半導(dǎo)體就是“集成電路”，制造工程大致可分為“前段制程”與“后段制程”。前段制程，會(huì)在矽晶圓上做出電阻、電容、二極體、電晶體等元件，以及將這些元件互相連接的內(nèi)部布線。前段制程亦稱為“擴(kuò)散制程”，由數(shù)百道步驟組合而成，占半導(dǎo)體總制程的80%。

近來(lái)，又有將前段制程細(xì)分為①在矽晶圓上做出各種元件的FEOL、②在各個(gè)元件之間做出連接用金屬布線的BEOL，分為兩大制程。隨著在邏輯類半導(dǎo)體多層布線逐漸的被采用，前段制程的布線制程比例提高，故BEOL獨(dú)立出來(lái)成為單獨(dú)一大項(xiàng)。

前段制程包括：形成絕緣層、導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層等的“成膜”；以及在薄膜表面涂布光阻（感光性樹脂），并利用相片黃光微影技術(shù)長(zhǎng)出圖案的“黃光微影”；并且以形成的光阻圖案做為遮罩，選擇性地去除底層材料膜，以便達(dá)成造型加工的“蝕刻”；將p型或n型的導(dǎo)電性不純物添加至矽基板表層的“不純物添加”；在黃光微影段為了提高黃光微影成型精細(xì)度，并改善布線的階梯覆蓋率（stepcoverage），而在制程中對(duì)晶圓表面進(jìn)行平坦化“CMP”；在各段制程之間產(chǎn)生的塵屑及不純物質(zhì)去除、清潔晶圓使其得以順利進(jìn)入下一道制程的“洗凈”等制程。

此外，還有前段制程全部完成時(shí)，必須進(jìn)行晶圓上的半導(dǎo)體晶片電性測(cè)試，判定良品與否的“晶圓針測(cè)制程”。

后段制程則包括：“構(gòu)裝制程”及“測(cè)試制程”。后面的章節(jié)將會(huì)針對(duì)這些主要的制程，進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

審核編輯：黃飛