大類：大宗氣體（Bulk Gas）和特種氣體（Special Gas）。大宗氣體（Bulk Gas）主要包括如氮（N2）、氫（H2）、氧（O2）、氬（Ar
2024-06-04 11:48:152113 半導(dǎo)體行業(yè)用Chiller（冷熱循環(huán)系統(tǒng)）通過(guò)溫控保障半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定性，其應(yīng)用覆蓋晶圓制造流程中的環(huán)節(jié)，以下是對(duì)Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用、選購(gòu)及操作注意事項(xiàng)的詳細(xì)闡述。一
2025-04-21 16:23:481234 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對(duì)溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011418 
半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的氣體種類繁多，這些氣體大致上可區(qū)分為大宗氣體與特殊氣體。從制程功能的角度來(lái)看，氣體的分類更為細(xì)致，包括反應(yīng)用氣體、清洗用氣體、燃燒用氣體、載氣等。
2025-06-16 10:33:511058 在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域。然而，臺(tái)積電憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力，已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)了明顯的領(lǐng)先地位，吸引了
2025-07-21 10:02:16758 
光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘
2025-07-30 13:33:021123 
微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中用于晶圓對(duì)準(zhǔn)和定位系統(tǒng)，確保晶圓在光刻、蝕刻等工藝中精確移動(dòng)。
2025-08-08 17:50:08798 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。以下是關(guān)于晶圓清洗機(jī)濕法制程設(shè)備的介紹：分類單片清洗機(jī)：采用兆聲波、高壓噴淋或旋轉(zhuǎn)刷洗技術(shù)，針對(duì)納米級(jí)顆粒物進(jìn)行去除。批量式清洗
2025-12-29 13:27:19211 
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