薄膜沉積

為了創建芯片內部的微型器件，我們需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中多余的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來。每個晶體管或存儲單元就是通過上述過程一步步構建起來的。我們這里所說的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百萬分之一米）、無法通過普通機械加工方法制造出來的“膜”。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積”。

要形成多層的半導體結構，我們需要先制造器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分并形成三維結構。可用于沉積過程的技術包括化學氣相沉積 (CVD)、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉積 (PVD)，采用這些技術的方法又可以分為干法和濕法沉積兩種。

1、化學氣相沉積

在化學氣相沉積中，前驅氣體會在反應腔發生化學反應并生成附著在晶圓表面的薄膜以及被抽出腔室的副產物。

等離子體增強化學氣相沉積則需要借助等離子體產生反應氣體。這種方法降低了反應溫度，因此非常適合對溫度敏感的結構。使用等離子體還可以減少沉積次數，往往可以帶來更高質量的薄膜。

2、原子層沉積

原子層沉積通過每次只沉積幾個原子層從而形成薄膜。該方法的關鍵在于循環按一定順序進行的獨立步驟并保持良好的控制。在晶圓表面涂覆前驅體是第一步，之后引入不同的氣體與前驅體反應即可在晶圓表面形成所需的物質。

3、物理氣相沉積

顧名思義，物理氣相沉積是指通過物理手段形成薄膜。濺射就是一種物理氣相沉積方法，其原理是通過氬等離子體的轟擊讓靶材的原子濺射出來并沉積在晶圓表面形成薄膜。

在某些情況下，可以通過紫外線熱處理 (UVTP) 等技術對沉積膜進行處理并改善其性能。